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低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究: 1; 作者刘海琪王泉慧 +2 位作者栗锐任春江陈堂胜《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期280-283,共4页; 介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工... 展开更多; 关键词高密度等离子体化学气相淀积低漏电高击穿电场电容; 在线阅读下载PDF 职称材料

铝电解电容器的低漏电研究与控制被引量：1: 2; 作者陈华丰磊梁亚芹《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第4期16-18,共3页; 介绍了铝电解电容器漏电流产生的根源,分析了影响漏电流的因素,通过研制工作电解液、选用高品质材料、改进制造工艺来控制铝电解电容器的低漏电。; 关键词低漏电铝电解电容器漏电流回升; 在线阅读下载PDF 职称材料

集成式等效低压二极管被引量：1: 3; 作者张常军王英杰 +2 位作者邓晓虎刘晓刚王明辉《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期23-26,31,共5页; 采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管。该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联。这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间... 展开更多; 关键词二极管集成低漏电低动态电阻等效; 在线阅读下载PDF 职称材料

1200V大容量SiC MOSFET器件研制被引量：6: 4; 作者刘新宇李诚瞻 +3 位作者罗烨辉陈宏高秀秀白云《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期2313-2318,共6页; 采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面... 展开更多; 关键词碳化硅 MOSFET 栅极bus-bar JFET注入大容量器件低漏电高温半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析: 5; 作者马丽高勇 +1 位作者刘静余明斌《电子器件》 CAS 2007年第4期1255-1257,1265,共4页; 为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽取提供通道使阴极具有理想欧姆接触.该结构可大大提高开... 展开更多; 关键词 SIGE/SI异质结功率二极管快速软恢复低漏电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种用于继电保护的电源钳位静电放电电路被引量：5: 6; 作者唐晓柯李振国 +1 位作者郭海兵王源《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第9期675-679,700,共6页; 与消费类电子产品相比,用于继电保护的集成电路(IC)面临着更为严苛的静电放电(ESD)环境,需要高可靠性的电源钳位ESD电路,但这会给芯片带来较大的泄漏功耗。针对继电保护电路的ESD需求,提出了一种低漏电型电源钳位ESD电路,减小了ESD触发... 展开更多; 关键词静电放电(ESD) 电源钳位电路电流镜继电保护低漏电; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于BIFET工艺的采样保持电路: 7; 作者周远杰罗寻 +4 位作者何峥嵘王成鹤范国亮杨阳徐佳丽《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第4期317-322,共6页; 基于双极兼容PJFET(BIFET)工艺,设计了一种单片采样保持电路,介绍了采样保持电路总体架构以及工作原理。电路内部包含输入级运算放大器、电压比较器、模拟开关、输出级运算放大器以及偏置电路等单元。对保持电路中的环路稳定性设计、保... 展开更多; 关键词 BIFET工艺采样保持电路环路稳定性保持低漏电; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究: 1; 作者刘海琪王泉慧栗锐任春江陈堂胜; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期280-283,共4页; 文摘介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工艺进行对比,充分体现了HDPCVD(ICPCVD)工艺生长介质的低温生长、低漏电、较高击穿场强、无H工艺等优点。随后的失效分析表明,电容上下电极金属对电容成品率有着很大影响。; 关键词高密度等离子体化学气相淀积低漏电高击穿电场电容; Keywords high density plasma chemical vapor deposition（HDPCVD） low current leakage high breakdown electric field capacitor; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铝电解电容器的低漏电研究与控制被引量：1: 2; 作者陈华丰磊梁亚芹; 机构南通同飞电容器有限公司; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第4期16-18,共3页; 文摘介绍了铝电解电容器漏电流产生的根源,分析了影响漏电流的因素,通过研制工作电解液、选用高品质材料、改进制造工艺来控制铝电解电容器的低漏电。; 关键词低漏电铝电解电容器漏电流回升; Keywords low leakage current aluminum electrolytic capacitor step-up of leakage current; 分类号 TM535.1 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名集成式等效低压二极管被引量：1: 3; 作者张常军王英杰邓晓虎刘晓刚王明辉; 机构杭州士兰集成电路有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期23-26,31,共5页; 文摘采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管。该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联。这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的特性。选择特有的版图设计和工艺流程,可以将普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的电压VECO(实际也是等效低压二极管的反向击穿电压)调整到5.1 V以下,该等效低压二极管的反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10Ω以内。利用此特性,该等效低压二极管适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失。; 关键词二极管集成低漏电低动态电阻等效; Keywords diode integrate low leakage low dynamic resistance equivalent; 分类号 TN311 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1200V大容量SiC MOSFET器件研制被引量：6: 4; 作者刘新宇李诚瞻罗烨辉陈宏高秀秀白云; 机构中国科学院微电子研究所新型功率半导体器件国家重点实验室株洲中车时代半导体有限公司; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期2313-2318,共6页; 基金国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No.2017YFB0102302)。; 文摘采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.; 关键词碳化硅 MOSFET 栅极bus-bar JFET注入大容量器件低漏电高温半导体; Keywords SiC MOSFET gate bus-bar JFET implantation high capacity device low leakage current high temperature semiconductor; 分类号 TN323 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析: 5; 作者马丽高勇刘静余明斌; 机构西安理工大学应用物理系西安理工大学电子工程系新加坡微电子研究所; 出处《电子器件》 CAS 2007年第4期1255-1257,1265,共4页; 基金国家自然科学基金资助(50477012) 陕西省教育厅专项科研项目资助(05JK268) 高等学校博士学科点专项科研基金资助(20050700006); 文摘为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽取提供通道使阴极具有理想欧姆接触.该结构可大大提高开关速度,并获得很软的反向恢复特性及很低的漏电流.与常规p+(SiGe)-n--n+功率开关二极管相比,反向恢复时间缩短了近2/3,反向峰值电流降低了约1/2,漏电流降低了约1个数量级.另外,嵌镶结构中p+区的厚度对器件性能有很大影响,调整p+区的厚度可实现器件的反向耐压能力和反向恢复特性之间很好的折衷.这种性能的改进无需采用少子寿命控制技术因而很容易集成于功率IC中.; 关键词 SIGE/SI异质结功率二极管快速软恢复低漏电流; Keywords SiGe/Si hetero-junction power diode high soeed and soft recovery low leakage curront; 分类号 TN313.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种用于继电保护的电源钳位静电放电电路被引量：5: 6; 作者唐晓柯李振国郭海兵王源; 机构北京智芯微电子科技有限公司北京大学微纳电子学系; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第9期675-679,700,共6页; 基金国家电网公司总部管理科技项目(5100-201941436A-0-0-00)。; 文摘与消费类电子产品相比,用于继电保护的集成电路(IC)面临着更为严苛的静电放电(ESD)环境,需要高可靠性的电源钳位ESD电路,但这会给芯片带来较大的泄漏功耗。针对继电保护电路的ESD需求,提出了一种低漏电型电源钳位ESD电路,减小了ESD触发模块的电容,有效防止了继电保护下快速上电和高频噪声带来的误触发。利用电流镜结构获得大的等效ESD触发模块电容,保证了泄放晶体管的导通时间。利用钳位二极管技术,减小钳位电路触发模块的泄漏电流。基于标准65 nm CMOS工艺对电源钳位ESD电路进行了流片验证,测试结果表明,人体模型(HBM)ESD防护能力可达4 kV,泄漏电流为25.45 nA。; 关键词静电放电(ESD) 电源钳位电路电流镜继电保护低漏电; Keywords electrostatic discharge(ESD) power clamp circuit current mirror relay protection low leakage current; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于BIFET工艺的采样保持电路: 7; 作者周远杰罗寻何峥嵘王成鹤范国亮杨阳徐佳丽; 机构中国电子科技集团公司第二十四研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第4期317-322,共6页; 文摘基于双极兼容PJFET(BIFET)工艺,设计了一种单片采样保持电路,介绍了采样保持电路总体架构以及工作原理。电路内部包含输入级运算放大器、电压比较器、模拟开关、输出级运算放大器以及偏置电路等单元。对保持电路中的环路稳定性设计、保持模式下低漏电设计等关键技术进行了分析。芯片流片测试结果表明,该采样保持电路在±15V工作电压条件下,增益误差≤0.005%,失调电压≤3 mV,电源电流≤6.5 mA,电源抑制比≥80 dB,-3 dB带宽≥10 MHz,捕捉时间≤10μs,满足高精度数模转换器(ADC)前端对信号采样保持的应用需求。; 关键词 BIFET工艺采样保持电路环路稳定性保持低漏电; Keywords Bipolar with PJFET process sample-and-hold circuit loop stability low leakage current; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究	刘海琪王泉慧栗锐任春江陈堂胜	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	铝电解电容器的低漏电研究与控制	陈华丰磊梁亚芹	《电子产品可靠性与环境试验》	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	集成式等效低压二极管	张常军王英杰邓晓虎刘晓刚王明辉	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	1200V大容量SiC MOSFET器件研制	刘新宇李诚瞻罗烨辉陈宏高秀秀白云	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析	马丽高勇刘静余明斌	《电子器件》 CAS	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种用于继电保护的电源钳位静电放电电路	唐晓柯李振国郭海兵王源	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	5	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种基于BIFET工艺的采样保持电路	周远杰罗寻何峥嵘王成鹤范国亮杨阳徐佳丽	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料