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题名一种新型低漏电流非隔离光伏逆变器
被引量：1
- 1
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作者
梁杰
张代润
操建新
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机构
四川大学电气信息学院
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出处
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期676-679,共4页
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文摘
为了减小无变压器型光伏逆变器的漏电流,采用了一种新型的光伏并网逆变器拓扑。这种新型的拓扑采用双BUCK电路并联结构,而且具有低漏电流和低进网直流电压的优势。对该种逆变器的工作状态及其损耗进行了分析,并进行了Matlab仿真。仿真结果验证了上述非隔离光伏逆变器的低漏电流的特性。
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关键词
低漏电流
光伏逆变器
非隔离
共模电压
器件损耗
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Keywords
low-leakage current
photovoltaic inverter
non-isolated
common-mode voltage
power losses
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分类号
TM46
[电气工程—电器]
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题名集成式等效低压二极管
被引量：1
- 2
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作者
张常军
王英杰
邓晓虎
刘晓刚
王明辉
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机构
杭州士兰集成电路有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期23-26,31,共5页
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文摘
采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管。该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联。这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的特性。选择特有的版图设计和工艺流程,可以将普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的电压VECO(实际也是等效低压二极管的反向击穿电压)调整到5.1 V以下,该等效低压二极管的反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10Ω以内。利用此特性,该等效低压二极管适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失。
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关键词
二极管
集成
低漏电
低动态电阻
等效
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Keywords
diode
integrate
low leakage
low dynamic resistance
equivalent
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分类号
TN311
[电子电信—物理电子学]
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题名1200V大容量SiC MOSFET器件研制
被引量：6
- 3
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作者
刘新宇
李诚瞻
罗烨辉
陈宏
高秀秀
白云
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机构
中国科学院微电子研究所
新型功率半导体器件国家重点实验室
株洲中车时代半导体有限公司
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期2313-2318,共6页
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基金
国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No.2017YFB0102302)。
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文摘
采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.
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关键词
碳化硅
MOSFET
栅极bus-bar
JFET注入
大容量器件
低漏电
高温半导体
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Keywords
SiC
MOSFET
gate bus-bar
JFET implantation
high capacity device
low leakage current
high temperature semiconductor
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分类号
TN323
[电子电信—物理电子学]
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题名一种用于继电保护的电源钳位静电放电电路
被引量：5
- 4
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作者
唐晓柯
李振国
郭海兵
王源
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机构
北京智芯微电子科技有限公司
北京大学微纳电子学系
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第9期675-679,700,共6页
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基金
国家电网公司总部管理科技项目(5100-201941436A-0-0-00)。
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文摘
与消费类电子产品相比,用于继电保护的集成电路(IC)面临着更为严苛的静电放电(ESD)环境,需要高可靠性的电源钳位ESD电路,但这会给芯片带来较大的泄漏功耗。针对继电保护电路的ESD需求,提出了一种低漏电型电源钳位ESD电路,减小了ESD触发模块的电容,有效防止了继电保护下快速上电和高频噪声带来的误触发。利用电流镜结构获得大的等效ESD触发模块电容,保证了泄放晶体管的导通时间。利用钳位二极管技术,减小钳位电路触发模块的泄漏电流。基于标准65 nm CMOS工艺对电源钳位ESD电路进行了流片验证,测试结果表明,人体模型(HBM)ESD防护能力可达4 kV,泄漏电流为25.45 nA。
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关键词
静电放电(ESD)
电源钳位电路
电流镜
继电保护
低漏电
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Keywords
electrostatic discharge(ESD)
power clamp circuit
current mirror
relay protection
low leakage current
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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