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题名低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响
被引量：4
- 1
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作者
石增良
刘大力
闫小龙
高忠民
徐经纬
白石英
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机构
集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院
中国科学院长春应用化学研究所国家电化学和光谱研究分析中心
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期124-128,共5页
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基金
国家“863”计划资助项目(2001AA311130)
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文摘
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。
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关键词
氧化锌薄膜
MOCVD
低温缓冲层
XRD
SEM
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Keywords
ZnO thin film
metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD）
low-temperature grown ZnO buffer layer
XRD
SEM
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分类号
O482.31
[理学—固体物理]
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题名低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善
被引量：1
- 2
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作者
张家奇
赵杰
刘超
崔利杰
曾一平
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机构
中国科学院半导体研究所材料科学中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期37-41,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60876004)
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文摘
研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm。而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用。基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础。
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关键词
碲化锌
异质外延
低温缓冲层
高温缓冲层
分子束外延
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Keywords
ZnTe
heteroepitaxy
low-temperature buffer layer
high-temperature buffer layer
molecular beam epitaxy （MBE）
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分类号
TN304.25
[电子电信—物理电子学]
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题名硅衬底上锗外延层的生长
被引量：2
- 3
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作者
周志文
沈晓霞
李世国
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机构
深圳信息职业技术学院电子与通信学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期133-137,共5页
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基金
广东省自然科学基金(S2013010011833)
广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123)
深圳市科技计划项目(JCYJ20120821162230170)
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文摘
利用超高真空化学气相沉积系统,基于低温Ge缓冲层技术,研究了Si衬底上高质量Ge外延层的生长。结果表明,低温Ge缓冲层的表面起伏较大,降低生长温度并不能抑制三维岛状生长。然而,低温Ge缓冲层的压应变几乎被完全弛豫,应变弛豫度达到90%以上。在90 nm低温Ge缓冲层上生长的210 nm高温Ge外延层,表面粗糙度仅为1.2 nm。Ge外延层X射线双晶衍射峰的峰形对称,峰值半高宽约为460 arcsec,无明显的Si-Ge互扩散。湿法化学腐蚀部份Ge外延层,测量位错密度约为5×10~5cm^(-2)。
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关键词
锗外延层
低温缓冲层技术
应变驰豫度
硅衬底
表面形貌
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Keywords
Ge epilayer
low-temperature buffer technique
relaxation degree
Si substrate
surface morphology
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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题名GaAs衬底上InP的直接外延生长及性能表征
- 4
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作者
熊德平
周守利
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机构
广东工业大学物理与光电工程学院
浙江工业大学信息工程学院
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出处
《光电子技术》
CAS
北大核心
2009年第2期122-124,共3页
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文摘
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。1.2μm InP(004)面X射线衍射(XRD)ω-2θ和ω扫描半高全宽(FWHM)分别为373 arcsec和455 arcsec,在外延层中插入10周期Ga0.1In0.9P/InP应变超晶格后,其半高全宽分别下降为338 arcsec和391 arcsec。透射电子显微镜(TEM)测试显示,应变超晶格有效地抑制了失配位错穿进外延层,表明晶体质量得到了较大提高。
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关键词
异质外延
低温缓冲层
应变超晶格
金属有机物气相外延
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Keywords
heteroepitaxy
low temperature buffer layer
strained layer superlattice
MOCVD
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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