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低温生长GaAs在Nd∶YVO_4激光器中调Q特性的研究 被引量:2
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作者 姜其畅 卓壮 +5 位作者 王勇刚 李健 苏艳丽 马骁宇 张志刚 王清月 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1133-1136,共4页
采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84μJ,最高峰值功率为330W,... 采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84μJ,最高峰值功率为330W,最大平均输出功率为1.16W;脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间. 展开更多
关键词 低温生长gaas 被动调Q ND:YVO4激光器 半导体抽运
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