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低温生长GaAs在Nd∶YVO_4激光器中调Q特性的研究
被引量:
2
1
作者
姜其畅
卓壮
+5 位作者
王勇刚
李健
苏艳丽
马骁宇
张志刚
王清月
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第8期1133-1136,共4页
采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84μJ,最高峰值功率为330W,...
采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84μJ,最高峰值功率为330W,最大平均输出功率为1.16W;脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间.
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关键词
低温生长gaas
被动调Q
ND:YVO4激光器
半导体抽运
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职称材料
题名
低温生长GaAs在Nd∶YVO_4激光器中调Q特性的研究
被引量:
2
1
作者
姜其畅
卓壮
王勇刚
李健
苏艳丽
马骁宇
张志刚
王清月
机构
山东师范大学物理与电子科学学院
山大鲁能科技有限责任公司
中国科学院半导体研究所
天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第8期1133-1136,共4页
基金
山东省科技厅科技攻关计划资助(031080125)
文摘
采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84μJ,最高峰值功率为330W,最大平均输出功率为1.16W;脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间.
关键词
低温生长gaas
被动调Q
ND:YVO4激光器
半导体抽运
Keywords
gaas
grown at low temperature
Passive Q-switch
Nd :YVO4 laser
Laser diode pumping
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
低温生长GaAs在Nd∶YVO_4激光器中调Q特性的研究
姜其畅
卓壮
王勇刚
李健
苏艳丽
马骁宇
张志刚
王清月
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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