-
题名BST铁电薄膜的制备及介电性能研究
被引量：1
- 1
-
-
作者
黄歆
樊青青
翟禹光
黄玮
李俊红
汪承灏
-
机构
北京中科飞鸿科技有限公司
中国科学院声学研究所
中国科学院大学
-
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第3期340-344,共5页
-
文摘
通过射频磁控溅射法,采用高温溅射、低温溅射高温退火两种不同的工艺制备了钛酸锶钡(BST)薄膜。分析两种不同的工艺对BST薄膜的结构、微观形貌及介电性能的影响。采用X线衍射(XRD)分析了样品的微观结构。采用扫描电镜(SEM)和台阶仪分别测试了样品的微观形貌和表面轮廓。通过能谱分析(EDS)得到了薄膜均一性的情况。最后通过电容-电压(C-V)曲线测试得到BST薄膜的介电常数偏压特性。结果表明,与低温溅射高温退火工艺制备的BST薄膜相比,高温溅射制备的BST薄膜结晶度好,致密性高,表面光滑,薄膜成分分布较均一。因此,采用高温溅射得到的BST薄膜性能较好。在频率300 kHz时,采用高温溅射制备的BST薄膜介电常数为127.5~82.0,可调谐率为23.86%~27.9%。
-
关键词
磁控溅射法
钛酸锶钡(BST)薄膜
高温溅射
低温溅射高温退火
介电性能
-
Keywords
magnetron sputtering
BST thin film
high-temperature sputtering
low-temperature sputtering followed by high-temperature annealing
dielectric property
-
分类号
TN384
[电子电信—物理电子学]
-
