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柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性 被引量:2
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作者 岳致富 吴勇 +3 位作者 李喜峰 杨祥 姜姝 许云龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1205-1209,共5页
研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm^2/(V·s)降到45.17 cm^2/(V·... 研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm^2/(V·s)降到45.17 cm^2/(V·s),开关比增大;在压缩弯曲状态下,转移特性曲线和平坦状态保持了非常好的一致性。在最小弯曲半径为3 mm时,进行了正负偏压稳定性测试,结果表明,器件依然具有很好的稳定性。 展开更多
关键词 柔性 低温多晶硅薄膜晶体管 低温多晶硅 弯曲 稳定性
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微波退火法低温制备多晶硅薄膜晶体管 被引量:3
2
作者 饶瑞 徐重阳 +1 位作者 孙国才 曾祥斌 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期299-301,共3页
多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (小于 60 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章利用微波加热技术 ,采用非晶硅... 多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (小于 60 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章利用微波加热技术 ,采用非晶硅薄膜微波退火固相晶化法低温制备出多晶硅薄膜晶体管 ,研究了微波退火工艺对多晶硅薄膜晶体管电学性能的影响。 展开更多
关键词 微波退火 低温晶化 多晶硅薄膜晶体管
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基于低温多晶硅-氧化物半导体混合集成的薄膜晶体管显示背板技术 被引量:2
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作者 邓立昂 陈世林 +1 位作者 黄博天 郭小军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期420-431,共12页
低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供... 低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供了新的发展机遇,获得了产业界和学术界的广泛关注。本文系统地总结和分析了LTPO相关技术与应用的研究进展以及面临的技术挑战。首先,讨论了分别针对液晶显示(Liquid crystal display,LCD)和有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示的LTPO背板的集成方式,进一步总结分析了实现LTPO集成的器件结构和工艺挑战。此外,针对有源矩阵OLED显示,分析了LTPO技术用于设计兼容低帧率和高帧率驱动、具有内部补偿功能的像素电路的优势,以及在超低帧率(如1 Hz)驱动情况下,TFT器件稳定性带来的影响和相关的补偿驱动方法。最后,对LTPO技术进一步发展的可能趋势进行了展望。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 低温多晶硅 氧化物半导体 有源矩阵有机发光二极管 液晶显示 低功耗
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MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管 被引量:13
4
作者 金仲和 王跃林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1068-1071,共4页
金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点 ,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能 .采用超薄结构后 ,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10 -13 A/ μm以下 ;开关比... 金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点 ,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能 .采用超薄结构后 ,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10 -13 A/ μm以下 ;开关比提高了近 10 0倍达到 3× 10 7以上 ;场效应迁移率从普通结构晶体管的 80cm2 /Vs(NMOS)与5 1cm2 /Vs(PMOS)分别提高到 110cm2 /Vs与 6 8cm2 /Vs;阈值及亚阈摆幅也有很大改善 .文中还将金属诱导结晶与传统固相结晶所得薄膜晶体管的性能进行了比较 。 展开更多
关键词 金属诱导结晶 多晶硅 薄膜晶体管 MILC
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多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀 被引量:2
5
作者 王大海 李轶华 +5 位作者 孙艳 吴渊 陈国军 付国柱 荆海 万春明 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期59-64,共6页
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过工艺参数的优化 ,使薄膜间的选择比在 2~ 2 0可选择 ;并通过气体掺杂 ,实现了SiNx 对 p Si的选择比从 - 1到
关键词 多晶硅薄膜晶体管 反应性离子刻蚀 刻蚀速率 选择比 工艺 有源矩阵 液晶显示器
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高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用 被引量:5
6
作者 王文 孟志国 郭海成 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第5期323-330,共8页
低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比 ,制作工艺简单 ,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压 ,降低了漏电电流 ,改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅... 低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比 ,制作工艺简单 ,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压 ,降低了漏电电流 ,改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术 ,成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器。 展开更多
关键词 金属单向诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 有源平板显示器 有源矩阵液晶显示器 有源矩阵 有机发光二极管 显示器
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搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管 被引量:1
7
作者 郭海成 周玮 +5 位作者 陈荣盛 赵淑云 张猛 王文 陈树明 周南云 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期471-478,共8页
提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且... 提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善。 展开更多
关键词 搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管
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低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型 被引量:3
8
作者 姚若河 欧秀平 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期14-17,43,共5页
对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多... 对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合. 展开更多
关键词 多晶硅 薄膜晶体管 阈值电压 表面势
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基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管(英文) 被引量:1
9
作者 赵淑云 孟志国 +1 位作者 王文 郭海成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期333-338,共6页
介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中... 介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量,使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区。即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内,能形成连续晶畴的多晶硅薄膜,都可作为高质量TFT的有源层。根据晶核定位孔分布形式的不同,可以设计成规则、重复的分布形式,获得正六边形的蜂巢晶体薄膜和准平行晶带晶体薄膜。这些规则形成的晶畴形状与尺寸相同,可准确地控制晶化的过程,具有晶化时间的高可控性和工艺过程的高稳定性,故而适合于工业化生产的要求。利用些技术,当温度为590 ℃时,可将晶化时间缩短至2 h之内。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为~55 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为0 .6 V/dec ,开关电流比为~1×107,开启电压为-3 V。 展开更多
关键词 金属诱导晶化 规则排列连续晶畴 薄膜晶体管 低温多晶硅
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电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管 被引量:1
10
作者 曾祥斌 孙小卫 +1 位作者 李俊峰 齐国钧 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1172-1175,1179,共5页
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件... 采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106. 展开更多
关键词 电场增强晶化 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 薄膜晶体管
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多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型(英文) 被引量:1
11
作者 郑学仁 邓婉玲 陈荣盛 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期221-226,共6页
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括... 提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器. 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 表面势 电流模型 电容模型
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多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型 被引量:1
12
作者 姚若河 欧秀平 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期61-64,共4页
提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管.研究表明:当晶粒尺寸Lg<0.4μ... 提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管.研究表明:当晶粒尺寸Lg<0.4μm时,其有效迁移率主要由晶粒间界控制;降低晶粒间界陷阱态密度可提高有效迁移率;减小栅氧化层厚度可增强栅压对有效迁移率的控制作用;高栅压时出现明显的有效迁移率退化效应. 展开更多
关键词 多晶硅 薄膜晶体管 迁移率模型 晶粒间界
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多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型 被引量:2
13
作者 邓婉玲 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期178-182,共5页
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究。对实验数据进... 多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究。对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测多晶硅薄膜晶体管的栅电容特性。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 栅漏电容 栅源电容 模型
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多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究 被引量:1
14
作者 黄流兴 魏同立 郑茳 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第5期545-549,共5页
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂... 本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。 展开更多
关键词 双极晶体管 多晶硅发射极 低温频率
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多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术
15
作者 曾祥斌 Johnny K O Sin +2 位作者 徐重阳 饶瑞 刘世建 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期142-144,151,共4页
采用 N2 O和 NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明 ,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度 ,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在 p- Si/ Si O2界面有氮原子富积 ,说明生成... 采用 N2 O和 NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明 ,该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度 ,提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在 p- Si/ Si O2界面有氮原子富积 ,说明生成了强的 Si- 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 薄膜晶体管 表面钝化 氮等离子钝化
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多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型
16
作者 黄君凯 郑学仁 邓婉玲 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期24-29,35,共7页
为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106~5×1... 为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106~5×108V/m电场范围的泄漏电流模型.同时,建立了中低电场区的激活能模型和泄漏区低频噪声紧凑模型.将模型仿真结果与实验数据进行了比较,证明了所建立模型的有效性,且模型适用于电路仿真器. 展开更多
关键词 多晶硅 薄膜晶体管 泄漏电流 激活能 低频噪声模型
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低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管
17
作者 兰林锋 宋威 +1 位作者 史文 彭俊彪 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期98-102,共5页
为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层,制备了氧化锌薄膜晶体管(TFT).制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的Zn(OH)x-(NH... 为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层,制备了氧化锌薄膜晶体管(TFT).制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的Zn(OH)x-(NH3)y(2-x)+水溶液,这种氨络合物溶液制备简单、成本低,并且由于容易形成高活性的氢氧自由基,使得氨-金属之间的分解所需要的活化能较低,生成氧化锌所需的能量较小,可以在180℃的较低温度下获得氧化锌多晶薄膜.所制备的TFT器件的最高迁移率可达0.9 cm2/(V·s).这种低温氧化锌薄膜工艺与室温电化学氧化的栅绝缘层工艺相结合,具有温度低和迁移率高的特点,完全能与柔性衬底兼容,在柔性显示中具有很大的应用前景. 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氧化锌 低温溶液加工
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低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型
18
作者 黄流兴 魏同立 郑茳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期103-105,共3页
本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍,界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素,以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应,建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析... 本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍,界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素,以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应,建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型,对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与300K和77K下的实测结果进行了比较。 展开更多
关键词 双极晶体管 多晶硅发射极 电流增益 截止频率 低温
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多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展
19
作者 黄君凯 刘璐 邓婉玲 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期528-533,共6页
随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上... 随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上.本研究全面分析了多晶硅材料中晶界带隙能态分布的研究现状及数学模型,这是多晶硅薄膜晶体管建模的基础;重点介绍了RPI模型及最新的模型研究进展,并对这些模型进行了评述;最后提出了多晶硅薄膜晶体管模型的建模方向与研究策略,包括模型的完整性、普适性和系统性. 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 模型 晶界带隙能态
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多晶硅薄膜晶体管的模拟与分析
20
作者 何野 庄庆德 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1990年第4期53-59,共7页
提出了一个晶粒间界的物理模型,以解释多晶硅薄膜晶体管(TFT)的低载流子迁移率和高阈值电压.研制了多晶硅 TFT 的分析软件包TFTNPE,它包括两维数值模拟器和模型参数提取软件,可以用于多晶硅薄膜器件的分析与设计.
关键词 薄膜晶体管 多晶硅 模拟
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