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过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究
被引量：
4
1
作者
霍晓迪
陈兵
+2 位作者
李知勋
李淳东
刘华锋
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期58-61,共4页
为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致PSi表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺。利用京...
为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致PSi表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺。利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致。实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿。采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能。
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关键词
干法刻蚀
侧面接触方式
过孔
液晶面板
低温多晶硅技术
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职称材料
题名
过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究
被引量：
4
1
作者
霍晓迪
陈兵
李知勋
李淳东
刘华锋
机构
鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期58-61,共4页
文摘
为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致PSi表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺。利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致。实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿。采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能。
关键词
干法刻蚀
侧面接触方式
过孔
液晶面板
低温多晶硅技术
Keywords
dry etch
Just Contact Method
contact hole
TFT-LCD
low-temperature polysilicontechnology
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究
霍晓迪
陈兵
李知勋
李淳东
刘华锋
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2016
4
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