低温等离子体技术对结晶紫废水的脱色效能及影响因素研究

1

作者 李晓艳 刘进仁 +2 位作者 鹿佳佳 石兴民 袁网 《西安交通大学学报(医学版)》 北大核心 2025年第1期12-19,共8页

目的探索新型低温等离子体(low temperature plasma,LTP)对结晶紫(crystal violet,CV)模拟废水的脱色效能及关键影响因素。方法利用氩气大气压等离子体射流产生LTP,以CV为目标污染物,通过调整处理体积、初始pH值、NaCl浓度、Fe^(2+)等参... 目的探索新型低温等离子体(low temperature plasma,LTP)对结晶紫(crystal violet,CV)模拟废水的脱色效能及关键影响因素。方法利用氩气大气压等离子体射流产生LTP,以CV为目标污染物,通过调整处理体积、初始pH值、NaCl浓度、Fe^(2+)等参数,评估LTP处理前后CV溶液的吸光度(A_(590))和化学需氧量(chemical oxygen demand,COD)的变化,并监测液相中活性粒子的动态变化。结果与对照组相比,LTP处理组的A_(590)和COD值均显著降低(P<0.05)。在处理时间为180 s时,CV溶液脱色率和COD去除率分别达到62.34%和50.22%。在相同处理时间(>90 s)时,0.1 mol/L的NaCl组、pH=9或11组及Fe^(2+)组CV溶液的A_(590)均低于LTP单独处理组,而添加正丁醇组则高于LTP单独处理组(P<0.05);处理体积为2、3 mL组CV溶液的A_(590)高于1 mL组(P<0.05)。LTP作用相同时间,与CV溶液相比,活化水中的H_(2)O_(2)含量较高,而NO_(3)^(-)含量较低,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论LTP对CV溶液具有高效的脱色能力。NaCl和Fe^(2+)的加入以及提高CV溶液pH均有利于脱色,而增大处理体积或添加正丁醇则会对脱色产生不利影响。在脱色过程中,LTP产生的·OH和H_(2)O_(2)发挥了重要作用。 展开更多

关键词 低温等离子体(ltp) 结晶紫(CV) 脱色

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不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性

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作者 张之壤 朱慧 +3 位作者 刘行 张轶群 徐朝 郑文轩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期589-595,共7页

为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱... 为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱,并对其产生的新陷阱进行定位,分析了产生陷阱的内在机理。结果表明,在相同的强电场直流应力下宽长比为3/2.5的器件,其电学参数变化最大,自热效应以及热载流子效应带来的影响也最大。自热效应导致器件性能退化的主要原因是较大的栅源电压导致Si/SiO2界面处和栅氧化层中的陷阱增多,而热载流子效应导致器件性能退化的主要原因则是由于较大的漏源电压使得漏极晶界陷阱态密度急剧升高。 展开更多

关键词 柔性低温多晶硅薄膜晶体管(ltps TFT) 自热效应 热载流子效应 瞬态电流 强电场直流应力

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低温等离子体诱导黑色素瘤细胞免疫原性细胞死亡的研究

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作者 王香妮 刘进仁 +6 位作者 崔怡馨 鹿佳佳 何芷柔 许玉琳 李荣荣 石兴民 吴喜利 《西安交通大学学报(医学版)》 北大核心 2025年第1期20-27,共8页

目的 比较低温等离子体(low-temperature plasma, LTP)直接处理和等离子体活化液(plasma-activated medium, PAM)处理对黑色素瘤细胞免疫原性细胞死亡(immunogenic cell death, ICD)的诱导作用。方法 LTP直接处理和PAM处理黑色素瘤细胞B... 目的 比较低温等离子体(low-temperature plasma, LTP)直接处理和等离子体活化液(plasma-activated medium, PAM)处理对黑色素瘤细胞免疫原性细胞死亡(immunogenic cell death, ICD)的诱导作用。方法 LTP直接处理和PAM处理黑色素瘤细胞B16F10细胞24 h后,通过MTT检测细胞活力,使用流式细胞术检测细胞凋亡和细胞表面钙网蛋白(calreticulin, CRT)的表达情况,用三磷酸腺苷(adenosine triphosphate, ATP)检测试剂盒检测培养液中ATP含量,使用ELISA法检测细胞培养液中高迁移率族蛋白1(high-mobility group box 1, HMGB1)含量;用LTP处理的B16F10与未成熟的树突状细胞(dendritic cells, DC)DC2.4细胞系共培养,流式细胞术检测DC表面分子(CD80和CD86)。结果 与对照组相比,两种处理方式均能导致B16F10细胞活力下降,细胞凋亡率增加,细胞内活性氧(ROS)增多,CRT表达升高、ATP和HMGB1分泌含量增加(P<0.05)。在相同处理时间下,LTP直接处理的B16F10细胞CRT表达和ATP释放高于PAM处理(P<0.05)。与DC2.4组相比,DC细胞成熟标志分子CD80在LTP-120s组、LTP-180s组、PAM-120s组、PAM-180s组表达比例升高,DC细胞成熟标志分子CD86在LTP-120s组、LTP-180s组、PAM-180s组的表达比例升高,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论 LTP直接处理和PAM处理均可诱导黑色素瘤细胞发生ICD,LTP直接处理诱导效果更佳。 展开更多

关键词 低温等离子体(ltp) 免疫原性细胞死亡(ICD) 树突状细胞(DC)

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基于LTPS制程工艺的LCD/OLED显示用玻璃基板发展综述 被引量：14

4

作者 田英良 胡春明 +3 位作者 张广涛 王为 陈鑫鑫 李俊杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A02期73-79,共7页

随着显示行业高端消费品的发展要求,LTPS成为目前显示领域炙手可热的先进技术,但是由于国外技术封锁,国内全部依赖进口,因而我们必须自主研发,提升综合竞争力。本文基于平板显示最新发展动态和研发热点,综述了高分辨率LCD/OLED显示产品... 随着显示行业高端消费品的发展要求,LTPS成为目前显示领域炙手可热的先进技术,但是由于国外技术封锁,国内全部依赖进口,因而我们必须自主研发,提升综合竞争力。本文基于平板显示最新发展动态和研发热点,综述了高分辨率LCD/OLED显示产品所用LTPS制程工艺种类与特点,以及LTPS制程工艺对玻璃基板的理化性能要求,其中,玻璃基板耐热性、热膨胀系数、紫外透过率、弹性模量是十分关键的技术指标;论述了溢流法生产工艺和浮法生产工艺所生产的LTPS玻璃基板的优势与劣势;总结了美国和日本开发满足LTPS制程工艺的玻璃基板产品状况;讲述了我国尚未形成技术和产业突破,亟须加大对LTPS制程工艺的玻璃基板的研发投入和产业探索的现状。 展开更多

关键词 低温多晶硅(ltps) 液晶显示/有机发光显示(LCD/OLED) 玻璃基板 制程工艺 热学性能

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SiCl_4-H_2为气源低温制备多晶硅薄膜 被引量：7

5

作者 黄创君 林璇英 +3 位作者 林揆训 余云鹏 余楚迎 池凌飞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期650-652,共3页

以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素... 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜 SiCl4/H2气源 低温生长 结晶度

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多晶硅精炼提纯过程中铝硅合金的低温电解分离 被引量：3

6

作者 李佳艳 李超超 +1 位作者 李亚琼 谭毅 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1-5,11,共6页

选用AlCl3-NaCl-KCl作为电解液,铝硅合金作为阳极、不锈钢作为阴极,恒电流电解条件下实现了多晶硅精炼提纯中硅铝合金的低温分离。结合扫描电子显微镜、X射线衍射仪等检测手段,研究电解温度、电流密度、电解时间等实验参数对电流效率、... 选用AlCl3-NaCl-KCl作为电解液,铝硅合金作为阳极、不锈钢作为阴极,恒电流电解条件下实现了多晶硅精炼提纯中硅铝合金的低温分离。结合扫描电子显微镜、X射线衍射仪等检测手段,研究电解温度、电流密度、电解时间等实验参数对电流效率、沉积铝形貌的影响。研究结果表明:在电流密度为50mA/cm2,电解温度200℃,电解时间60min的条件下,Si-50%Al(质量分数,下同)阳极合金经阳极腐蚀后,阴极电极效率达到最大值93.7%,富硅阳极泥中含有90.4%的多晶硅。 展开更多

关键词 精炼 多晶硅 低温熔盐 铝 分离

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低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术 被引量：11

7

作者 王文 孟志国 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期662-666,共5页

使用金属镍诱导非晶硅晶化 (MIC :metal inducedcrystallization)技术 ,获得了低温 (<5 5 0℃ )多晶硅 .通常在镍覆盖区以外的晶化硅更加有用 ,这一技术被称为金属诱导横向晶化 (MILC :metal inducedlateralcrystallization)技术 .... 使用金属镍诱导非晶硅晶化 (MIC :metal inducedcrystallization)技术 ,获得了低温 (<5 5 0℃ )多晶硅 .通常在镍覆盖区以外的晶化硅更加有用 ,这一技术被称为金属诱导横向晶化 (MILC :metal inducedlateralcrystallization)技术 .通过对结晶动力学过程和材料特性的研究 ,提出了可同时适用于镍覆盖区和相连非覆盖区金属诱导结晶的同一晶化机制 .虽然MILC多晶硅的材料特性明显优于固相晶化多晶硅的材料特性 ,薄膜晶体管沟道中存在MIC/MILC的界面所形成的横向晶界会明显的降低其性能 .若将这些界面从沟道中去除掉 ,即可获得可满足液晶和有机发光二极管等显示器进行系统集成所需的高性能器件 . 展开更多

关键词 镍 金属诱导晶化 多晶硅 薄膜晶体管 显示器 低温电子技术

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PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究 被引量：9

8

作者 邱春文 石旺舟 黄羽中 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期201-204,共4页

在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成... 在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。 展开更多

关键词 PECVD法 多晶硅薄膜 低温沉积 太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积法

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磁控共溅射低温制备多晶硅薄膜及其特性研究 被引量：1

9

作者 段良飞 杨雯 +3 位作者 张力元 李学铭 陈小波 杨培志 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期635-639,共5页

多晶硅在光电子器件领域具有较为重要的用途。利用磁控溅射镀膜系统,通过共溅射技术在玻璃衬底上制备了非晶硅铝(α-Si/Al)复合膜,将Al原子团包覆在α-Si基质中,膜中的Al含量可通过Al和Si的溅射功率比来调节。复合膜于N2气氛中进行350℃... 多晶硅在光电子器件领域具有较为重要的用途。利用磁控溅射镀膜系统,通过共溅射技术在玻璃衬底上制备了非晶硅铝(α-Si/Al)复合膜,将Al原子团包覆在α-Si基质中,膜中的Al含量可通过Al和Si的溅射功率比来调节。复合膜于N2气氛中进行350℃,10min快速退火处理,制备出了多晶硅薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪和紫外-可见光-近红外分光光度计对多晶硅薄膜的性能进行表征,研究了Al含量对多晶硅薄膜性能的影响。结果表明:共溅射法制备的α-Si/Al复合膜在低温光热退火下晶化为晶粒分布均匀的多晶硅薄膜;随着膜中Al含量逐渐增加,多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸逐渐增加,带隙则逐渐降低;Al/Si溅射功率比为0.1时可获得纳米晶硅薄膜,Al/Si溅射功率比为0.3时得到晶化率较高的多晶硅薄膜,通过Al含量的调节可实现多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸及带隙的可控。 展开更多

关键词 共溅射 铝诱导晶化 低温退火 多晶硅 特性

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Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究 被引量：3

10

作者 刘传珍 杨伯梁 +6 位作者 李牧菊 吴渊 张玉 廖燕平 王大海 黄锡珉 邱法斌 《吉林大学自然科学学报》 CSCD 2000年第3期45-48,共4页

利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属

关键词 多晶硅薄膜 低温制备 退火 镍金属诱导晶化

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以SiF_4+H_2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜 被引量：1

11

作者 邱春文 石旺舟 黄翀 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期333-336,共4页

采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、高迁移率(～20cm2/vs),择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiH4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了将近10倍。通过本实验,我们认为在低... 采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、高迁移率(～20cm2/vs),择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiH4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了将近10倍。通过本实验,我们认为在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜 瞰 Ⅷ法 低温制备

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低温多晶硅薄膜的制备评述 被引量：3

12

作者 杨定宇 蒋孟衡 杨军 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期298-301,共4页

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以... 低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本。本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点。接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展。 展开更多

关键词 低温多晶硅薄膜 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 电感耦合等离子体化学气相沉积

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多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究 被引量：1

13

作者 黄流兴 魏同立 郑茳 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第5期545-549,共5页

本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂... 本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。 展开更多

关键词 双极晶体管 多晶硅发射极 低温频率

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低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型

14

作者 黄流兴 魏同立 郑茳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期103-105,共3页

本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析... 本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型，对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与３００Ｋ和７７Ｋ下的实测结果进行了比较。 展开更多

关键词 双极晶体管 多晶硅发射极 电流增益 截止频率 低温

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以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法

15

作者 邱春文 石旺舟 +1 位作者 王晓晶 周燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期361-365,共5页

本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜。第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质 ;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶。通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射 (XRD)谱分析 ,我们认为金属低温诱导结... 本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜。第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质 ;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶。通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射 (XRD)谱分析 ,我们认为金属低温诱导结晶成功与否跟诱导前薄膜的结构密切相关。采用该工艺成功地制备了结晶度 92 %左右、可应用于太阳能电池的高纯优质多晶硅薄膜。 展开更多

关键词 性价比 多晶硅带衬底 多晶硅薄膜 等离子体化学气相沉积法 二次引铝 低温制备 太阳能电池

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多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析

16

作者 吴金 魏同立 《应用科学学报》 CAS CSCD 1996年第3期325-331,共7页

对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用，建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型．该模型可适... 对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用，建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型．该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件，对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便，同时精度也较高，可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计． 展开更多

关键词 多晶硅发射区 低温 双极晶体管 电流输运模型

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柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性 被引量：2

17

作者 岳致富 吴勇 +3 位作者 李喜峰 杨祥 姜姝 许云龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1205-1209,共5页

研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm^2/(V·s)降到45.17 cm^2/(V·... 研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm^2/(V·s)降到45.17 cm^2/(V·s),开关比增大;在压缩弯曲状态下,转移特性曲线和平坦状态保持了非常好的一致性。在最小弯曲半径为3 mm时,进行了正负偏压稳定性测试,结果表明,器件依然具有很好的稳定性。 展开更多

关键词 柔性 低温多晶硅薄膜晶体管 低温多晶硅 弯曲 稳定性

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ECR-PECVD方法低温制备多晶硅薄膜 被引量：3

18

作者 冯庆浩 秦福文 +1 位作者 吴爱民 王阳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期342-345,共4页

采用ECR-PECVD低温沉积方法,以质量分数为5%的SiH4(配Ar气,SiH4:Ar=1:19)和H2为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以期寻找到适合大规模工业化生产的方法。当衬底温度为500℃时,即能沉积高质量的多晶硅薄膜。沉积... 采用ECR-PECVD低温沉积方法,以质量分数为5%的SiH4(配Ar气,SiH4:Ar=1:19)和H2为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以期寻找到适合大规模工业化生产的方法。当衬底温度为500℃时,即能沉积高质量的多晶硅薄膜。沉积前,H2等离子体的清洗时间和流量对多晶薄膜的质量有较大的影响。通过与其他反应气体相比较,我们制备的多晶硅薄膜不含杂质。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜 化学汽相淀积 低温

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SiCl_4/H_2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究 被引量：2

19

作者 刘丽娟 罗以琳 +1 位作者 黄锐 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期876-878,共3页

对用SiCl4／H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究。实验结果表明，多晶硅薄膜的暗电导强烈依赖于温度，在300～90K的温度范围内呈现不同的导电特性。对多晶硅薄膜，其导电... 对用SiCl4／H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究。实验结果表明，多晶硅薄膜的暗电导强烈依赖于温度，在300～90K的温度范围内呈现不同的导电特性。对多晶硅薄膜，其导电特性还与晶化率有关，晶化率越大电导率越大。测量数据表明，低晶化率薄膜电输运主要由电子热发射跃过势垒所贡献，但对于高晶化率的薄膜要同时考虑电子隧穿对电导的影响。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜 电导率 低温 晶化率

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用于平板显示LTPS制备的ELA光束整形系统 被引量：3

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作者 尹广玥 游利兵 方晓东 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期383-387,共5页

介绍了多晶硅薄膜较非晶硅薄膜在平板显示领域的优势以及准分子激光晶化制备多晶硅膜的结晶过程。介绍了透镜阵列实现匀光的原理。阐述了典型的准分子激光退火线型光束整形系统的扩束、匀光、投影等结构。并介绍了连续横向固化技术在准... 介绍了多晶硅薄膜较非晶硅薄膜在平板显示领域的优势以及准分子激光晶化制备多晶硅膜的结晶过程。介绍了透镜阵列实现匀光的原理。阐述了典型的准分子激光退火线型光束整形系统的扩束、匀光、投影等结构。并介绍了连续横向固化技术在准分子激光制备低温多晶硅领域的应用。讨论了准分子激光退火光学系统的发展现状,指出了其在平板显示行业的重要意义。 展开更多

关键词 激光技术 平板显示 准分子激光退火 低温多晶硅 光束整形 匀光

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