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单器件时钟负载限制竞争RAM锁存器设计(英文)
1
作者
贾嵩
刘黎
+3 位作者
李涛
李夏禹
王源
张钢刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期685-689,共5页
提出一种新型RAM锁存器,通过引入并行充电支路,可避免开关电流和充电速度之间的矛盾。与传统结构相比,新结构不仅能提高充电速度,而且能降低短路功耗。此外,新结构中时钟负载只有一个MOS管,能有效降低时钟功耗。Hspice仿真结果表明,新的...
提出一种新型RAM锁存器,通过引入并行充电支路,可避免开关电流和充电速度之间的矛盾。与传统结构相比,新结构不仅能提高充电速度,而且能降低短路功耗。此外,新结构中时钟负载只有一个MOS管,能有效降低时钟功耗。Hspice仿真结果表明,新的RAM n-锁存器和p-锁存器速度分别提高12.8%和25.5%,功耗延迟积分别降低19.8%和26.9%。
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关键词
RAM型锁存器
高速低功耗
低时钟负载
竞争约束
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职称材料
题名
单器件时钟负载限制竞争RAM锁存器设计(英文)
1
作者
贾嵩
刘黎
李涛
李夏禹
王源
张钢刚
机构
北京大学微纳电子学系、教育部微电子器件和电路重点实验室
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期685-689,共5页
文摘
提出一种新型RAM锁存器,通过引入并行充电支路,可避免开关电流和充电速度之间的矛盾。与传统结构相比,新结构不仅能提高充电速度,而且能降低短路功耗。此外,新结构中时钟负载只有一个MOS管,能有效降低时钟功耗。Hspice仿真结果表明,新的RAM n-锁存器和p-锁存器速度分别提高12.8%和25.5%,功耗延迟积分别降低19.8%和26.9%。
关键词
RAM型锁存器
高速低功耗
低时钟负载
竞争约束
Keywords
RAM-type latch
high-speed and low-power
low clock load
contention constrain
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
单器件时钟负载限制竞争RAM锁存器设计(英文)
贾嵩
刘黎
李涛
李夏禹
王源
张钢刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
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