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二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能
被引量：
2
1
作者
赵婷
坚佳莹
+3 位作者
董芃凡
冯浩
南亚新
常芳娥
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2021年第11期2020-2028,共9页
采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器(Cu/PMMA/SnS_(2)/Ag,PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯),对其阻变性能进行了研究。结果表明:Cu/PMMA/SnS_(2)/Ag阻变存储器的开关比约105,耐受性2.7...
采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器(Cu/PMMA/SnS_(2)/Ag,PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯),对其阻变性能进行了研究。结果表明:Cu/PMMA/SnS_(2)/Ag阻变存储器的开关比约105,耐受性2.7×10^(3)。在上述2项性能指标达到较优水平的同时,开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。
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关键词
阻变存储器
二硫化锡
低操作电压
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职称材料
题名
二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能
被引量：
2
1
作者
赵婷
坚佳莹
董芃凡
冯浩
南亚新
常芳娥
机构
西安工业大学材料与化工学院
西安工业大学电子信息工程学院
陕西省光电功能材料与器件重点实验室
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2021年第11期2020-2028,共9页
基金
国家自然科学基金(No.51971166)资助。
文摘
采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器(Cu/PMMA/SnS_(2)/Ag,PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯),对其阻变性能进行了研究。结果表明:Cu/PMMA/SnS_(2)/Ag阻变存储器的开关比约105,耐受性2.7×10^(3)。在上述2项性能指标达到较优水平的同时,开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。
关键词
阻变存储器
二硫化锡
低操作电压
Keywords
resistive random access memory
tin disulfide
low operating voltage
分类号
O614.43 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能
赵婷
坚佳莹
董芃凡
冯浩
南亚新
常芳娥
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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