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蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT
被引量：
1
1
作者
顾国栋
敦少博
+5 位作者
郭红雨
韩婷婷
吕元杰
房玉龙
张志荣
冯志红
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期433-437,共5页
研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3μm的增强型AlGaN/GaN HEMT。所制备的增强型器件的阈值电压为0.42 V,最大跨导为401 mS/mm,导...
研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3μm的增强型AlGaN/GaN HEMT。所制备的增强型器件的阈值电压为0.42 V,最大跨导为401 mS/mm,导通电阻为2.7Ω·mm。器件的电流增益截止频率和最高振荡频率分别为36.1和65.2 GHz。在10 GHz下进行微波测试,增强型AlGaN/GaN HEMT的最大输出功率密度达到5.76 W/mm,最大功率附加效率为49.1%。在同一材料上制备的耗尽型器件最大输出功率密度和最大功率附加效率分别为6.16 W/mm和50.2%。增强型器件的射频特性可与在同一晶圆上制备的耗尽型器件相比拟。
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关键词
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
增强型
低损伤刻蚀
栅凹槽
射频特性
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职称材料
题名
蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT
被引量：
1
1
作者
顾国栋
敦少博
郭红雨
韩婷婷
吕元杰
房玉龙
张志荣
冯志红
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期433-437,共5页
文摘
研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3μm的增强型AlGaN/GaN HEMT。所制备的增强型器件的阈值电压为0.42 V,最大跨导为401 mS/mm,导通电阻为2.7Ω·mm。器件的电流增益截止频率和最高振荡频率分别为36.1和65.2 GHz。在10 GHz下进行微波测试,增强型AlGaN/GaN HEMT的最大输出功率密度达到5.76 W/mm,最大功率附加效率为49.1%。在同一材料上制备的耗尽型器件最大输出功率密度和最大功率附加效率分别为6.16 W/mm和50.2%。增强型器件的射频特性可与在同一晶圆上制备的耗尽型器件相比拟。
关键词
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
增强型
低损伤刻蚀
栅凹槽
射频特性
Keywords
AlGaN/GaN HEMT
enhancement-mode
low damage etch
gate recess
RF characteristic
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT
顾国栋
敦少博
郭红雨
韩婷婷
吕元杰
房玉龙
张志荣
冯志红
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
1
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