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2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
1
作者
黄静
郭方敏
王志亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期1041-1043,共3页
对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、...
对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0.6μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求。
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关键词
InGaAs/InP雪崩光
电
二极管探测器
低噪声读出电路
电
容反馈互阻放大器
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职称材料
题名
2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
1
作者
黄静
郭方敏
王志亮
机构
华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室
南通大学电子信息学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期1041-1043,共3页
基金
科技部重大项目资助(2006CB932802)
南通大学自然科学项目资助(07Z039)
文摘
对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0.6μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求。
关键词
InGaAs/InP雪崩光
电
二极管探测器
低噪声读出电路
电
容反馈互阻放大器
Keywords
InGaAs/InP APD detector
low-noise ROIC
CTIA
分类号
TN312.7 [电子电信—物理电子学]
O431 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
黄静
郭方敏
王志亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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