基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计 被引量：4

1

作者 丁春宝 张万荣 +7 位作者 金冬月 谢红云 陈亮 沈佩 张东晖 刘波宇 周永强 郭振杰 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1070-1076,共7页

详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准... 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。 展开更多

关键词 低噪声放大器(LNA) SiGe异质结双极晶体管(HBT) 电阻反馈 线性度 共射-共基放大器

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SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造 被引量：4

2

作者 沈珮 张万荣 +1 位作者 金冬月 谢红云 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第8期2028-2032,共5页

该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺... 该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。 展开更多

关键词 硅锗异质结双极晶体管 低噪声放大器 单片集成 噪声系数

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TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用 被引量：2

3

作者 张伟 王玉东 +5 位作者 熊小义 许军 单一林 李希有 刘爱华 钱佩信 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期40-43,共4页

通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别... 通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大。 展开更多

关键词 锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声

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超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析 被引量：3

4

作者 沈珮 张万荣 +2 位作者 金冬月 谢红云 黄毅文 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期77-82,共6页

设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的... 设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。 展开更多

关键词 低噪声放大器(LNA) SIGE异质结双极晶体管 超宽带(UWB) 阻抗匹配 噪声系数

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一款JFET低噪声前置放大器的设计 被引量：4

5

作者 张晓飞 董浩斌 +1 位作者 鲁永康 吴鹏 《电声技术》 2009年第11期34-36,共3页

在对级联网络及结型场效应管的噪声分析基础上,采用结型场效应管等分立元件设计了一款低噪声前置放大器实用电路。并对其幅频特性、输入阻抗和等效输入噪声进行了测量,结果表明其输入阻抗高达71MΩ,等效输入噪声电压为0.7nV/((Hz)^(1/2... 在对级联网络及结型场效应管的噪声分析基础上,采用结型场效应管等分立元件设计了一款低噪声前置放大器实用电路。并对其幅频特性、输入阻抗和等效输入噪声进行了测量,结果表明其输入阻抗高达71MΩ,等效输入噪声电压为0.7nV/((Hz)^(1/2)),是一种适合于较高内阻传感器的较理想的低噪声前置放大器电路。 展开更多

关键词 结型场效应管 低噪声 前置放大器 较高内阻传感器

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Ka波段单片自偏压低噪声放大器 被引量：2

6

作者 高兴振 杨爽 孙晓玮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期289-292,共4页

本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放... 本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放大器在26~40GHz频段内增益为22±1dB,噪声优于3dB;在36GHz处噪声优于2.5dB。芯片尺寸为2.0mm×1.0mm×0.1mm。 展开更多

关键词 赝调制掺杂异质结场效应晶体管 KA波段 低噪声放大器 自偏压 单片微波集成电路

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SiGe HBT高增益宽带低噪声放大器设计 被引量：1

7

作者 李国军 徐永祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期259-262,296,共5页

基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通过调整不同的反馈电阻,同时实现了良好的端口匹配、低噪声系数和高增益等特性,适合于射频或中频信号处理... 基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通过调整不同的反馈电阻,同时实现了良好的端口匹配、低噪声系数和高增益等特性,适合于射频或中频信号处理系统。芯片采用板上芯片(COB)方式测试,结果表明:在10～800 MHz工作频带内,单片集成低噪声放大器的噪声系数为1.62～1.90 dB,增益35 dB,输入输出端口反射系数分别小于-16 dB和-13 dB,1 dB压缩点输出功率为13 dBm,工作电流35 mA。单片集成低噪声放大器的芯片面积仅为0.48 mm×0.38 mm。 展开更多

关键词 锗硅异质结双极晶体管(HBT) 高增益 宽带 低噪声放大器(LNA) 噪声系数(NF)

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一种低相位噪声的毫米波压控振荡器 被引量：2

8

作者 刘武广 王增双 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第9期686-689,743,共5页

基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点。振荡器中的谐振电路采用多级串联谐振,电感采用微带线的形式,提高了谐振器的品... 基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点。振荡器中的谐振电路采用多级串联谐振,电感采用微带线的形式,提高了谐振器的品质因数,进而降低了振荡器的相位噪声,且在谐振电路通过微带耦合方式实现了基频输出。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺对振荡器进行了设计和流片,芯片尺寸为1.8 mm×1.4 mm。在5 V工作电压和0~13 V调谐电压条件下,振荡器的输出频率为42.1~46.2 GHz,电流为120 mA,输出功率为1 dBm, 1/2次谐波抑制大于15 dB,相位噪声为-60 dBc/Hz@10 kHz、-85 dBc/Hz@100 kHz和-105 dBc/Hz@1 MHz。 展开更多

关键词 推推振荡器 低相位噪声 毫米波 异质结双极晶体管(HBT) 单片微波集成电路(MMIC)

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通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟

9

作者 文于华 范冰丰 +2 位作者 骆思伟 王钢 刘扬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期112-115,共4页

使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,... 使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能;当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。 展开更多

关键词 铝镓氮/氮化镓 异质结场效应管 ANSYS 通孔结构

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GaN HFET中的耦合沟道阱

10

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期169-173,共5页

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱,求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化,发现通过适当的能带剪裁可以使基态子带和激发态子带分别落在主阱和副阱中,从而显著降低了子带间的散射。使用这种新... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱,求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化,发现通过适当的能带剪裁可以使基态子带和激发态子带分别落在主阱和副阱中,从而显著降低了子带间的散射。使用这种新颖的耦合沟道阱完成了低噪声HFET的优化设计。 展开更多

关键词 耦合沟道阱 能带剪裁 子带间散射 低噪声氮化镓异质结场效应管 优化设计

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AlInN三明治势垒GaN HFET 被引量：1

11

作者 薛舫时 孔月婵 +3 位作者 董逊 周建军 李忠辉 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期421-428,472,共9页

介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流... 介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流和电流崩塌是阻碍器件性能提高和实际应用的主要瓶颈。利用AlInN/AlGaN异质界面的大能带带阶和强极化电荷来剪裁能带,设计出新的三明治势垒,满足内、外沟道和欧姆接触势垒的要求。可望消除上述瓶颈,使AlInN势垒GaN HFET付诸实用。 展开更多

关键词 铝铟氮/氮化镓异质结场效应管 铝铟氮三明治势垒 栅流 电流崩塌 二维异质结构

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GaN HFET中的陷阱和局域电子气 被引量：8

12

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期207-216,共10页

研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏... 研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰在其两侧产生巨大能带畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。运用这一局域电子气新概念解释了目前实验中观察到的各类陷阱实验,说明目前陷阱研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了从局域电子气研究来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。 展开更多

关键词 氮化镓异质结场效应管的陷阱 外沟道中的能带畸变 局域电子气 陷阱与局域电子气的相互作用 电流崩塌 可

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GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌 被引量：5

13

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期205-210,共6页

从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型。在器件射频工作中通过正常输运电子到慢电子的转换过程解释了射频电流崩塌行为... 从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型。在器件射频工作中通过正常输运电子到慢电子的转换过程解释了射频电流崩塌行为。沟道中的慢电子是产生射频电流崩塌的真正缘由。运用这一慢电子电流崩塌模型解释了目前用耗尽模型不能解释的大量实验结果。最后提出了通过异质结构优化设计来消除慢电子,解决电流崩塌难题的新途径。 展开更多

关键词 氮化镓异质结场效应管中的电流崩塌 沟道中的慢输运电子 电子输运过程中的状态转换 沟道强场峰的由来 射频电流崩塌

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AlGaN/GaN HFET的优化设计 被引量：3

14

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期163-169,共7页

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究了不同掺杂方式的掺杂效率。通过掺杂和势垒结构的优化设计,... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究了不同掺杂方式的掺杂效率。通过掺杂和势垒结构的优化设计,得出了用δ掺杂加薄AlN隔离层的结构,既提高了电子气浓度,又保持电子气的强二维特性。从电子气浓度和栅对电子气的控制力度出发,提出了HFET势垒优化设计中的电子气浓度与势垒层厚度乘积规则。依据二维表面态理论,研究了表面态随帽层掺杂结构的变化。从前述乘积规则和表面态变化出发进行了内、外沟道异质结构的优化设计。优化结构既提高了电子气浓度和跨导,降低了欧姆接触电阻,又抑制了电流崩塌。 展开更多

关键词 铝镓氮/氮化镓异质结场效应管 优化设计 势垒层掺杂效率 电子气浓度与势垒层厚度乘积 表面态 无电流崩塌设计

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THz InP HEMT和HBT技术的最新研究进展 被引量：6

15

作者 王淑华 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第6期381-387,421,共8页

概述了太赫兹（THz）InP技术的优势、应用前景及美国的发展规划。重点对国外THzInP高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）的技术进展和突破进行了详细阐述，其中国外HEMT和HBT器件的工作频率都达到了1THZ以上，国外报道... 概述了太赫兹（THz）InP技术的优势、应用前景及美国的发展规划。重点对国外THzInP高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）的技术进展和突破进行了详细阐述，其中国外HEMT和HBT器件的工作频率都达到了1THZ以上，国外报道的650GHz以上的InP太赫兹单片集成电路（TMIC）很多，包括低噪声放大器和功率放大器等，并且性能优异。介绍了我国THzInP技术的研究现状，国内InPHEMT和HBT器件的工作频率最高可达600GHz，电路的工作频率在300GHZ左右。最后，对国内外的最新技术水平进行了对比，并在对比的基础上针对存在的问题提出了我国在THzInP领域的发展建议。 展开更多

关键词 太赫兹(THz)技术 InP高电子迁移率晶体管(HEMT) InP异质结双极晶体管 (HBT) InP器件 低噪声放大器 功率放大器

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AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ) 被引量：1

16

作者 李效白 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-5,共5页

从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组... 从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系。揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌。指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走。 展开更多

关键词 铝镓氮/氮化镓 异质结场效应管 二维电子气 自发极化 压电极化 电流崩塌 陷阱效应

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GaN HFET的综合设计 被引量：1

17

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期473-479,共7页

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合起来实现二维异质结构。用AlGaN/AlInN复合势垒解决了AlInNHFET中的欧姆接触电阻大和沟道不易夹断两大难题。通过能带剪裁和二维异质结构设计完成了包含钝化、场板电极、挖槽、薄势垒欧姆接触、GaN帽层和AlN插入层等方案优点的新综合设计。 展开更多

关键词 氮化镓异质结场效应管 铝镓氮/铝铟氮复合势垒 能带剪裁 动态电流崩塌模型 二维异质结构 综合设计

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基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计

18

作者 李佳 张万荣 +3 位作者 谢红云 张蔚 沈珮 甘军宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期425-427,445,共4页

基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪... 基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真。最终在频率为5·2GHz下,LNA噪声系数F为1·5dB,增益S21达到12·6dB,输入、输出反射系数S11和S22较好,在工作频带内小于-10dB,LNA性能良好。 展开更多

关键词 硅锗异质结双极型晶体管 低噪声放大器 IEEE802.11A

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GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究

19

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期170-174,共5页

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的影响。通过势垒层和沟道结构的综合设计获得了在大栅压摆动下保持高跨导和线性的优化结构。提出了剪裁二维能带结构的新工艺方案。 展开更多

关键词 氮化镓 异质结场效应管 非线性 沟道电子态转移 电子波函数渗透 沟道电子布居率 能带剪裁

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复合沟道氟离子增强型AlGaN/GaN HEMT的研究 被引量：2

20

作者 蔡金勇 周琦 +6 位作者 罗小蓉 陈万军 范远航 熊佳云 魏杰 杨超 张波 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期409-414,共6页

提出一种复合沟道氟离子(F-)增强型AlGaN/GaN HEMT(Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT)新结构。该结构引入高、低浓度F-复合沟道,其中高浓度F-注入区位于沟道靠近源漏两端以调制阈值电压,获得增强型器件;低浓度F... 提出一种复合沟道氟离子(F-)增强型AlGaN/GaN HEMT(Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT)新结构。该结构引入高、低浓度F-复合沟道,其中高浓度F-注入区位于沟道靠近源漏两端以调制阈值电压,获得增强型器件;低浓度F-区位于沟道中部以调制肖特基栅电极的正向开启电压,增加器件承受的栅电压摆幅,但它对其下方二维电子气的耗尽作用很弱。同时,高浓度区只占栅长的40%,减轻高浓度F-对沟道的影响,提升器件的电流能力。利用Sentaurus软件仿真,结果显示,与传统F-增强型AlGaN/GaN HEMT相比,HCE-HEMT载流能力提高了40.3%,比导通电阻下降了23.3%,同时反向耐压仅下降了5.3%。 展开更多

关键词 氮化镓 异质结场效应管晶体管 增强型 复合沟道

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