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基于ADS的滤波低噪声放大器功能融合电路仿真设计教学案例
1
作者 蔡奇 谢清林 《实验室研究与探索》 北大核心 2025年第6期82-86,共5页
以低噪声放大器为切入点,基于先进设计系统,设计了融合滤波器功能的低噪声放大器。设计基于高增益、高线性度和低噪声E-pHEMT芯片,结合改良的切比雪夫带通架构,将抽象的射频理论融入具体电路设计实例。设计的低噪声放大器性能优越,噪声... 以低噪声放大器为切入点,基于先进设计系统,设计了融合滤波器功能的低噪声放大器。设计基于高增益、高线性度和低噪声E-pHEMT芯片,结合改良的切比雪夫带通架构,将抽象的射频理论融入具体电路设计实例。设计的低噪声放大器性能优越,噪声系数≤1 dB,带内增益高,在3~4 GHz范围内无条件稳定等特性,并兼具良好的带通滤波功能。这种基于实例的教学方式,有效解决传统教学中理论抽象、难以理解的问题,提升课堂互动性,促进学生实践应用与创新思维能力的培养。研究对完善课程教学体系具有理论支持和实践指导意义,为同类课程提供了从理论讲授到实践操作的完整教学路径,有力提升课程教学质量。 展开更多
关键词 功能融合电路 低噪声放大器 滤波器 教学方法
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面向Q/V波段卫星通信应用干扰抑制GaAs低噪声放大器
2
作者 李博 林峰 孙厚军 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期155-158,共4页
针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信... 针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信号的抑制,在每一段匹配网络的设计中引入了传输零点,通过多级具有滤波功能的匹配网络实现对干扰信号的强抑制。同时,为了增强电路输入输出回波损耗,在末级放大器中增加了负反馈结构,对电路噪声特性基本不产生影响。最终,对电路进行了电磁仿真,在37~52 GHz范围内实现了16.6~25.2 dB的增益和1.9~2.8 dB的噪声系数,同时在8~23 GHz范围内,实现了50~150 dB的干扰抑制。 展开更多
关键词 低噪声放大器 宽带 干扰抑制 砷化镓 Q/V波段
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S波段GaAs超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制 被引量：1
3
作者 舒畅 彭龙新 +2 位作者 李建平 贾晨阳 洪伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期85-89,共5页
本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低... 本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低噪声放大器芯片,实现了超低噪声与高耐功率的性能。测试结果表明,该款芯片在目前相近频段所有限幅低噪声放大器产品中噪声系数最小。在2.7 GHz~3.5 GHz工作频带内,实测噪声系数NF≤0.85 dB,增益≥29 dB,带内增益平坦度≤±0.3 dB,静态工作电流≤25 mA,1 dB压缩点输出功率≥8 dBm。在耐功率50 W(250μs脉宽、25%占空比)下试验30 min后不烧毁,恢复到常温时,噪声几乎无变化。芯片尺寸为3450μm×1600μm×100μm。 展开更多
关键词 限幅低噪声放大器 超低噪声 高耐功率 小型化
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基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器
4
作者 李泽坤 陈继新 +1 位作者 郑司斗 洪伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期187-191,共5页
本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现... 本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段
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一个2.4 GHz集成的SP3T射频开关和低噪声放大器
5
作者 马凯学 王德建 +1 位作者 傅海鹏 王科平 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期168-177,共10页
基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射... 基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射频开关的线性度.低噪声放大器采用了负反馈技术和导数叠加技术提高线性度,利用导数叠加技术减小低噪声放大器的三阶非线性,进一步提高了负反馈低噪声放大器的线性度.低噪声放大器与射频开关集成,并带有Bypass衰减通路.测试结果表明,射频开关的发射支路实现了0.95 dB的插入损耗和34 dBm的输入1 dB压缩点,蓝牙支路具有1.68 dB的插入损耗和30 dBm的输入1 dB压缩点.在2 V供电下,接收支路在高增益模式下具有15.8 dB的增益,1.7 dB的噪声系数和7.6 dBm的输入三阶交调点,功耗28.6 mW,在Bypass模式下具有7.2 dB的插入损耗和22 dBm的输入三阶交调点. 展开更多
关键词 无线局域网 低噪声放大器 射频开关 线性度
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2.4GHz0.25μmCMOS集成低噪声放大器的设计 被引量：5
6
作者 詹福春 王文骐 李长生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期81-85,共5页
采用TSMC 0.25mm CMOS工艺,设计了单端和差分两种工作在2.4GHz可应用于蓝牙的全集成低噪声放大器。详述了设计过程并给出了优化仿真结果。经比较得出,差分低噪声放大器为了取得和单端低噪声放大几乎同样的性能,要消耗双倍的功耗和面积,... 采用TSMC 0.25mm CMOS工艺,设计了单端和差分两种工作在2.4GHz可应用于蓝牙的全集成低噪声放大器。详述了设计过程并给出了优化仿真结果。经比较得出,差分低噪声放大器为了取得和单端低噪声放大几乎同样的性能,要消耗双倍的功耗和面积,但因其对共模信号干扰的免疫力以及对衬底耦合的抑制作用而越来越受到青睐。 展开更多
关键词 CMOS 单端低噪声放大器 差分低噪声放大器 射频集成电路 无线通信 射频接收机
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集成Si基低噪声放大器的注入损伤研究 被引量：14
7
作者 柴常春 张冰 +1 位作者 任兴荣 冷鹏 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期898-903,共6页
Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)... Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)分析和表面形貌(SEM)分析.SEM分析表明,不同能量作用下的样品其内部无源电阻和晶体管基极分别出现了异常,而对比正常和异常区域的EDS谱表明电极异常区域的组分有明显变化.ADS2004A的仿真结果表明,能量作用后电阻损伤阻值增大引起LNA噪声系数和增益特性退化.实验结果表明,LNA噪声系数NF对能量的作用更敏感,能量注入对NF的影响远强于其对增益的影响,噪声系数NF的变化应作为Si基LNA能量作用损伤的判据之一. 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 能量注入 损伤效应 无源电阻
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利用ADS软件设计X频段低噪声放大器 被引量：20
8
作者 唐海啸 张玉兴 +1 位作者 杨陈庆 杨玉梅 《电讯技术》 2006年第1期119-122,共4页
首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法，然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明，此放大器达到了预定的技术指标，性能良好。其... 首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法，然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明，此放大器达到了预定的技术指标，性能良好。其工作频段为8．6—9．5GHz，噪声系数≤1．8dB，增益为23dB，带内平坦度≤±0．5dB。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 增益 SMITH圆图 ADS仿真软件 优化
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2.9GHz0.35μm CMOS低噪声放大器 被引量：13
9
作者 陶蕤 王志功 +1 位作者 谢婷婷 陈海涛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1530-1532,共3页
随着特征尺寸的不断减小 ,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到 5 0GHz以上 ,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能 .越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0 3... 随着特征尺寸的不断减小 ,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到 5 0GHz以上 ,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能 .越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0 3 5 μmCMOS工艺实现的 2 9GHz单片低噪声放大器 .放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成 .在 3伏电源下 ,工作电流为 8mA ,功率增益大于 10dB ,输入反射小于 - 12dB . 展开更多
关键词 CMOS工艺 低噪声放大器 螺旋电感
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2-GHzCMOS射频低噪声放大器的设计与测试 被引量：11
10
作者 林敏 王海永 +1 位作者 李永明 陈弘毅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1278-1281,共4页
本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端（Front-end）的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好... 本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端（Front-end）的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合. 展开更多
关键词 CMOS射频集成电路 低噪声放大器 噪声 无线通信
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1.5-6GHz增益和噪声系数稳定的两级超宽带CMOS低噪声放大器设计与性能模拟 被引量：11
11
作者 何小威 李晋文 张民选 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1668-1672,共5页
针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm C... 针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm CMOS工艺实现后,版图后模拟结果表明在1.5-5GHz频率范围内功率增益(S21)为11.45±0.05dB,在2-6GHz频率范围内噪声系数(NF)为5.15±0.05dB,输入损耗(S11)小于-18dB.在5GHz时,模拟得到的三阶交调点(IIP3)为-7dBm,1dB压缩点为-5dBm.在1.8V电源电压下,LNA消耗6mA的电流,版图实现面积仅为0.62mm2. 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 噪声系数 宽带 CMOS
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低噪声放大器有意电磁干扰效应(英文) 被引量：5
12
作者 汪海洋 周翼鸿 +2 位作者 李家胤 许立刚 于秀云 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2865-2871,共7页
低噪声放大器(LNA)是高功率微波"前门"效应典型薄弱器件之一。通过SPICE效应电路建模、模拟计算和注入实验,研究了LNA在不同微波脉宽、功率参数下其增益压制效应规律。模拟结果与实验数据获得良好一致,表明基于SPICE电路模型... 低噪声放大器(LNA)是高功率微波"前门"效应典型薄弱器件之一。通过SPICE效应电路建模、模拟计算和注入实验,研究了LNA在不同微波脉宽、功率参数下其增益压制效应规律。模拟结果与实验数据获得良好一致,表明基于SPICE电路模型微波效应研究方法的有效性。研究表明,LNA增益压制脉宽随注入微波脉冲脉宽的增大具有饱和效应,该饱和值基本等于LNA直流偏置电路RC时间常数,并且出现饱和现象对应注入微波脉宽拐点约为150～250ns。最后,给出了LNA微波脉冲效应定性物理解释和机理探讨。 展开更多
关键词 低噪声放大器 有意电磁干扰 高功率微波 直接注入实验
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3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计 被引量：5
13
作者 丁春宝 张万荣 +5 位作者 谢红云 沈珮 陈亮 尤云霞 孙博韬 王任卿 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1162-1166,共5页
基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平... 基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为±0.9 dB.放大器的输入输出匹配良好,其回波损耗S11和S22均小于-10dB,输入与输出驻波比小于1.5,1 dB压缩点为-22.9 dBm.在整个频段内,放大器无条件稳定. 展开更多
关键词 低噪声放大器 SIGE异质结双极晶体管 达林顿对
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X波段低噪声放大器的设计与仿真 被引量：13
14
作者 潘安 成浩 葛俊祥 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2014年第1期66-70,共5页
文中提出了一种X波段雷达接收机前端低噪声放大器的设计,该放大器选用性价比较高的伪形态高电子迁移率晶体管ATF36077,两级放大器电路分别按照最佳噪声系数和高增益的要求进行网络匹配设计。在设计过程中,引入噪声量度概念对总体电路的... 文中提出了一种X波段雷达接收机前端低噪声放大器的设计,该放大器选用性价比较高的伪形态高电子迁移率晶体管ATF36077,两级放大器电路分别按照最佳噪声系数和高增益的要求进行网络匹配设计。在设计过程中,引入噪声量度概念对总体电路的指标进行衡量,利用商业软件ADS进行电路的仿真与优化设计。仿真结果表明,该低噪声放大器在9 310 MHz^9 510 MHz工作频段内,其噪声系数优于0.51 dB,增益大于20 dB,输出1 dB压缩点为12.8 dBm。绘制版图,通过合理布局,整体结构紧凑,尺寸仅为42 mm×30 mm,可应用于X波段船舶导航雷达接收机前端中。 展开更多
关键词 低噪声放大器 稳定性 阻抗匹配 噪声系数
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800MHzCMOS低噪声放大器的设计 被引量：5
15
作者 陈继新 洪伟 +2 位作者 严蘋蘋 殷晓星 程峰 《微波学报》 CSCD 北大核心 2005年第B04期107-111,共5页
本文采用0. 25μmCMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器。放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感。放大器的增益为16. 4dB、噪声系数小于1. 3dB、工作电压2. 5V时,功耗为35mW。测试结果达到了设计指标,一致性良好。
关键词 低噪声放大器 CMOS 噪声系数 增益 1dB压缩点
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2～4 GHz MMIC低噪声放大器 被引量：7
16
作者 孙艳玲 许春良 +1 位作者 樊渝 魏碧华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期733-736,共4页
采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMIC LNA）。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联... 采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMIC LNA）。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配。第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性。每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电。MMIC芯片测试结果为：工作频率为2~4 GHz,噪声系数小于1.0 dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 负反馈 宽带
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低功耗单片低噪声放大器芯片 被引量：5
17
作者 周守利 俞俊学 +1 位作者 陈伟 熊德平 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2016年第6期624-627,共4页
基于0.15μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯... 基于0.15μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动.供电电压为5V的条件下,芯片的工作带宽为19~24GHz,增益和噪声系数分别为（24.7±0.2）,（1.4±0.1）dB,电路总电流仅为5mA.芯片尺寸为2mm×1mm.与其他相同工作频率、使用传统技术的芯片相比,噪声系数和电路功耗方面具有明显的优势. 展开更多
关键词 低噪声放大器 电流复用 低功耗 有源偏置 鲁棒性
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S频段pHEMT双通道低噪声放大器芯片的设计 被引量：7
18
作者 徐鑫 张波 +1 位作者 徐辉 王毅 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第1期83-87,共5页
采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应... 采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。 展开更多
关键词 S频段 双通道 低噪声放大器 单刀双掷开关 共源共栅场效应管
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射频宽带低噪声放大器设计 被引量：14
19
作者 刘畅 梁晓新 阎跃鹏 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2009年第S1期196-202,共7页
介绍了射频宽带放大器的设计原理及流程。设计实现的射频宽带低噪声放大器,采用分立器件和微带线匹配,选用Agilent公司生产的低噪声增强赝配高电子迁移率晶体管ATF-551M4,用ADS软件进行设计、仿真和优化,实现了在1.1GHz～2.2GHz范围内,... 介绍了射频宽带放大器的设计原理及流程。设计实现的射频宽带低噪声放大器,采用分立器件和微带线匹配,选用Agilent公司生产的低噪声增强赝配高电子迁移率晶体管ATF-551M4,用ADS软件进行设计、仿真和优化,实现了在1.1GHz～2.2GHz范围内,增益24dB以上,噪声系数小于1.2dB的两级宽带低噪声放大器设计。由于设计频带覆盖了多个通信常用频点,因此决定此低噪声放大器的应用会十分广泛。最后利用ProtelDXP软件对电路进行了版图设计,并在FR4基板上实现了该设计,给出了实测结果。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 匹配
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0.5～3.3GHz超宽带低噪声放大器设计 被引量：5
20
作者 肖勇 樊勇 +1 位作者 闫鸿 刘柏江 《电讯技术》 北大核心 2009年第12期105-108,共4页
选用Agilent公司的PHEMT晶体管ATF-54143,基于负反馈技术,设计了一种超宽带低噪声放大器。其匹配网络是由微带与集总元件共同组成,使用ADS2009对整个电路进行优化设计。在0.5～3.3 GHz的超宽带频率范围内,低噪声放大器增益大于25 dB,增... 选用Agilent公司的PHEMT晶体管ATF-54143,基于负反馈技术,设计了一种超宽带低噪声放大器。其匹配网络是由微带与集总元件共同组成,使用ADS2009对整个电路进行优化设计。在0.5～3.3 GHz的超宽带频率范围内,低噪声放大器增益大于25 dB,增益不平坦度为1.5,噪声系数不大于2 dB。可用相对介电常数为9.2、厚度为1 mm的介质基板实现该放大器,可应用于各种微波通信领域。 展开更多
关键词 射频接收系统 低噪声放大器 超宽带 负反馈 优化设计
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