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题名适用于闪存的高速灵敏放大器
被引量：1
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作者
郭家荣
冉峰
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机构
上海电机学院电子信息学院
上海大学机电工程与自动化学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期570-574,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61376028)
上海市科委智能制造及先进材料领域资助项目(13111104600)
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文摘
提出了一种适用于闪存的高速灵敏放大器。该灵敏放大器删除了位线嵌位电路,直接使用1.2 V电源供电的预充电路预充选定单元的位线到1.2 V电压级,与传统的通过位线嵌位电路嵌位的位线电压（0.5~0.8 V）相比,不仅节省了位线电压的稳定时间,而且增强了读取单元的电流窗口,进而减少感应延迟。在位线多路选择器中使用低压p沟道型晶体管,避免了列译码器中电压级移位器的使用,结果增强了位线有效预充时间。采用90 nm闪存工艺设计,提出的灵敏放大器在2.5 V电源电压时的读取时间是11.2 ns,相对于传统的结构,单个灵敏放大器的读取速度被优化了约20%。
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关键词
闪存
灵敏放大器
电流模式
高速
低压pmos晶体管
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Keywords
flash memory
sense amplifier
current mode
high-speed
low-voltage pmos transistor
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
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