基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ...基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 .0 d B,线性功率 :P0 ≥ 1 0 m展开更多
TN248.4 2003010197激光二极管列阵侧面直接抽运方式的模拟计算和效果评估=Analog calculation and evaluation of LDA direct sidepumping[刊,中]/谌霖(中科院上海光机所.上海(201800)),侯霞…//光学学报.-2002,22(7).-825-828计算模...TN248.4 2003010197激光二极管列阵侧面直接抽运方式的模拟计算和效果评估=Analog calculation and evaluation of LDA direct sidepumping[刊,中]/谌霖(中科院上海光机所.上海(201800)),侯霞…//光学学报.-2002,22(7).-825-828计算模拟了激光二极管侧面直接抽运方式,讨论了抽运距离和介质吸收系数等参数对抽运均匀性的影响,并近似地给出定量结果。证明只要选取适当的抽运参数,采用侧面直接抽运方式也能获得较好的抽运性能和激光输出。图5表2参2(严寒)展开更多
文摘TN248.4 2003010197激光二极管列阵侧面直接抽运方式的模拟计算和效果评估=Analog calculation and evaluation of LDA direct sidepumping[刊,中]/谌霖(中科院上海光机所.上海(201800)),侯霞…//光学学报.-2002,22(7).-825-828计算模拟了激光二极管侧面直接抽运方式,讨论了抽运距离和介质吸收系数等参数对抽运均匀性的影响,并近似地给出定量结果。证明只要选取适当的抽运参数,采用侧面直接抽运方式也能获得较好的抽运性能和激光输出。图5表2参2(严寒)
