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低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析 被引量：3
1
作者 任爱光 任晓敏 +3 位作者 王琦 熊德平 黄辉 黄永清 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期662-665,共4页
本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在。
关键词 有机金属化学气相外延 SIMPLE算法 旋转垂直腔
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用金属有机化合物制备铁电薄膜：工艺及进展 被引量：4
2
作者 包定华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1994年第5期45-54,共10页
本文概述了以金属有机化合物为原料制备铁电薄膜的工艺过程、特点，以及最新研究进展；着重介绍了金属有机物化学气相沉积，金属有机物热分解，以及溶胶一凝胶三种制备技术在铁电薄膜制备领域中的应用。
关键词 金属有机化合物 铁电薄膜 化学气相沉积
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国产金属有机化合物TMGa、TMAl、TMIn和TMSb的MOVPE鉴定
3
作者 陆大成 汪度 +2 位作者 刘祥林 王晓晖 董建荣 《高技术通讯》 CAS CSCD 1994年第8期5-9,共5页
利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧ... 利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。 展开更多
关键词 金属有机物 气相外延 量子阱 晶格
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金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征(英文)
4
作者 黎大兵 董逊 +2 位作者 刘祥林 王晓晖 王占国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期539-544,共6页
在不同的生长温度和载气的条件下 ,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜 ,通过能量色散谱 (EDS) ,高分辨X射线衍射 (HRXRD)和光致发光谱 (PL)对样品进行表征与分析 ,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的... 在不同的生长温度和载气的条件下 ,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜 ,通过能量色散谱 (EDS) ,高分辨X射线衍射 (HRXRD)和光致发光谱 (PL)对样品进行表征与分析 ,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响。发现当以氮气做载气时 ,样品的发光很弱并且在 5 5 0nm附近存在一个很宽的深能级发光峰 ;当采用氮气和氢气的混合气做载气时 ,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高。以混合气做载气 ,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低 ,而薄膜的结构和光学性能却提高。结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数 :即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在 85 0℃到 870℃。 展开更多
关键词 低压金属有机物气相外延方法 InAlGaN薄膜 能量色散谱 高分辨X射线衍射 光致发光谱 生长工艺 氮气
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MOCVD载气流量对GaN外延生长的影响
5
作者 李亚洲 马占红 +4 位作者 姚威振 杨少延 刘祥林 李成明 王占国 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期979-985,共7页
本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在6英寸Si(111)衬底上外延生长了GaN薄膜,通过椭圆偏振光谱仪、高分辨X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜及透射电子显微镜等测试分析手段表征了GaN薄膜的微观结构、表面形貌及晶体质... 本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在6英寸Si(111)衬底上外延生长了GaN薄膜,通过椭圆偏振光谱仪、高分辨X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜及透射电子显微镜等测试分析手段表征了GaN薄膜的微观结构、表面形貌及晶体质量,研究了GaN薄膜生长时的H_(2)载气流量变化对GaN生长均匀性及晶体质量的影响。结果表明,随着H_(2)载气流量的增加,前驱体能够更快地到达衬底表面参与表面反应,从而提高了GaN的生长速率;然而过大的H_(2)载气流量会导致部分混合气体参与GaN生长的时间过短。在H_(2)载气流量为39 slm(标准升每分钟)时,GaN生长速率达到了饱和。提高H_(2)载气流量会导致Ga原子迁移率的增加,然而,当H_(2)载气流量增加到48 slm时,Ga原子迁移率的增加不再带来更平整的表面。AlGaN缓冲层具有V型坑结构形貌,大多数位错在AlGaN缓冲层弯曲、湮灭,并停止向GaN层延伸,这导致GaN生长经历类似横向外延过生长的过程,在一定程度上提高了GaN的晶体质量。 展开更多
关键词 氮化镓 载气流量 SI(111)衬底 金属有机化学气相沉积 异质外延 薄膜
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常压有机金属气相外延GaAs的选择生长
6
作者 师庆华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第4期32-33,共2页
用 TMG,AsH<sub>3</sub>和 AsCl<sub>3</sub>作气体源实现了常压有机金属气相外延 GaAs 的完全选择外延。在650—750℃的生长了温度观察下选择能力。Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>或 W... 用 TMG,AsH<sub>3</sub>和 AsCl<sub>3</sub>作气体源实现了常压有机金属气相外延 GaAs 的完全选择外延。在650—750℃的生长了温度观察下选择能力。Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>或 W 膜上多晶沉积的屏蔽层是由膜上的 HCl 吸收引起的,从而避免了GaAs 的成核现象。在窗口部分,生长速率可以通过控制 TMG/AsCl<sub>3</sub> 展开更多
关键词 气相外延 有机金属 成核现象 选择外延 选择能力 体源 屏蔽层 掩膜 分子束外延 扩散长度
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衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga_(2)O_(3)薄膜性质的影响研究
7
作者 韩宇 焦腾 +6 位作者 于含 赛青林 陈端阳 李震 李轶涵 张钊 董鑫 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期438-444,I0003,共8页
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在Fe掺杂的(001)、(010)和(201)晶面的氧化镓(Ga_(2)O_(3))衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜的同质外延生长,系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研... 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在Fe掺杂的(001)、(010)和(201)晶面的氧化镓(Ga_(2)O_(3))衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜的同质外延生长,系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研究结果表明,同质外延生长的n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜样品均表现出与衬底一致的晶面取向,且双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)均很小,具有较高的晶体质量;各薄膜的表面粗糙度较低,基本呈现台阶流的生长特征;不同晶面衬底上薄膜同质生长速度存在较大差异,其中(001)晶面衬底上薄膜的生长速度较快,可达1μm/h以上。在(010)晶面衬底上生长的n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜,其载流子浓度与迁移率最高,在器件的制备中更具潜力。该项研究将为Ga_(2)O_(3)基器件制备提供有力的数据支撑。 展开更多
关键词 氧化镓 金属有机化学气相沉积 同质外延 掺杂 迁移率 生长速率
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双生长腔互联MOCVD外延生长氧化镓异质结构及其紫外光电探测器件的研究
8
作者 王月飞 高冲 +2 位作者 吴哲 李炳生 刘益春 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期426-437,共12页
本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进... 本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进行了表征;同时也利用光电测试系统对氧化镓平面和异质结型器件的紫外光电探测性能进行了研究。结果显示,AlN缓冲层的引入可以降低薄膜与衬底之间的晶格失配,有效提高了不同衬底外延氧化镓薄膜的结晶质量。利用双腔优势,分别在蓝宝石、p-Si(111)衬底上引入AlN缓冲层,获得具有(201)优选取向的高结晶质量的β-Ga_(2)O_(3)薄膜,显著提升了异质结日盲紫外光电探测器的器件性能。此外,还将β-Ga_(2)O_(3)与p型GaN结合制备了pn异质结构,研究了不同氧化层厚度对异质结光电探测性能的影响,最终制备了氧化镓基高性能紫外光电探测器件。 展开更多
关键词 氧化镓 宽禁带半导体 金属有机化学气相沉积 外延生长 异质结 紫外光电探测
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化学气相沉积法制备Ta_2O_5薄膜的研究进展 被引量：6
9
作者 闫志巧 熊翔 +1 位作者 肖鹏 黄伯云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期511-514,共4页
Ta2O5是重要的介电材料和光波导材料。从前驱体的选择方面综述了化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜的研究进展,说明了五卤化钽和Ta金属有机化合物对CVD过程的影响,对这两类前驱体的优缺点进行了比较和评述,讨论了Ta2O5的生成机理,并对其发展... Ta2O5是重要的介电材料和光波导材料。从前驱体的选择方面综述了化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜的研究进展,说明了五卤化钽和Ta金属有机化合物对CVD过程的影响,对这两类前驱体的优缺点进行了比较和评述,讨论了Ta2O5的生成机理,并对其发展方向作了简要的展望。 展开更多
关键词 化学气相沉积 TA2O5 薄膜 五卤化钽 金属有机化合物
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生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响 被引量：3
10
作者 汪韬 李宝霞 +2 位作者 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1479-1482,共4页
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴... 采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关 ,而且与GaAs单晶外延生长参量有关 展开更多
关键词 生长速率 低压MOCVD 外延生长 异质结 液相金属氧化物化学汽相沉积 GAAS/GE 反向畴 砷化镓 锗 半导体 太阳电池
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大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究
11
作者 李传皓 李忠辉 +3 位作者 彭大青 张东国 杨乾坤 罗伟科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第2期252-257,共6页
本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力... 本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力及电学性能等之间的关联。提出了一种基于AlN/AlGaN复合成核技术的应力调控方案,首次实现了大尺寸范德瓦耳斯(vdW)异质外延材料应力的有效管控,研制的GaN微波材料的弯曲度(Bow)为+20.4μm,(002)/(102)面半峰全宽为471.6/933.5 arcsec,表面均方根粗糙度为0.52 nm,电子迁移率达到2000 cm^(2)/(V·s)。最后,基于机械剥离实现了大尺寸晶圆级GaN微波材料与蓝宝石衬底的分离,为高导热衬底转移提供便利,为大功率射频器件的制作创造条件。 展开更多
关键词 范德瓦耳斯异质外延 金属有机化学气相沉积 GaN微波材料 少层BN 应力调控
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Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长
12
作者 严飞 郑有炓 +5 位作者 陈平 孙澜 顾书林 朱顺明 李雪飞 韩平 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第11期65-66,11,共3页
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (X... 研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM )等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分、晶体结构及其表面形貌。AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比 ,XRD结果显示了3C SiC外延薄膜的良好晶体结构 ,AFM揭示了 3C SiC薄膜的良好的表面形貌。 展开更多
关键词 SI(111)衬底 3C-SIC 超低压低温外延生长 碳化硅 异质外延生长 低压化学气相淀积 半导体材料
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激光化学气相沉积法制备铜膜的性能与形态分析
13
作者 茅敦民 连志睿 +1 位作者 金忠 秦启宗 《量子电子学》 CSCD 1995年第2期169-173,共5页
本文对以二（乙酸丙酮根）合铜（Ⅱ）和二（三甲基乙酰三氟代丙酮根）合铜（Ⅱ）为母体的化合物，用１０．６μｍ和２８０ｎｍ激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪、扫描电子显微镜和四探针法进行了分析，观察到紫外激光... 本文对以二（乙酸丙酮根）合铜（Ⅱ）和二（三甲基乙酰三氟代丙酮根）合铜（Ⅱ）为母体的化合物，用１０．６μｍ和２８０ｎｍ激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪、扫描电子显微镜和四探针法进行了分析，观察到紫外激光生成铜膜中具有环状周期性图案的现象。 展开更多
关键词 激光 化学气相沉积 铜膜 金属有机化合物
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LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究
14
作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期45-48,共4页
分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程 ,给出了In并入外延层的效率表达式 .依据该表达式 ,解释了生长速率、生长温度及生长压力等生长参数对LP_MOCVD生长InGaAlP外延层中In组分的影响 .
关键词 低压金属有机化合物气相外延 并入效率 In组分 LP-MOCVD INGAALP
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MOCVD侧向外延GaN的结构特性 被引量：2
15
作者 方慧智 陆敏 +4 位作者 陈志忠 陆羽 胡晓东 杨志坚 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期748-752,共5页
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三... 侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高。 展开更多
关键词 侧向外延 金属有机化学气相沉积 氮化镓 原子力显微镜 拉曼散射
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LP-MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析 被引量：1
16
作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期175-178,共4页
本文分析了低压转盘ＭＯＣＶＤ生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温（７００℃左右）下生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，抑制Ｉｎ组分脱吸附的“动压力模型”．解释了托盘转速和生长压力等生长参数对Ｉｎ组分控制的影响．
关键词 低压有机金属化学气相外延 INGAALP 铟组分 控制 外延层生长 动力学分析
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GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱外延结构及其LP-MOCVD生长工艺研究 被引量：2
17
作者 胡伟 曾庆高 +1 位作者 叶嗣荣 杨立峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期15-22,共8页
在低压金属有机化学气相沉积生长工艺中,对用于制作850nm垂直腔面发射激光器件的GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱外延结构的生长温度、反应室压力、总载气流量以及生长速度等主要工艺参量进行优化,并进行了完整外延结构的生长.实验结果表明... 在低压金属有机化学气相沉积生长工艺中,对用于制作850nm垂直腔面发射激光器件的GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱外延结构的生长温度、反应室压力、总载气流量以及生长速度等主要工艺参量进行优化,并进行了完整外延结构的生长.实验结果表明:在700℃条件下,得到多种组分的GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱结构,通过光致发光谱对比测试得到的最佳组分x为0.24,同时得到良好的表面形貌,最终确定的最佳生长速度为0.34~0.511nm/s. 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 生长温度 多量子阱 生长速度 外延结构
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氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延 被引量：5
18
作者 沈波 杨学林 许福军 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期1953-1969,共17页
以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由... 以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升。本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展。最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望。 展开更多
关键词 氮化镓 氮化铝 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大失配异质外延 宽禁带半导体
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用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料 被引量：3
19
作者 黄子乾 李肖 +1 位作者 潘彬 张岚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期433-435,共3页
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高... 采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。 展开更多
关键词 金属有机化合物气相淀积 GaInP/GaAs双结叠层太阳电池 隧穿结 掺杂技术
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侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文) 被引量：1
20
作者 杨志坚 胡晓东 +12 位作者 章蓓 陆敏 陆羽 潘尧波 张振声 任谦 徐军 李忠辉 陈志忠 秦志新 于彤军 童玉珍 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期72-76,共5页
在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生... 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。 展开更多
关键词 氮化镓 侧向外延生长 金属有机化学气相沉积
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