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掺Y对二氧化钛低压压敏陶瓷性能的影响 被引量:5
1
作者 苏文斌 王矜奉 +2 位作者 李长鹏 陈洪存 李明明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第5期402-404,408,共4页
通过对样品密度、介电常数、I- V特性及晶界势垒特性的测定和分析 ,研究掺 Y对 (Y ,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏 -电容性能的影响。掺入 x(Y2 O3) 0 .6 0 %的样品显示出最高的非线性常数 (α=7.86 )以及最高的相对介电常数 (εr=8.5 4... 通过对样品密度、介电常数、I- V特性及晶界势垒特性的测定和分析 ,研究掺 Y对 (Y ,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏 -电容性能的影响。掺入 x(Y2 O3) 0 .6 0 %的样品显示出最高的非线性常数 (α=7.86 )以及最高的相对介电常数 (εr=8.5 4× 10 4)和样品密度 (可达理论密度的 98.8% ) ,与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致 ,是一种较为理想的压敏 -电容陶瓷。提出了 Ti O2 · Y2 O3· Nb2 展开更多
关键词 二氧化钛 电学性能 频谱 掺杂 低压压敏陶瓷
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用于集成电路低压压敏陶瓷材料的研究 被引量:1
2
作者 朱传琴 张录周 范坤泰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期603-606,共4页
介绍了低压压敏陶瓷的导电机理、研究途径,实验并分析了掺入TiO2、籽晶和稳定剂Ta2O5对材料性能的影响及作用原理,做出了适合集成电路用的低压压敏陶瓷材料。
关键词 低压压敏陶瓷 晶粒 晶界 富铋相
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掺杂TiO_2制备低压ZnO压敏陶瓷 被引量:2
3
作者 郭会明 梅来宝 朱凤英 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第1期59-62,共4页
主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1mA,但掺入量超过一定值后一方面会生成阻止晶粒继续生长的晶界反应层,促使压敏电压又有所升高,另一方面会... 主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1mA,但掺入量超过一定值后一方面会生成阻止晶粒继续生长的晶界反应层,促使压敏电压又有所升高,另一方面会生成钛酸铋立方相而引起富铋晶界相含量的减少,导致非线性特性下降。提高烧成温度可以促进晶粒生长,降低压敏电压,但温度过高时由于铋的挥发加剧,利用提高烧成温度降低压敏电压会引起非线性特性和漏流等性能的劣化。 展开更多
关键词 TIO2 ZNO 制备 低压压敏陶瓷 压敏电压 非线性特性 二氧化钛 氧化锌陶瓷
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