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题名掺Y对二氧化钛低压压敏陶瓷性能的影响
被引量:5
- 1
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作者
苏文斌
王矜奉
李长鹏
陈洪存
李明明
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机构
山东大学物理系
济南大学物理系
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2001年第5期402-404,408,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目 ( 5 0 0 72 0 13)
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文摘
通过对样品密度、介电常数、I- V特性及晶界势垒特性的测定和分析 ,研究掺 Y对 (Y ,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏 -电容性能的影响。掺入 x(Y2 O3) 0 .6 0 %的样品显示出最高的非线性常数 (α=7.86 )以及最高的相对介电常数 (εr=8.5 4× 10 4)和样品密度 (可达理论密度的 98.8% ) ,与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致 ,是一种较为理想的压敏 -电容陶瓷。提出了 Ti O2 · Y2 O3· Nb2
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关键词
二氧化钛
电学性能
频谱
掺杂
低压压敏陶瓷
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Keywords
varistors
defect barrier model
titania
yttrium oxide
electrical properties
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分类号
TM282
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名用于集成电路低压压敏陶瓷材料的研究
被引量:1
- 2
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作者
朱传琴
张录周
范坤泰
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机构
山东电力高等专科学校
山东沂光电子公司
山东大学信息科学与工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第8期603-606,共4页
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文摘
介绍了低压压敏陶瓷的导电机理、研究途径,实验并分析了掺入TiO2、籽晶和稳定剂Ta2O5对材料性能的影响及作用原理,做出了适合集成电路用的低压压敏陶瓷材料。
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关键词
低压压敏陶瓷
晶粒
晶界
富铋相
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Keywords
low voltage varister ceramic
grain: crystal interlayer
rich Bi layer
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分类号
TN379
[电子电信—物理电子学]
TN304.82
[电子电信—物理电子学]
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题名掺杂TiO_2制备低压ZnO压敏陶瓷
被引量:2
- 3
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作者
郭会明
梅来宝
朱凤英
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机构
南京工业大学理学院
南京工业大学制药与生命科学学院
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出处
《南京工业大学学报(自然科学版)》
CAS
2003年第1期59-62,共4页
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文摘
主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1mA,但掺入量超过一定值后一方面会生成阻止晶粒继续生长的晶界反应层,促使压敏电压又有所升高,另一方面会生成钛酸铋立方相而引起富铋晶界相含量的减少,导致非线性特性下降。提高烧成温度可以促进晶粒生长,降低压敏电压,但温度过高时由于铋的挥发加剧,利用提高烧成温度降低压敏电压会引起非线性特性和漏流等性能的劣化。
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关键词
TIO2
ZNO
制备
低压压敏陶瓷
压敏电压
非线性特性
二氧化钛
氧化锌陶瓷
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Keywords
low voltage varistor ceramics
varistor voltage
nonlinearity
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分类号
TM283
[一般工业技术—材料科学与工程]
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