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光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究
被引量：
1
1
作者
戴显英
胡辉勇
+1 位作者
张鹤鸣
孙建诚
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期509-512,共4页
介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (Si...
介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)材料 实验表明 。
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关键词
紫外光
化学
汽
相
淀
积
超高真空
化学
汽
相
淀
积
超
低压化学汽相淀积
异质结
硅锗材料
双极晶体管
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职称材料
利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性
被引量：
3
2
作者
陶凯
郭国超
+2 位作者
孔蔚然
韩瑞津
邹世昌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期29-31,共3页
利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜...
利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路。
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关键词
现场蒸
汽
生成退火
低压化学汽相淀积
隧穿氧化层
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职称材料
题名
光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究
被引量：
1
1
作者
戴显英
胡辉勇
张鹤鸣
孙建诚
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期509-512,共4页
文摘
介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)材料 实验表明 。
关键词
紫外光
化学
汽
相
淀
积
超高真空
化学
汽
相
淀
积
超
低压化学汽相淀积
异质结
硅锗材料
双极晶体管
Keywords
UHV(Ultra High Vacuum)
UV(Ultraviolet)
CVD(Chemical Vapor Deposition)
SiGe HBT
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性
被引量：
3
2
作者
陶凯
郭国超
孔蔚然
韩瑞津
邹世昌
机构
上海宏力半导体制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期29-31,共3页
文摘
利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路。
关键词
现场蒸
汽
生成退火
低压化学汽相淀积
隧穿氧化层
Keywords
ISSG annealing
LPCVD
tunnel oxide
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究
戴显英
胡辉勇
张鹤鸣
孙建诚
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
在线阅读
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职称材料
2
利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性
陶凯
郭国超
孔蔚然
韩瑞津
邹世昌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
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职称材料
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