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化学气相沉积铝化物涂层组织结构及形成机制
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作者 孟国辉 齐浩雄 +6 位作者 杜撰 刘梅军 杨冠军 吴勇 孙清云 夏思瑶 董雪 《中国材料进展》 北大核心 2025年第3期275-281,共7页
提高铝化物涂层抗高温氧化和耐热腐蚀性能的关键在于明确铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。采用化学气相沉积法在镍基高温合金Mar-M-247表面制备了铝化物涂层。结合材料热力学模拟软件JMatPro和扫描电子显微镜表征并分析了铝化物涂... 提高铝化物涂层抗高温氧化和耐热腐蚀性能的关键在于明确铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。采用化学气相沉积法在镍基高温合金Mar-M-247表面制备了铝化物涂层。结合材料热力学模拟软件JMatPro和扫描电子显微镜表征并分析了铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。结果表明,Mar-M-247高温合金表面生成的铝化物涂层具有双层结构,外层由单一的β-NiAl相组成,内层主要由β-NiAl相、σ相和μ相组成。铝化物涂层的外层β-NiAl相是Mar-M-247高温合金大量Ni元素外扩散至合金表面,与环境中的Al元素反应生成的。从而使得高温合金中的γ-Ni相和γ′-Ni_(3)Al相含量减少。当Ni元素的体积分数分别降低至55%,52%和38%时,高温合金中顺序析出μ相、β-NiAl相和σ相。最终,当高温合金中Ni元素的体积分数降低至32%时,高温合金完全转变为由β-NiAl相、σ相、μ相和少量碳化物相MC组成的铝化物内层。 展开更多
关键词 镍基高温合金 化学沉积 铝化物涂层 微观组织结构 热力学
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化学气相沉积制备硫化零价铁及其活化过硫酸盐降解硫化矿捕收剂
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作者 廖子维 李其治 +3 位作者 廖婷 李新伟 陈江安 余文 《有色金属(选矿部分)》 2025年第4期88-95,共8页
浮选药剂作为选矿废水中有机污染物的主要来源,其中的大部分硫化矿捕收剂难以自然降解,而残留的选矿药剂将导致废水无法直接排放或是回用。硫化零价铁作为近年来环境领域的热点材料,可有效活化过硫酸盐(PS)降解废水中的有机污染物。以硫... 浮选药剂作为选矿废水中有机污染物的主要来源,其中的大部分硫化矿捕收剂难以自然降解,而残留的选矿药剂将导致废水无法直接排放或是回用。硫化零价铁作为近年来环境领域的热点材料,可有效活化过硫酸盐(PS)降解废水中的有机污染物。以硫磺(S)和微米零价铁粉(mZVI)为原料,利用化学气相沉积法制备硫化微米零价铁(S-mZVI^(CVD)),并将其应用于活化过硫酸盐(PS)降解选矿废水中的常见硫化矿捕收剂。以乙硫氨酯(Z-200)为模型污染物,系统研究了反应条件对S-mZVI^(CVD)/PS体系降解Z-200的影响。试验结果表明,在溶液温度为30℃、溶液初始pH为7.8、S-mZVI^(CVD)用量为0.025 g/L、PS用量为1.5 mmol/L、Z-200初始浓度100 mg/L的条件下,反应40 min后Z-200降解率达到91.62%。此外,S-mZVI^(CVD)/PS体系对其他硫化矿捕收剂丁铵黑药和乙硫氮也有良好的降解效果。为深入探究S-mZVI^(CVD)的结构和性能,利用傅里叶红外光谱和SEM-EDS对S-mZVI^(CVD)进行表征,结果表明S-mZVI^(CVD)表面存在Fe_(1-x)S,Fe和S在S-mZVI^(CVD)表面均匀分布,相比mZVI,硫化后S-mZVI^(CVD)更为粗糙,局部区域疏松多孔,比表面积显著增大。紫外全谱分析表明反应后Z-200分子结构受到明显破坏,S-mZVI^(CVD)/PS体系能够实现对Z-200的有效降解。本文为硫化零价铁的高效率、低成本制备提供了一种新的方法,同时为硫化矿捕收剂的高效降解提供了一种新的技术思路。 展开更多
关键词 化学沉积 硫化零价铁 过硫酸盐 硫化矿捕收剂
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化学气相沉积工艺的设备优化分析
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作者 魏宇浩 《集成电路应用》 2025年第1期69-71,共3页
阐述化学气相沉积(CVD)生产加工设备的优化与改进,提升薄膜制备的效率与质量。通过系统分析化学气相沉积加工流程,包括反应物传输、产物生成、附着与扩散等关键环节,揭示出薄膜质量的主要影响因素。针对现有设备的不足,提出温度、压力... 阐述化学气相沉积(CVD)生产加工设备的优化与改进,提升薄膜制备的效率与质量。通过系统分析化学气相沉积加工流程,包括反应物传输、产物生成、附着与扩散等关键环节,揭示出薄膜质量的主要影响因素。针对现有设备的不足,提出温度、压力、基材、气体流速和流量、反应器设计等多方面的优化措施。同时,强调环境控制、设备升级与维护以及信息化管理系统在提升生产效率与产品质量中的作用。通过实施这些改进措施,能够提高CVD加工设备的性能和稳定性,满足半导体器件中薄膜质量的严格要求。 展开更多
关键词 集成电路制造 化学沉积 生产加工设备 工艺优化改进 薄膜沉积
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低压化学气相沉积MoSi_2涂层微观结构及氧化性能 被引量:5
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作者 吴恒 李贺军 +3 位作者 王永杰 付前刚 魏建锋 王海鹏 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期26-30,共5页
为了防止Mo合金的高温氧化,本研究采用低压化学气相沉积技术在Mo合金表面制备MoSi2抗氧化涂层,借助X射线衍射仪、扫描电镜及能谱仪等分析手段,对涂层的微观结构进行了研究,测试了涂层的抗氧化和抗热震性.结果表明:MoSi2涂层结构致密,仅... 为了防止Mo合金的高温氧化,本研究采用低压化学气相沉积技术在Mo合金表面制备MoSi2抗氧化涂层,借助X射线衍射仪、扫描电镜及能谱仪等分析手段,对涂层的微观结构进行了研究,测试了涂层的抗氧化和抗热震性.结果表明:MoSi2涂层结构致密,仅有少量微裂纹存在,表现出良好的抗热震和抗氧化性能;经20次1300℃-室温循环热震实验后,涂层未出现开裂与脱落现象;涂层试样在1300℃氧化气氛下氧化180 h,失重率小于0.83%,分析揭示了涂层试样氧化失重的主要原因为氧扩散通过涂层与Mo基体发生反应,生成极易挥发的MoO、MoO2、MoO3,氧在涂层中的扩散速率决定了涂层的失重速率. 展开更多
关键词 低压化学沉积 MoSi2涂层 微观结构 抗氧化
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化学气相沉积HfO_(2)涂层的制备及性能
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作者 何锐朋 朱利安 +4 位作者 王震 叶益聪 李顺 唐宇 白书欣 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期67-75,共9页
采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结... 采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结果表明:HfO_(2)涂层与基体结合良好,在经历25~2000℃,100次循环热震后涂层表面未出现宏观剥落;划痕法测定的涂层附着力约23 N;在2.5~5μm波段,涂层表面平均发射率为0.48,将Mo在该波段的平均发射率提高了近5倍。 展开更多
关键词 化学沉积 氧化铪涂层 热力学计算 发射率 抗热震性
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稀释气体流量对低压化学气相沉积硼掺碳涂层的影响 被引量:1
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作者 涂建勇 刘永胜 +4 位作者 成来飞 张立同 杨文彬 徐永东 张伟华 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期397-402,共6页
以BCl3-C3H6-H2为气相反应体系,采用低压化学气相沉积制备硼掺碳涂层。研究了Ar气稀释流量对硼掺碳涂层沉积速度、形貌、组成和键合状态的影响。结果表明,不同稀释气体流量作用下,硼掺碳的沉积速度没有明显变化,产物形貌由致密向层状转... 以BCl3-C3H6-H2为气相反应体系,采用低压化学气相沉积制备硼掺碳涂层。研究了Ar气稀释流量对硼掺碳涂层沉积速度、形貌、组成和键合状态的影响。结果表明,不同稀释气体流量作用下,硼掺碳的沉积速度没有明显变化,产物形貌由致密向层状转变,硼元素含量稍有减少而碳元素含量稍有增加。沉积产物中B元素的键合方式以B-sub-C和BC2O为主。结合化学反应和气体扩散,探讨了稀释气体的作用机制,表明PyC形成反应的主导作用导致稀释气体流量对沉积速度作用不明显,而BCl3和C3H6在Ar气中扩散系数的差异导致产物形貌和组成发生变化。 展开更多
关键词 硼掺碳涂层 化学沉积(CVD) 稀释 形貌组成
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机器学习在化学气相沉积中的应用研究进展
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作者 谢炜 明帅强 +1 位作者 夏洋 周兰江 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期331-339,共9页
化学气相沉积技术是一种近几十年发展起来的制备无机材料的化工技术。随着机器学习技术的发展,其在化学气相沉积领域也发挥着不小的作用。基于此,本文概述了化学气相沉积的原理与机器学习的发展历程,分析了机器学习在化学气相沉积中的... 化学气相沉积技术是一种近几十年发展起来的制备无机材料的化工技术。随着机器学习技术的发展,其在化学气相沉积领域也发挥着不小的作用。基于此,本文概述了化学气相沉积的原理与机器学习的发展历程,分析了机器学习在化学气相沉积中的典型应用,总结并分析了未来应用的发展趋势。 展开更多
关键词 化学沉积 无机材料 薄膜 机器学习
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低对称性二维层状过渡金属硫族化合物合金及异质结的化学气相沉积法制备研究进展 被引量:1
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作者 邢欢欢 胡萍 +3 位作者 罗政 毛丽秋 盛丽萍 王珊珊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期56-68,共13页
低对称性二维过渡金属硫族化合物(TMDs)合金及异质结是一类面外为层状结构、面内对称元素少的功能纳米材料。它不仅表现出丰富可调的电子能带结构,且在光学、电学、力学等方面显示出独特的各向异性物理特性,因而在偏振光探测器、各向异... 低对称性二维过渡金属硫族化合物(TMDs)合金及异质结是一类面外为层状结构、面内对称元素少的功能纳米材料。它不仅表现出丰富可调的电子能带结构,且在光学、电学、力学等方面显示出独特的各向异性物理特性,因而在偏振光探测器、各向异性逻辑电路、触觉传感器等领域具有广阔应用前景。低对称性二维TMDs合金及异质结的可控制备是发挥其优异性能、保障其潜在应用的前提。本文首先按照元素种类的不同从二维铼(Re)基低对称合金和二维碲(Te)基低对称合金两方面对低对称性二维TMDs合金的化学气相沉积法制备进行归纳。然后,按照异质结构的不同从垂直异质结和水平异质结两方面梳理了低对称性二维TMDs异质结制备的最新进展。最后,对该领域现阶段存在的问题及挑战进行了总结与展望。 展开更多
关键词 低对称性 二维 合金 异质结 化学沉积
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铜箔衬底对化学气相沉积法制备石墨烯的影响 被引量:1
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作者 王云鹏 刘宇宁 +3 位作者 王同波 张嘉凝 莫永达 娄花芬 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期173-177,共5页
化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下... 化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下两类铜箔对生长石墨烯的影响。研究表明,电解铜箔的表面粗糙度在预处理与退火后均大于压延铜箔。压延铜箔由于经历变形,退火处理后晶粒尺寸为37μm,Cu(111)面比例约40%,电解铜箔退火后晶粒尺寸约为24μm,Cu(111)面比例约为28%,压延铜箔优于电解铜箔。CVD制备石墨烯后发现压延铜箔上生长的石墨烯岛的面积大于电解铜箔,石墨烯缺陷要少于电解铜箔,即相同制备条件与相同厚度下压延铜箔上制备的石墨烯质量优于电解铜箔上制备的石墨烯。 展开更多
关键词 电解铜箔 压延铜箔 化学沉积 石墨烯
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化学气相沉积合成纯单层石墨烯的技术综述
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作者 徐洋健 肖润涵 +1 位作者 王浩敏 于广辉 《固体电子学研究与进展》 2024年第6期568-575,共8页
石墨烯的各种优异性能使其在半导体领域中具有广阔的应用前景,同时其单原子层的特殊结构使得石墨烯的层数对其各种特性有着显著的影响。因此,高质量和层数可控的石墨烯薄膜的规模化稳定制备是实现其在微电子、光学和传感器等领域中各种... 石墨烯的各种优异性能使其在半导体领域中具有广阔的应用前景,同时其单原子层的特殊结构使得石墨烯的层数对其各种特性有着显著的影响。因此,高质量和层数可控的石墨烯薄膜的规模化稳定制备是实现其在微电子、光学和传感器等领域中各种关键器件应用的基础。目前,在众多的石墨烯制备方法中,大尺寸、高质量石墨烯薄膜制备的最主要手段是化学气相沉积法。本文综述了近年来利用化学气相沉积法合成纯单层石墨烯连续薄膜的相关研究进展,针对纯单层石墨烯薄膜的制备,分别从碳源供应、生长气氛、衬底工程等角度出发,对纯单层石墨烯生长控制机理与生长工艺进行了介绍,并对各种方法生长的石墨烯晶体质量、层数均匀性进行了说明,最后对该领域的发展进行了展望。 展开更多
关键词 单层石墨烯 化学沉积 层数控制
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化学气相沉积法制备高氮掺杂碳纳米笼的电容去离子性能
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作者 薛玉红 伊尔夏提·地力夏提 +6 位作者 古丽格娜·皮达买买提 白翔 伏桂仪 魏贤勇 何晓燕 赵红光 王艳丽 《洁净煤技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期78-86,共9页
电容去离子(CDI)是一种基于电场力驱动的快速去除水中带电离子的新型脱盐技术,在盐水预富集和降低零排能耗方面极具潜力。但目前CDI技术受限于多孔碳电极低电吸附活性及不可控的孔结构分布导致脱盐容量和电荷效率较低,限制其进一步应用... 电容去离子(CDI)是一种基于电场力驱动的快速去除水中带电离子的新型脱盐技术,在盐水预富集和降低零排能耗方面极具潜力。但目前CDI技术受限于多孔碳电极低电吸附活性及不可控的孔结构分布导致脱盐容量和电荷效率较低,限制其进一步应用。为此,以吡啶在为碳源、碱式碳酸镁为模板剂通过化学气相沉法,构建了高活性表面、结构可控的N掺杂碳纳米笼状结构(N-CNC),探究其脱盐性能。通过精准控制载气与吡啶进入量,制备的N-CNC是由3~5层石墨化碳层层堆叠的空心长方体形貌,且外壁平均壁厚在1~2 nm,其中N质量分数高达4.2%。得益于这种优异的孔隙结构分布和丰富的表面化学性质,N-CNC展现出以赝电容贡献为主的电化学行为。组装N-CNC//N-CNC对称模块,采用单通道脱盐模式脱盐测试,结果表明,盐吸附量和电荷效率分别为21.8 mg/g和82%,能耗低至0.71 Wh/g。进一步使用自组装CDI模块处理煤化工高盐水,在1.2 V吸附电压下获得Cl^(-)、SO_(4)^(2-)和NO_(3)^(-)电吸附脱盐容量分别为33.4、20.5和8.9 mg/g,其中Cl-/SO_(4)^(2-)选择性比高达5.1。本研究提供了一种简便可控的N掺杂碳纳米笼状结构制备方法,为CDI浓缩工业卤水预富集应用提供理论和技术支撑。 展开更多
关键词 吡啶 化学沉积 碳纳米笼 电容脱盐 吸附量 煤化工废水
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液态前驱体化学气相沉积法生长单层二硒化钨
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作者 安博星 王雅洁 +1 位作者 肖永厚 楚飞鸿 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期50-55,共6页
化学气相沉积(CVD)是实现二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs)制备的简单有效方法。晶核位置的随机分布和生长可控性差是当前实现大面积高质量制备TMDs的一项巨大挑战。本工作以单层二硒化钨的生长为例,采用液态前驱体并调控其浓度使微量... 化学气相沉积(CVD)是实现二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs)制备的简单有效方法。晶核位置的随机分布和生长可控性差是当前实现大面积高质量制备TMDs的一项巨大挑战。本工作以单层二硒化钨的生长为例,采用液态前驱体并调控其浓度使微量金属前驱体高度均匀地分散在生长衬底表面,可有效诱导低过饱和度,从而降低成核密度,最终得到组分分布均匀、高质量的单层二硒化钨。这种液态前驱体化学气相沉积技术可以推广到其他2D材料的生长,为大面积、均匀的高质量2D材料的生长提供了一种更有效的方式。 展开更多
关键词 液态前驱体 化学沉积 可控生长 二硒化钨
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赵培教授团队:紧焦化学气相沉积技术,开启薄膜材料创新之门
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《武汉工程大学学报》 CAS 2024年第4期F0002-F0002,共1页
赵培,教授,博士生导师,楚天学子/工大学者特聘教授、“湖北省杰出青年科学基金”及“武汉市青年科技晨光计划”人才基金项目获得者;2021年被评为武汉工程大学材料学科带头人;主要从事化学气相沉积法制备各种结构及功能薄膜/涂层的技术... 赵培,教授,博士生导师,楚天学子/工大学者特聘教授、“湖北省杰出青年科学基金”及“武汉市青年科技晨光计划”人才基金项目获得者;2021年被评为武汉工程大学材料学科带头人;主要从事化学气相沉积法制备各种结构及功能薄膜/涂层的技术和设备开发研究。 展开更多
关键词 学科带头人 基金项目 武汉工程大学 化学沉积技术 薄膜材料 化学沉积 博士生导师 创新之门
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化学气相沉积法在锂离子电池硅/碳负极中的应用
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作者 成业 郭纵 +2 位作者 郑朝振 刘朋远 王舒玮 《矿冶》 CAS 2024年第5期729-737,共9页
在众多锂离子电池负极材料中,硅由于其超高的理论容量(4200 mA·h·g^(-1)),被认为是下一代高能量密度电池最有前途的负极材料。然而,硅基材料在循环中较大的体积效应,限制了其电化学性能的发挥,并极大地阻碍了其实际应用。研... 在众多锂离子电池负极材料中,硅由于其超高的理论容量(4200 mA·h·g^(-1)),被认为是下一代高能量密度电池最有前途的负极材料。然而,硅基材料在循环中较大的体积效应,限制了其电化学性能的发挥,并极大地阻碍了其实际应用。研究表明,硅/碳复合负极材料能够有效缓解硅的体积膨胀,提升导电性,从而提高硅基负极的稳定性和电池的循环寿命。然而,实现高稳定性的批量生产仍然是一个巨大的挑战。由于化学气相沉积法(CVD)可以实现高质量沉积,且工艺简单,因此在制备硅/碳负极材料中得到广泛应用。从沉积硅、沉积碳和沉积硅/碳三个方面展开综述了化学气相沉积法在锂离子电池硅/碳负极中的应用,重点介绍了其设计策略和电池性能。最后,给出了硅基负极的发展趋势和应用前景。 展开更多
关键词 硅/碳负极 化学沉积 锂离子电池 硅基负极 化学性能 负极材料
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纳米硅薄膜的低压化学气相沉积和电学性能研究 被引量:4
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作者 瞿浩明 沈鸽 张溪文 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第3期88-91,共4页
利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜。不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明 ,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加 ,相应的电导激活能降低。热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的... 利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜。不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明 ,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加 ,相应的电导激活能降低。热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能。原位后续热处理研究表明 ,延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率。 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 暗电导率 化学沉积 电学性能 半导体薄膜
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化学气相沉积法制取异型钨制品研究 被引量:26
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作者 马捷 张好东 +2 位作者 毕安园 王从曾 周美玲 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期315-319,共5页
采用化学气相沉积的方法,以WF6和H2为原料,通过气相反应成功地沉积出多种异型致密钨制品.实验结果表明:沉积层显微组织呈柱晶沿(200)晶面择向生长,具有高纯度(〉99.8%),高致密度(〉19.2 g/cm^3),沉积速度可达2~3 mm/h. 采用化... 采用化学气相沉积的方法,以WF6和H2为原料,通过气相反应成功地沉积出多种异型致密钨制品.实验结果表明:沉积层显微组织呈柱晶沿(200)晶面择向生长,具有高纯度(〉99.8%),高致密度(〉19.2 g/cm^3),沉积速度可达2~3 mm/h. 采用化学气相沉积法制备钨制品,设备简单,工艺稳定可靠,且制品质量较高,特别适合于异型制品的制备,是一种具有广泛应用前景的钨制品制备方法. 展开更多
关键词 材料合成与加工工艺 化学沉积 工艺
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三维还原炉内多晶硅化学气相沉积的数值模拟 被引量:15
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作者 张攀 王伟文 +2 位作者 范军领 陈光辉 李建隆 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期511-516,共6页
建立描述SiHCl3—H2系统中混合气体的动量、热量和质量同时传递,且耦合气体反应、表面反应的模型,研究利用计算流体力学CFD(Computational Fluid Mechanics)软件Fluent6.2结合物质传递和反应模型,数值模拟三维还原炉内物质分布规律、热... 建立描述SiHCl3—H2系统中混合气体的动量、热量和质量同时传递,且耦合气体反应、表面反应的模型,研究利用计算流体力学CFD(Computational Fluid Mechanics)软件Fluent6.2结合物质传递和反应模型,数值模拟三维还原炉内物质分布规律、热传递现象和多晶硅的沉积特性。计算结果表明,随气体流量、硅棒表面温度和操作压力的增加,硅沉积速率增长。理论研究结果对优化现有12对棒还原炉工艺参数和设计新型、大直径还原炉具有理论指导意义。 展开更多
关键词 化学沉积 数值模拟 还原炉 多晶硅
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化学气相沉积法制备ZnO纳米结构薄膜及其SERS活性研究 被引量:20
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作者 阮伟东 王春旭 +2 位作者 纪楠 徐蔚青 赵冰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期768-770,共3页
Zinc oxide nanostructure thin films were prepared on quartz slides via chemical vapour deposition(CVD). Various nanostructures such as nanorod, nanowires and surface-rough nanocubes, could be obtained under carefully ... Zinc oxide nanostructure thin films were prepared on quartz slides via chemical vapour deposition(CVD). Various nanostructures such as nanorod, nanowires and surface-rough nanocubes, could be obtained under carefully tuning experimental conditions. The surface-enhanced Raman scattering(SERS) character of these films was investigated by using 4-mercaptopyridine(4-MPY) as the probing molecule. 展开更多
关键词 化学沉积 表面增强拉曼散射 氧化锌
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沉积位置对化学气相沉积SiC涂层微观组织的影响 被引量:8
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作者 付前刚 李贺军 +2 位作者 史小红 李克智 黄剑锋 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期49-52,共4页
利用化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并借助扫描电子显微镜和X射线衍射等手段对不同位置沉积产物的微观形貌、相组成以及厚度进行了测试.推导出了沉积位置与反应气源过饱和度的定性关系,分析了反应气源过饱和度对SiC涂... 利用化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并借助扫描电子显微镜和X射线衍射等手段对不同位置沉积产物的微观形貌、相组成以及厚度进行了测试.推导出了沉积位置与反应气源过饱和度的定性关系,分析了反应气源过饱和度对SiC涂层形貌、晶粒尺寸以及涂层厚度的影响.研究结果表明:沿着沉积炉内气体流动的方向,反应气源的过饱和度逐渐降低,沉积所得β SiC涂层形貌由颗粒状向须状转变,晶粒尺寸与涂层厚度逐渐减小. 展开更多
关键词 沉积位置 化学沉积 SIC涂层 微观组织
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石墨烯的化学气相沉积法制备及其表征 被引量:25
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作者 邹鹏 石文荣 +1 位作者 杨书华 黄德欢 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期264-267,共4页
石墨烯是由sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体,其具有电学、力学和光学等方面一系列优良性能,使得它在各个领域的应用一直被人们所关注。然而,石墨烯的工业化制备仍然面临着巨大的挑战。本文采用化学气... 石墨烯是由sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体,其具有电学、力学和光学等方面一系列优良性能,使得它在各个领域的应用一直被人们所关注。然而,石墨烯的工业化制备仍然面临着巨大的挑战。本文采用化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯,并用拉曼光谱、高分辨率扫描电镜和X射线多晶衍射对其进行了分析和表征。研究结果表明,用CVD法制备石墨烯具有工业化的可能。 展开更多
关键词 石墨烯 化学沉积法(CVD) 制备 表征
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