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激光退火对硅中离子注入杂质B、P、As分布影响的理论计算
被引量：
1
1
作者
田人和
贺凯芬
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1981年第4期39-46,共8页
一、引言离子注入半导体的激光退火问题,目前已进行过很多研究,退火机理已基本研究清楚。在脉冲或高功率激光照射下,样品表面层要发生熔化,退火是“液相外延”过程,而在连续波或低功率激光照射下,样品表面层并不熔化,退火是“固相生长...
一、引言离子注入半导体的激光退火问题,目前已进行过很多研究,退火机理已基本研究清楚。在脉冲或高功率激光照射下,样品表面层要发生熔化,退火是“液相外延”过程,而在连续波或低功率激光照射下,样品表面层并不熔化,退火是“固相生长”过程。因此激光退火有熔化和固相生长两种机制。
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关键词
激光
退火
AS
液相外延
低功率激光照射
表面层
离子注入
激光
能量密度
连续波
高
功率
激光
分凝系数
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职称材料
题名
激光退火对硅中离子注入杂质B、P、As分布影响的理论计算
被引量：
1
1
作者
田人和
贺凯芬
机构
低能核物理研究所理论组
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1981年第4期39-46,共8页
文摘
一、引言离子注入半导体的激光退火问题,目前已进行过很多研究,退火机理已基本研究清楚。在脉冲或高功率激光照射下,样品表面层要发生熔化,退火是“液相外延”过程,而在连续波或低功率激光照射下,样品表面层并不熔化,退火是“固相生长”过程。因此激光退火有熔化和固相生长两种机制。
关键词
激光
退火
AS
液相外延
低功率激光照射
表面层
离子注入
激光
能量密度
连续波
高
功率
激光
分凝系数
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
激光退火对硅中离子注入杂质B、P、As分布影响的理论计算
田人和
贺凯芬
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1981
1
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