PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 被引量：4

1

作者 高博 刘刚 +4 位作者 王立新 韩郑生 余学峰 任迪远 孙静 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期848-853,共6页

为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明... 为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 展开更多

关键词 PMOSFET 退火效应 低剂量率辐射损伤增强效应

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双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法 被引量：13

2

作者 陆妩 任迪远 +3 位作者 郑玉展 王义元 郭旗 余学峰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期769-775,共7页

介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒... 介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒高温辐照法的总剂量评估范围明显增大,还可作为快速鉴别器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的有效实验方法。 展开更多

关键词 双极运算放大器 60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强效应 加速评估方法

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低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究 被引量：4

3

作者 姚志斌 陈伟 +6 位作者 何宝平 马武英 盛江坤 刘敏波 王祖军 金军山 张帅 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1144-1152,共9页

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。 展开更多

关键词 低剂量率辐照损伤增强效应 数值仿真 总剂量效应 高温辐照 加速试验

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双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤 被引量：10

4

作者 陈盘训 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期333-337,共5页

综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚氧化物，低剂量率... 综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚氧化物，低剂量率电离辐射在氧化物内产生电荷的传输时间有时要达到数百秒。 展开更多

关键词 线性 集成电路 低剂量率 辐射 增强损伤

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空间低剂量率辐射诱导电荷效应评估技术研究 被引量：2

5

作者 何宝平 王桂珍 +2 位作者 龚建成 周辉 郭红霞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期275-278,共4页

　介绍了LC4007RHA和LC4007RHB两种器件空间低剂量率辐射诱导电荷效应评估情况,研究结果表明:在MIL STD883C测试方法1019.4的基础上,60Co辐照加25℃室温退火,可以提供对空间氧化物陷阱电荷效应相对于1019.4不太保守的估计;另外,就美军标... 　介绍了LC4007RHA和LC4007RHB两种器件空间低剂量率辐射诱导电荷效应评估情况,研究结果表明:在MIL STD883C测试方法1019.4的基础上,60Co辐照加25℃室温退火,可以提供对空间氧化物陷阱电荷效应相对于1019.4不太保守的估计;另外,就美军标1019.4测试方法中利用100℃168h高温加速"反弹"实验来检验空间环境中与界面态相关的失效可能出现的现象进行了讨论。 展开更多

关键词 辐射诱导 评估技术 MOS器件 低剂量率 电荷效应 反弹现象 空间环境

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双极型器件的总剂量辐射效应与损伤机理 被引量：1

6

作者 张婷 刘远 +3 位作者 李斌 恩云飞 何玉娟 杨元政 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1557-1562,共6页

随着空间技术的发展,双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。从钝化层辐射损伤机理出发,介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的产生机理与计算模型,结合基极电流模型探讨双极型器件与电路的总剂量辐射效应,并针对双极型器件的低剂... 随着空间技术的发展,双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。从钝化层辐射损伤机理出发,介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的产生机理与计算模型,结合基极电流模型探讨双极型器件与电路的总剂量辐射效应,并针对双极型器件的低剂量率辐射损伤机理与模型展开讨论。 展开更多

关键词 双极型器件 总剂量辐射效应 低剂量率

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不同^(60)Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应 被引量：4

7

作者 王义元 陆妩 +4 位作者 任迪远 郑玉展 高博 李鹏伟 于跃 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期951-955,共5页

为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在60Co γ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明:D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;在低剂... 为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在60Co γ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明:D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下,各参数变化显著,电路功能出现异常,表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后,结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。 展开更多

关键词 双极数模转换器 剂量率 电离效应 低剂量率损伤增强效应

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剂量率对MOS器件总剂量辐射性能的影响 被引量：10

8

作者 朱小锋 周开明 徐曦 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期322-325,共4页

对3种MOS器件在不同模拟源的两种辐照剂量率下进行辐照实验,研究了MOSFET阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化关系。对实验结果进行了分析讨论。试验表明:在相同辐射剂量下,低剂量率辐照损伤比高剂量率大。

关键词 MOS器件 辐射性能 总剂量 MOSFET 辐射剂量 辐照剂量率 辐照实验 变化关系 阈值电压 分析讨论 辐照损伤 低剂量率 模拟源

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^(60)Coγ射线不同剂量对小麦鄂恩4号的辐射效应 被引量：7

9

作者 余泽高 张宗华 《湖北农业科学》 北大核心 2004年第1期31-33,共3页

以不同剂量的60 Coγ射线照射小麦鄂恩 4号干种子 ,测定了不同剂量对小麦M1代的影响。结果表明 ,在 2 5 0～ 4 0 0Gy范围内 ,随着剂量的增加 ,小麦种子的出苗率、成株率降低 ,不育率升高 ,株高、每穗小穗总数、每穗结实小穗数、每穗粒... 以不同剂量的60 Coγ射线照射小麦鄂恩 4号干种子 ,测定了不同剂量对小麦M1代的影响。结果表明 ,在 2 5 0～ 4 0 0Gy范围内 ,随着剂量的增加 ,小麦种子的出苗率、成株率降低 ,不育率升高 ,株高、每穗小穗总数、每穗结实小穗数、每穗粒数减少 ,千粒重降低。株高及穗部性状的辐射损伤效应顺序为 :千粒重>每穗粒数 >株高 >每穗结实小穗数 >每穗小穗总数。 展开更多

关键词 ^60Coγ射线 剂量 小麦 鄂恩4号 辐射效应 出苗率 成株率 不育率 辐射损伤

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光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应 被引量：1

10

作者 黄绍艳 刘敏波 +5 位作者 姚志斌 盛江坤 肖志刚 何宝平 王祖军 唐本奇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期241-245,共5页

开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情... 开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下,通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试,以及耦合介质传输损耗特性的分析,证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。 展开更多

关键词 光电耦合器 γ总剂量 低剂量率辐照损伤增强

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“Radiation Hormesis”中的剂量率效应 被引量：6

11

作者 苏旭 刘树铮 +2 位作者 相泽志郎 大山ハルシ 山田武 《白求恩医科大学学报》 CSCD 1997年第6期582-584,共3页

为了揭示不同剂量率Ｘ射线低剂量全身照射对低剂量辐射兴奋效应（ＲａｄｉａｔｉｏｎＨｏｒｍｅｓｉｓ）的影响，采用不同剂量率（１２．７ｍＧｙ／ｍｉｎ和０．２Ｇｙ／ｍｉｎ）对Ｂａｌｂ／ｃ小鼠进行低剂量全身照射，研究了低剂量辐... 为了揭示不同剂量率Ｘ射线低剂量全身照射对低剂量辐射兴奋效应（ＲａｄｉａｔｉｏｎＨｏｒｍｅｓｉｓ）的影响，采用不同剂量率（１２．７ｍＧｙ／ｍｉｎ和０．２Ｇｙ／ｍｉｎ）对Ｂａｌｂ／ｃ小鼠进行低剂量全身照射，研究了低剂量辐射兴奋效应中的剂量率效应。结果表明：采用不同剂量率Ｘ射线照射同一剂量时，所引起的生物效应不同。剂量率为１２．７ｍＧｙ／ｍｉｎ时，脾细胞３Ｈ－ＴｄＲ参入量对ＣｏｎＡ的反应性明显增强，尤其以７６．７ｍＧｙ和１０５．５ｍＧｙ照射组最为显著（Ｐ＜０．０１），表现出明显的辐射免疫兴奋效应。而剂量率为０．２Ｇｙ／ｍｉｎ时，在１０５．５ｍＧｙ以内，脾细胞３Ｈ－ＴｄＲ参入量对ＣｏｎＡ的反应性无明显变化。该结果提示：高剂量率低剂量全身照射不能引起低剂量辐射兴奋效应。 展开更多

关键词 剂量率 低剂量辐射 免疫兴奋效应

全文增补中

电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

12

作者 武大猷 文林 +6 位作者 汪朝敏 何承发 郭旗 李豫东 曾俊哲 汪波 刘元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期711-719,共9页

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压... 对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 暗信号 低剂量率损伤增强效应 暗场像素统计

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变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器LM317上的应用 被引量：3

13

作者 邓伟 陆妩 +7 位作者 郭旗 何承发 吴雪 王信 张晋新 张孝富 郑齐文 马武英 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期727-733,共7页

对3个公司生产的同一型号双极线性稳压器LM317进行了工作和零偏偏置下高、低剂量率辐照,变温恒剂量率辐照及美军标恒高温恒剂量率辐照的对比实验。结果表明,与恒高温恒剂量率辐照相比,变温恒剂量率辐照不仅能非常准确、快速地评估出在... 对3个公司生产的同一型号双极线性稳压器LM317进行了工作和零偏偏置下高、低剂量率辐照,变温恒剂量率辐照及美军标恒高温恒剂量率辐照的对比实验。结果表明,与恒高温恒剂量率辐照相比,变温恒剂量率辐照不仅能非常准确、快速地评估出在不同偏置条件下3款双极线性稳压器的剂量率效应,还可较好地模拟双极线性稳压器在低剂量率辐照下的损伤。实验结果验证了变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器上应用的可行性。 展开更多

关键词 双极线性稳压器 低剂量率损伤增强效应 60 Coγ辐照 变温恒剂量率辐照 加速评估方法

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多类图像传感器模组电离辐射损伤对比研究 被引量：8

14

作者 徐守龙 邹树梁 +3 位作者 武钊 罗志平 黄有骏 蔡祥鸣 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2092-2100,共9页

为选择能用于γ射线辐照环境且最具有加固潜力的图像传感器模组,对比分析了7类传感器模组辐照前后实时采集明、暗图像的参数,研究了不同类型的模拟图像传感器模组及数字图像传感器模组的抗辐射性能,并讨论了辐射损伤机理。实验结果表明... 为选择能用于γ射线辐照环境且最具有加固潜力的图像传感器模组,对比分析了7类传感器模组辐照前后实时采集明、暗图像的参数,研究了不同类型的模拟图像传感器模组及数字图像传感器模组的抗辐射性能,并讨论了辐射损伤机理。实验结果表明:γ射线对图像传感器模组的损伤及干扰程度与模组类型、图像传感器制作工艺、辐照剂量率及总剂量相关;剂量率造成的干扰与剂量率并非呈单纯的线性关系;镜头透镜的透光率随累积剂量的增大而下降;入射γ射线对采集画面质量的干扰与环境光线强度相关,较弱的真实信号更易被入射光子引入的噪声淹没。以上结果提示,入射γ射线对图像传感器的损伤及干扰主要是由各像素单元内暗电流以及正向脉冲颗粒噪声引起的。经实验分析,采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的数字摄像机更适用于γ射线辐射环境中的实时监测,但仍需通过加固手段提高其在辐射环境中工作的可靠性和使用寿命。 展开更多

关键词 图像传感器 电离辐射损伤 总剂量效应 剂量率效应

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不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应 被引量：1

15

作者 王义元 陆妩 +4 位作者 任迪远 郑玉展 高博 陈睿 费武雄 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期461-466,共6页

在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(EL... 在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。 展开更多

关键词 电离辐射 电流反馈运算放大器 偏置 低剂量率损伤增强效应

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硅双极器件及电路电离总剂量辐照损伤研究 被引量：4

16

作者 王鹏 崔占东 +1 位作者 邹学锋 杨筱莉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期58-63,共6页

针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和... 针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化。通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关。 展开更多

关键词 双极器件 总剂量辐照 低剂量率 低剂量率辐照损伤增强效应 增强因子

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不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 被引量：9

17

作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期217-222,共6页

对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显... 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。 展开更多

关键词 NPN双极晶体管 60Coγ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强

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不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 被引量：5

18

作者 席善斌 陆妩 +6 位作者 郑玉展 许发月 周东 李明 王飞 王志宽 杨永晖 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期533-537,共5页

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺... 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。 展开更多

关键词 NPN双极晶体管 60Co Γ辐照 基区掺杂浓度 低剂量率辐照损伤增强效应

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国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS 被引量：1

19

作者 魏昕宇 陆妩 +6 位作者 李小龙 王信 孙静 于新 姚帅 刘默寒 郭旗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期369-374,共6页

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad（Si）/s和0.01 rad（Si）/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad（Si）时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总... 研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad（Si）/s和0.01 rad（Si）/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad（Si）时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和。相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间。两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应（ELDRS）,且在反偏下ELDRS更显著。并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨。 展开更多

关键词 国产pnp型双极晶体管 宽总剂量范围 低剂量率损伤增强效应(ELDRS) 辐射损伤 剂量率

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ICRP 152号出版物简介:2022年辐射危害计算方法

20

《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期113-113,共1页

辐射危害是国际放射防护委员会(ICRP)提出的一个概念,用于量化人类由于低剂量和/或低剂量率照射所产生的随机效应后果。它是根据一系列器官和组织的终生癌症风险以及遗传影响的风险来确定的,同时考虑到后果的严重程度。本出版物提供了自... 辐射危害是国际放射防护委员会(ICRP)提出的一个概念,用于量化人类由于低剂量和/或低剂量率照射所产生的随机效应后果。它是根据一系列器官和组织的终生癌症风险以及遗传影响的风险来确定的,同时考虑到后果的严重程度。本出版物提供了自ICRP第26号出版物以来危害计算方法的历史回顾,并详细介绍了ICRP第103号出版物中开发的程序,其中阐明了数据源、风险模型、计算方法和参数值选择的基本原理。进行了选定的灵敏度分析,以确定可能成为辐射危害计算中变化和不确定性的主要来源的参数和计算条件。 展开更多

关键词 低剂量率照射 辐射危害 遗传影响 随机效应 ICRP 风险模型 国际放射防护委员会 出版物

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