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高介电常数、低介电损耗聚合物复合电介质材料研究进展 被引量:20
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作者 李玉超 付雪连 +5 位作者 战艳虎 谢倩 葛祥才 陶绪泉 廖成竹 卢周广 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第15期18-23,共6页
高介电常数聚合物电介质材料作为当今信息功能材料的研究热点,具有实际的应用价值和前景。综述了聚合物基复合电介质材料的分类及优缺点,以及从材料微观结构设计和填料界面修饰出发(如三元杂化或设计核壳和三明治结构),来获得高介电常... 高介电常数聚合物电介质材料作为当今信息功能材料的研究热点,具有实际的应用价值和前景。综述了聚合物基复合电介质材料的分类及优缺点,以及从材料微观结构设计和填料界面修饰出发(如三元杂化或设计核壳和三明治结构),来获得高介电常数、低介电损耗聚合物复合电介质材料的研究状况和应用前景,以期对高介电、低损耗聚合物基电介质材料有一个更直观全面的了解,进一步拓展该类材料在电气和生物工程领域的研究和应用。 展开更多
关键词 高介电常数 低介电损耗 聚合物电介质 核壳结构
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低介电损耗微晶氧化铝陶瓷研究 被引量:20
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作者 张巨先 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期77-79,共3页
本文将1000 ppm的MgO烧结添加剂以镁盐的形式均匀加入到超细Al2O3粉中,采用两次烧结方法,制备出剩余气孔率接近零,晶粒尺寸在3μm^5μm之间的微晶Al2O3陶瓷。其介电损耗为1×10-5,比等静压95%Al2O3陶瓷的低近两个数量级,降至蓝宝石... 本文将1000 ppm的MgO烧结添加剂以镁盐的形式均匀加入到超细Al2O3粉中,采用两次烧结方法,制备出剩余气孔率接近零,晶粒尺寸在3μm^5μm之间的微晶Al2O3陶瓷。其介电损耗为1×10-5,比等静压95%Al2O3陶瓷的低近两个数量级,降至蓝宝石的水平。 展开更多
关键词 氧化铝陶瓷 低介电损耗 微晶 微波
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低介电损耗高力学强度氟树脂膜及其柔性覆铜板的制备研究 被引量:3
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作者 王洋 张黄平 徐莎 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2023年第8期22-26,共5页
以可熔性聚四氟乙烯(PFA)为基体树脂,首先用聚合物和无机填料对树脂进行共混改性和填充改性,配置悬浮液;然后将悬浮液依次经过涂布和烧结,制备氟树脂基膜;最后将氟树脂基膜与铜箔一起压合制备柔性覆铜板(FC‐CL)。结果表明:制备得到的F... 以可熔性聚四氟乙烯(PFA)为基体树脂,首先用聚合物和无机填料对树脂进行共混改性和填充改性,配置悬浮液;然后将悬浮液依次经过涂布和烧结,制备氟树脂基膜;最后将氟树脂基膜与铜箔一起压合制备柔性覆铜板(FC‐CL)。结果表明:制备得到的FCCL介电损耗为0.0015(10 GHz),抗张强度为38 MPa,吸水率为0.05%,耐锡焊性测试中(300℃,10 s,3次)无分层、氧化、起泡现象,剥离强度大于1.0 kgf/cm,具有较佳的综合性能。 展开更多
关键词 氟树脂 抗张强度 低介电损耗 共混改性
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三元共聚高介电性能聚酰亚胺的制备与性能研究
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作者 曹贤武 姚志强 +2 位作者 黄其隆 曾佩佩 赵婉婧 《华南理工大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期92-100,共9页
目前,能源领域不断发展,对电容器要求不断提高,兼具高温性能和高储能的电容器已成为研究热点。其中高储能密度即要求其具备高介电常数和低介电损耗。特种工程材料聚酰亚胺(PI)因其耐高温性能而备受人们青睐,但其较低储能密度制约其应用... 目前,能源领域不断发展,对电容器要求不断提高,兼具高温性能和高储能的电容器已成为研究热点。其中高储能密度即要求其具备高介电常数和低介电损耗。特种工程材料聚酰亚胺(PI)因其耐高温性能而备受人们青睐,但其较低储能密度制约其应用。为更好地利用聚酰亚胺的耐高温性能,从其合成原料的多样性出发,寻找优异合成路线,该研究以制备高介电常数与低介电损耗聚酰亚胺(PI),研究同分异构体2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐(a-BPDA)和3,3',4,4'-联苯四酸二酐(s-BPDA)对聚酰亚胺介电性能的影响为目标,以a-BPDA、s-BPDA、3,3',4,4'-二苯甲酮四酸二酐(BTDA)、4,4'-双(3-氨基苯氧基)二苯基砜(m-BAPS)为原料,通过三元共聚制备了PI薄膜,从而验证方案可行性。在此基础上调配原料比例,探究最佳性能时各种原料配比。并运用傅里叶红外光谱(FTIR)分析、X射线衍射(XRD)分析、热性能分析和介电性能分析对薄膜进行表征。实验结果表明:a-BPDA、s-BPDA、BTDA和m-BAPS可成功合成聚酰亚胺薄膜;合成的薄膜仍可以保持较高的热学性能,其中a-BPDA和s-BPDA分别将聚酰亚胺的玻璃化转变温度最高提升至245.8℃和239.1℃。s-BPDA与a-BPDA对聚酰亚胺的介电性能产生不同影响,当s-BPDA与BTDA物质的量比为3∶2时,在1000Hz下sPI介电常数为4.25,介电损耗为0.0029,当a-BPDA与BTDA物质的量比为3∶2时,aPI介电常数为3.49,介电损耗为0.0023;综合对比下,s-BPDA对于聚酰亚胺的热学性能和介电性能改善效果更加明显。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 三元共聚 高介电常数 低介电损耗
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高频印制电路板用低介电高分子材料的研究进展 被引量:16
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作者 廖凌元 彭忠泉 +1 位作者 章明秋 阮文红 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期320-335,共16页
随着通信技术不断向着高频波段发展,以酚醛树脂和环氧树脂为基材的印制电路板(PCB)因其介电性能无法满足信号高速、低损耗传输而面临淘汰。因此,开发高频下具有低介电常数和低介电损耗,同时又具有良好耐热性、耐湿性和尺寸稳定的高分子... 随着通信技术不断向着高频波段发展,以酚醛树脂和环氧树脂为基材的印制电路板(PCB)因其介电性能无法满足信号高速、低损耗传输而面临淘汰。因此,开发高频下具有低介电常数和低介电损耗,同时又具有良好耐热性、耐湿性和尺寸稳定的高分子材料用于制造高频PCB,对高频通信技术至关重要。其中聚苯并噁嗪、聚氰酸酯、聚四氟乙烯、聚酰亚胺和聚苯醚等高分子材料因本征介电常数和介电损耗较低、吸湿率小、耐热性好,在高频PCB领域受到广泛关注。针对近年国内外高频PCB用的低介电高分子材料的研究现状,从材料介电性质基本原理出发,综述了高频PCB用的低介电高分子材料的性质及其改性的研究进展。 展开更多
关键词 高频 介电常数 低介电损耗 高分子材料 印制电路板
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低介电常数改性聚酰亚胺材料的研究进展 被引量:11
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作者 黄兴文 朋小康 +3 位作者 刘荣涛 廖松义 刘屹东 闵永刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期5018-5024,5049,共8页
聚酰亚胺(PI)广泛应用于电子集成电路的绝缘材料领域。随着电子通信行业的不断更新换代,信号传输频率逐渐往高频发展(例如5G通讯),为了满足信号传输速度快、介电损耗低的要求,需要不断地降低印刷线路板(PCB)绝缘材料的介电常数。常规聚... 聚酰亚胺(PI)广泛应用于电子集成电路的绝缘材料领域。随着电子通信行业的不断更新换代,信号传输频率逐渐往高频发展(例如5G通讯),为了满足信号传输速度快、介电损耗低的要求,需要不断地降低印刷线路板(PCB)绝缘材料的介电常数。常规聚酰亚胺介电常数偏高,不适合直接用于PCB的绝缘材料,为满足未来5G高频通信要求,必须对其进行改性,因此本文综述了低介电常数聚酰亚胺改性的研究进展,并对其进行了展望。 展开更多
关键词 改性聚酰亚胺 高频通信 介电常数 低介电损耗 5G通讯
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SiO2/B2O3质量比对低介电封接玻璃性能的影响 被引量:3
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作者 操芳芳 马立云 +4 位作者 曹欣 王魏巍 仲召进 李金威 高强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第A01期199-201,210,共4页
采用高温熔融法以SiO2-B2O3-Al2O3-R2O为体系制备了一系列低介电常数(3.92≤εr≤4.11)、低介电损耗(5×10^-4≤tanδ≤12×10^-4)的封接玻璃。运用红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、膨胀系数测定仪、弯曲梁高温粘度计、精密阻抗分析... 采用高温熔融法以SiO2-B2O3-Al2O3-R2O为体系制备了一系列低介电常数(3.92≤εr≤4.11)、低介电损耗(5×10^-4≤tanδ≤12×10^-4)的封接玻璃。运用红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、膨胀系数测定仪、弯曲梁高温粘度计、精密阻抗分析仪对样品进行了表征,同时,探讨了SiO2与B2O3的质量比对各样品性能的影响。结果表明,样品的热膨胀系数、介电损耗随着SiO2与B2O3质量比的增大呈现先降低后升高的趋势;而特征温度则相反,其随着SiO2与B2O3质量比的增大呈现先升高后降低的趋势;样品的介电常数随SiO2与B2O3质量比的增大而增大。 展开更多
关键词 介电常数 低介电损耗 封接玻璃 SiO2/B2O3
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反式环己基(三)联苯类液晶化合物微波介电性能分析
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作者 袁骞 涂友兰 +5 位作者 雷孟龙 吕培文 吴胜莉 张智勇 陈红梅 汪相如 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1145-1154,共10页
目前微波移相器用液晶材料大多以高双折射率多联苯类或多苯乙炔类液晶化合物作为主要组分,但这些液晶化合物在使用时不可避免地存在粘度大、介电损耗偏高或光热稳定性较差等缺点。反式环己基(三)联苯类液晶化合物具有相对较低的粘度、... 目前微波移相器用液晶材料大多以高双折射率多联苯类或多苯乙炔类液晶化合物作为主要组分,但这些液晶化合物在使用时不可避免地存在粘度大、介电损耗偏高或光热稳定性较差等缺点。反式环己基(三)联苯类液晶化合物具有相对较低的粘度、高热稳定性等特点,普遍用在显示器件之中,但在微波介电性能方面的研究报道较少。本文选择性合成了6个异硫氰基反式环己基联苯和三联苯类液晶化合物,测试了它们的相态和微波(10~30 GHz)介电性能,利用密度泛函理论(DFT),通过分子模拟计算了它们的偶极矩和极化率,并与相关结构的多联苯类液晶化合物的性能进行比较,探讨其反式环己基结构对液晶分子的微波介电性能的影响。实验结果表明,异硫氰基反式环己基(三)联苯类液晶化合物不仅其熔点相对较低(<90℃)、向列相温度范围宽(86~160℃),而且在10~30 GHz时的介电损耗低(≤7.25×10^(-3)),使其微波的品质因素相对较高(η≥30),适于作为微波用液晶材料的有效组份。 展开更多
关键词 反式环己基(三)联苯 微波用液晶 低介电损耗 宽温向列相态 合成
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CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的巨介电响应机理 被引量:7
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作者 郑兴华 张程 +2 位作者 刘馨 汤德平 肖娟 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期630-635,共6页
针对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12(x=0~0.3)和CaCu3Ti4-yMnyO12(y=0~0.1)的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论C... 针对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12(x=0~0.3)和CaCu3Ti4-yMnyO12(y=0~0.1)的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理。结果表明:加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方(BCC)类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107-.cm显著提高到109-.cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器(IBLC)所致。在较低温度下(〈1 100℃)烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法。 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O12陶瓷 巨介电常数 内部阻挡层电容器(IBLC) 低介电损耗
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高储能聚合物电介质材料研究进展 被引量:14
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作者 刘文凤 刘标 程璐 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期1046-1054,共9页
储能薄膜电容器因其功率密度高、工作电压高、自愈特性好以及可靠性高的优势,被广泛应用于智能电网、电动汽车和电力调节中。但聚合物电介质材料偏低的储能密度和较大的介电损耗限制了储能薄膜电容器的轻量化、小型化以及可靠性发展。... 储能薄膜电容器因其功率密度高、工作电压高、自愈特性好以及可靠性高的优势,被广泛应用于智能电网、电动汽车和电力调节中。但聚合物电介质材料偏低的储能密度和较大的介电损耗限制了储能薄膜电容器的轻量化、小型化以及可靠性发展。文章综述了基于优化复合电介质材料高储能密度和低介电损耗的最新研究进展,涉及复合电介质材料的结构特性、介电性能、电气强度以及储能机理,比较和分析了提高聚合物电介质材料储能特性的几种常用策略,包括多组分无机填料共填充、纳米表面改性、多层结构复合、分子结构设计、薄膜表面沉积涂覆等方法对其储能特性的提升规律与调控机制,最后对高储能聚合物电介质材料的现存问题以及未来发展方向进行了总结与展望。 展开更多
关键词 聚合物材料 复合电介质 高储能密度 低介电损耗 电气强度
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可交联氟化氮杂环聚芳醚的合成及性能
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作者 李闯 刘秀利 +3 位作者 宗立率 苑博 王锦艳 蹇锡高 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期13-21,共9页
以4-(4-羟基苯基)-2,3-二氮杂萘酮-1-酮(DHPZ)、双酚AF(6F-BPA)、五氟苯乙烯(FSt)和十氟联苯(DFBP)为原料,通过溶液缩聚反应合成了可交联的FSt-FPPE,所得共聚物的结构通过红外光谱和核磁共振确认与设计一致。FStFPPE呈无定形结构,可溶解... 以4-(4-羟基苯基)-2,3-二氮杂萘酮-1-酮(DHPZ)、双酚AF(6F-BPA)、五氟苯乙烯(FSt)和十氟联苯(DFBP)为原料,通过溶液缩聚反应合成了可交联的FSt-FPPE,所得共聚物的结构通过红外光谱和核磁共振确认与设计一致。FStFPPE呈无定形结构,可溶解在N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、氯仿、四氢呋喃等有机溶剂中。与交联剂三聚氰酸三烯丙酯(TAC)进行共固化后,聚合物的玻璃化转变温度由235℃提升至255℃。氮气下热分解温度达497℃,800℃时残碳率为53%。固化后聚合物薄膜的拉伸强度为60~67 MPa,拉伸模量为1.05~1.23GPa,断裂伸长率为10%~12%。当TAC含量为1%时,拉伸强度达到最大值67MPa。在介电性能上,固化后介电常数降低,在10MHz~1GHz的频率下,介电常数在2.4~3.0之间。当TAC含量为3%时,介电常数达到最低值2.4。这些结果表明,FSt-FPPE具有优异的综合性能,在微电子领域中具有一定应用价值。 展开更多
关键词 介电常数 低介电损耗 聚芳醚 杂萘联苯 氟化
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Sr_(1-x)Er_(x)TiO_(3)陶瓷的巨介电性能研究
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作者 蒲永平 张贤 +2 位作者 张金波 宁亚婷 上阳超 《陕西科技大学学报》 北大核心 2023年第4期104-111,共8页
选用“两性”稀土Er^(3+)离子掺杂SrTiO_(3)陶瓷,采用传统固相法制备出了在空气下烧结的具有巨介电低损耗的Sr_(1-x)Er_(x)TiO_(3)陶瓷.结果表明,当x=0.012,该陶瓷显示出巨介电行为,在1 kHz下具有17 790的介电常数,在1 MHz下具有14 363... 选用“两性”稀土Er^(3+)离子掺杂SrTiO_(3)陶瓷,采用传统固相法制备出了在空气下烧结的具有巨介电低损耗的Sr_(1-x)Er_(x)TiO_(3)陶瓷.结果表明,当x=0.012,该陶瓷显示出巨介电行为,在1 kHz下具有17 790的介电常数,在1 MHz下具有14 363的介电常数,在1 kHz下具有0.02的介电损耗.在巨介电、低介电损耗的材料中,存在着“电子钉扎”现象,电子的局域极化使介电常数增大;而在此过程中,由于限制了电子的长程移动,从而降低了介质损耗. 展开更多
关键词 SrTiO_(3) 巨介电常数 低介电损耗 两性掺杂
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超支化酞菁锌的介电特性研究(英文)
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作者 祝瑞 张红梅 +3 位作者 崔斯敏 林鹏 曾燮榕 柯善明 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2014年第3期249-251,共3页
合成一种新型树枝状结构的超支化金属酞菁(ZnPc),采用介电谱和差示扫描量热法研究其介电特性及热稳定性.超支化金属酞菁显示出极优异的介电性能,室温介电常数约为15,介电损耗在高频(MHz)低于0.002,这一性能好于目前绝大多数聚合物介质材... 合成一种新型树枝状结构的超支化金属酞菁(ZnPc),采用介电谱和差示扫描量热法研究其介电特性及热稳定性.超支化金属酞菁显示出极优异的介电性能,室温介电常数约为15,介电损耗在高频(MHz)低于0.002,这一性能好于目前绝大多数聚合物介质材料,且其介电响应保持了良好的频率稳定性.该超支化金属酞菁可在高储能密度电存储器件、嵌入式电容器和脉冲电源等领域广泛应用. 展开更多
关键词 功能材料 超支化聚合物 酞菁锌 高介电常数 低介电损耗
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含氟三苯乙炔异硫氰酸酯液晶合成及其微波性能 被引量:10
14
作者 李世伟 胡旭 +3 位作者 罗晨潇 刘之禾 张智勇 汪相如 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期1682-1692,共11页
近年来,随着液晶微波移相器技术的研究发展,如何降低液晶材料高频介电损耗已成为微波通讯器件发展的关键问题。本文设计合成了7种具有较宽向列相温度范围(89.5~127.7℃)的含氟三苯乙炔异硫氰酸酯液晶化合物(Ⅰ1-Ⅰ7),其中Ⅰ1-Ⅰ3具有相... 近年来,随着液晶微波移相器技术的研究发展,如何降低液晶材料高频介电损耗已成为微波通讯器件发展的关键问题。本文设计合成了7种具有较宽向列相温度范围(89.5~127.7℃)的含氟三苯乙炔异硫氰酸酯液晶化合物(Ⅰ1-Ⅰ7),其中Ⅰ1-Ⅰ3具有相对较低的熔点(45.8~67.2℃);将其与溶剂液晶侧乙基三苯二炔类组合物(M)按一定质量比混合后,采用矩形谐振腔微扰法测试其在微波频段(11~33 GHz)时的介电性能,并通过分子模拟计算探讨了分子结构和取代基对液晶在高频下介电性能的影响。结果表明,对于所合成的液晶化合物,其分子偶极矩和极化率越大,其介电常数和高频介电损耗也越大;在分子末端烷基引入支链不仅可以降低熔点,还会减小分子的偶极矩和介电常数,使其损耗降低;在苯环之间插入乙炔键不仅能够增加分子的π-电子共轭体系、介电常数和双折射率,还能降低其介电损耗;与异硫氰基相连的苯环侧位被二氟原子对称取代(X1和X2)化合物的介电各向异性(Δεr>1.025)大于中心苯环侧位二氟原子对称取代化合物(X_(3)和X_(4)),但后者的介电损耗较低。 展开更多
关键词 含氟三苯乙炔 异硫氰基液晶 高介电各向异性 低介电损耗
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含氟三联苯类异硫氰酸酯类液晶合成与微波性能研究 被引量:5
15
作者 兰庚 曹秋豪 +3 位作者 欧阳慧琦 张智勇 汪相如 高时汉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1214-1224,共11页
近年来液晶在微波通信器件上的研究发展迅速,而液晶材料的介电损耗成为制约其发展的主要因素。异硫氰三联苯类化合物是一种结构稳定的低粘度、高双折射率液晶化合物,适于作为微波用液晶材料组分。本文通过偶联法合成了4种含氟三联苯异... 近年来液晶在微波通信器件上的研究发展迅速,而液晶材料的介电损耗成为制约其发展的主要因素。异硫氰三联苯类化合物是一种结构稳定的低粘度、高双折射率液晶化合物,适于作为微波用液晶材料组分。本文通过偶联法合成了4种含氟三联苯异硫氰酸酯液晶化合物nPGUS(n=2~5),通过IR、^(1)H NMR、^(13)C NMR、^(19)F NMR确认化合物结构正确;差热分析(DSC)结果显示,它们都具有宽温向列相液晶态和相对较低的熔点,其中5PGUS的向列相温度范围达到101.8℃,熔点只有57.4℃;通过矩形谐振腔微扰法测试分析了它们在高频下的介电性能,将它们与母体液晶混合后,在18 GHz时的介电常数值(Δεr)为0.95,最大介电损耗为(tanδεr-max)0.00763,相位调制系数(τ)0.265,可满足微波用向列相液晶材料性能要求。 展开更多
关键词 含氟三联苯 异硫氰酸酯液晶 高介电常数 低介电损耗 合成
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增强双马来酰亚胺树脂基复合材料研究 被引量:6
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作者 马利锋 胡曙辉 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1-3,12,共4页
石英纤维增强双马来酰亚胺树脂复合材料具有低介电损耗、耐高温、耐湿热及良好的力学性能。本文介绍了改性双马来酰亚胺树脂的分子结构与性能,及复合材料的模压成型工艺。
关键词 石英纤维 双马来酰亚胺树脂 复合材料 低介电损耗 耐湿热性 力学性能 分子结构 模压成型工艺 介电性能
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温岭市科技局引进新材料项目“高性能聚酰亚胺薄膜”
17
《绝缘材料》 CAS 北大核心 2016年第6期82-82,共1页
6月初,温岭市科技局引进新材料项目“高性能聚酰亚胺薄膜”回温岭落地,该项目属于浙商回归项目,主导产品为聚酰亚胺薄膜,具有耐高温、高强度、高绝缘、低介电常数和低介电损耗等优异的综合性能,以及耐电晕、耐水解、低热膨胀等许... 6月初,温岭市科技局引进新材料项目“高性能聚酰亚胺薄膜”回温岭落地,该项目属于浙商回归项目,主导产品为聚酰亚胺薄膜,具有耐高温、高强度、高绝缘、低介电常数和低介电损耗等优异的综合性能,以及耐电晕、耐水解、低热膨胀等许多特殊功能,被广泛应用于高新技术领域,市场前景乐观。该项目由上海松川信息科技有限公司投资,投资额达3.5亿元,8条生产线,总产能1600吨/年。目前,已组织相关部门人员赴深圳考察同类企业, 展开更多
关键词 聚酰亚胺薄膜 综合性能 温岭市 新材料 科技局 低介电损耗 介电常数 主导产品
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中国专利
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《合成树脂及塑料》 CAS 北大核心 2018年第3期60-60,共1页
一种聚合物基纳米复合材料及其制备方法 本发明提供了一种聚合物基纳米复合材料及其制备方法,属于电子复合材料技术领域.所述功能复合材料采用聚合物作为基体、银纳米颗粒包裹处理的碳材料作为填料混合制成,经过银纳米颗粒包覆处理的... 一种聚合物基纳米复合材料及其制备方法 本发明提供了一种聚合物基纳米复合材料及其制备方法,属于电子复合材料技术领域.所述功能复合材料采用聚合物作为基体、银纳米颗粒包裹处理的碳材料作为填料混合制成,经过银纳米颗粒包覆处理的填料结构为银纳米颗粒均匀附着在碳材料表面.所用经银纳米颗粒包裹处理的碳材料填料体积分数为10%-20%,聚合物体积分数为80%-90%.制备的聚合物基纳米复合材料具有高导热率、低介电常数以及低介电损耗等显著优点,并且其制备工艺简单易行,成本低廉,十分有利于应用于大规模的电子封装材料工业化生产中. 展开更多
关键词 聚合物基纳米复合材料 中国专利 银纳米颗粒 电子封装材料 制备方法 功能复合材料 复合材料技术 低介电损耗
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High permittivity and low dielectric loss analysis of lead free Sr_(1-x)La_x(Ti_(0.5) Fe_(0.5))O_3
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作者 M.R.Shah A.K.M.Akther Hossain 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2013年第12期3363-3371,共9页
The structural and electrical properties of lead free Srx-xLax(Tio.sFeo.5)O3 (SLTFO) prepared by standard solid state reaction technique were studied. The X-ray diffraction analysis confirmed the formation of a si... The structural and electrical properties of lead free Srx-xLax(Tio.sFeo.5)O3 (SLTFO) prepared by standard solid state reaction technique were studied. The X-ray diffraction analysis confirmed the formation of a single-phase cubic perovskite structure. The compositional dependence of lattice constant, density and microstructural studies show that they vary significantly with La3+ content. When measured at 10 kHz, all the compositions of SLTFO at room temperature exhibit a high permittivity (about 104) and low dielectric loss (about 10-3). SLTFO also display minimum dielectric loss within the lower and higher limits of frequency, indicating that the samples are of good quality. It is concluded from the calculated ac conductivity that the conduction is due to mixed polarons hopping. The complex impedance plot exhibits a tendency of forming a single semicircular arc for all compositions, which implies a dominance of grain boundary resistance on the impedance. Impedance parameters were determined by fitting the experimental data with Cole-Cole empirical formula. The results of the present experiment indicate that the lead free SLTFO materials with higher permittivity and lower dielectric loss have possible practical applications. 展开更多
关键词 dielectric properties solid state reaction Sr titanate X-ray diffraction
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