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DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究: 1; 作者叶超宁兆元 +1 位作者王婷婷俞笑竹《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期97-100,共4页; 本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场... 展开更多; 关键词低介电常数薄膜电子回旋共振等离子体; 在线阅读下载PDF 职称材料

LSAWs测量低介电常数介质薄膜杨氏模量的信号处理被引量：2: 2; 作者肖夏白茂森 +1 位作者李志国姚素英《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期554-558,共5页; 利用脉冲激光激发超声表面波测量低介电常数介质薄膜杨氏模量时(LSAWs实验),必须对实验信号进行有效处理来拟合出表面波在待测样品表面传播时产生的色散曲线.设计了专用的程序滤波器对LSAWs实验中采集的原始信号进行滤波,有效抑制了信... 展开更多; 关键词声表面波低介电常数薄膜杨氏模量信号处理最小二乘法; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究被引量：1: 3; 作者杨春晓张驰 +2 位作者徐赛生丁士进张卫《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期105-108,共4页; 对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析。实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区。在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附... 展开更多; 关键词界面 ZrN阻挡层 SiCON低介电常数薄膜 X射线光电子能谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米多孔薄膜孔结构的非破坏性表征被引量：1: 4; 作者王娟张长瑞冯坚《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期481-486,共6页; 对纳米多孔低介电常数薄膜孔洞率、孔径、孔径分布和孔洞连通性等孔结构的表征有助于理解薄膜的结构和提高其性能。近年来开展了利用与特殊X射线反射联用的小角中子散射、小角X 射线散射、椭偏测孔仪、正电子湮没谱和表面声波谱等非破... 展开更多; 关键词纳米多孔薄膜低介电常数介质薄膜小角中子散射椭偏测孔仪正电子(素)湮没寿命谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究: 1; 作者叶超宁兆元王婷婷俞笑竹; 机构苏州大学物理科学与技术学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期97-100,共4页; 基金国家自然科学基金(No.); 文摘本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场强下的漏电流为8.9×10-6A/cm2,且场强达到2.5 MV/cm时,未发生击穿现象,具有较优越的绝缘性能.因此,采用ECR-CVD技术和DMCPS源可以制备热稳定性优良的、绝缘性能优越的低介电常数SiCOH薄膜.; 关键词低介电常数薄膜电子回旋共振等离子体; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LSAWs测量低介电常数介质薄膜杨氏模量的信号处理被引量：2: 2; 作者肖夏白茂森李志国姚素英; 机构天津大学电子信息工程学院; 出处《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期554-558,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60406003) 教育部留学归国人员基金资助项目; 文摘利用脉冲激光激发超声表面波测量低介电常数介质薄膜杨氏模量时(LSAWs实验),必须对实验信号进行有效处理来拟合出表面波在待测样品表面传播时产生的色散曲线.设计了专用的程序滤波器对LSAWs实验中采集的原始信号进行滤波,有效抑制了信号噪声.滤波器加载的Kaiser窗降低了“吉布斯”效应的影响.对原始信号的增零处理增加了频谱的细腻程度.通过傅里叶变换获得了LSAWs实验有效信号的频谱.根据实验信号的相频特性曲线,通过最小二乘法拟合出了LSAWs实验中声表面波在待测样品表面传播时产生的色散曲线.实验表明,阻带噪声衰减为60 dB,获得了截止频率高达120 MHz的色散曲线.; 关键词声表面波低介电常数薄膜杨氏模量信号处理最小二乘法; Keywords surface acoustic waves low-k film Young＇s modulus signal processing least square method; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究被引量：1: 3; 作者杨春晓张驰徐赛生丁士进张卫; 机构复旦大学微电子学系ASIC和系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期105-108,共4页; 基金国家基础研究重点发展项目(2006CB302703) "先进互连材料和概念"国际研究培训组中的中国教育部支持; 文摘对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析。实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区。在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附性能。400℃退火后,除受表面氧化作用干扰的O和N元素外,未观察到界面中其他元素Zr,Si和C有新的扩散,说明界面稳定性很好。; 关键词界面 ZrN阻挡层 SiCON低介电常数薄膜 X射线光电子能谱; Keywords interface ZrN barrier SiCON low dielectric constant film XPS; 分类号 TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米多孔薄膜孔结构的非破坏性表征被引量：1: 4; 作者王娟张长瑞冯坚; 机构国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期481-486,共6页; 基金国防预研资助项目(41312040307); 文摘对纳米多孔低介电常数薄膜孔洞率、孔径、孔径分布和孔洞连通性等孔结构的表征有助于理解薄膜的结构和提高其性能。近年来开展了利用与特殊X射线反射联用的小角中子散射、小角X 射线散射、椭偏测孔仪、正电子湮没谱和表面声波谱等非破坏性方法表征多孔低介电常数薄膜孔结构的研究。介绍了这些方法的基本原理,综述了利用这些方法研究低介电常数介质薄膜及其集成工艺的进展,总结了这些方法表征多孔薄膜孔结构的特征。; 关键词纳米多孔薄膜低介电常数介质薄膜小角中子散射椭偏测孔仪正电子(素)湮没寿命谱; Keywords nanoporous thin films low-k dielectric films small angle neutron scattering (SANS) ellipsometric porosimetry (EP) positron/positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS); 分类号 O484.5 [理学—固体物理] O484.8 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究	叶超宁兆元王婷婷俞笑竹	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	LSAWs测量低介电常数介质薄膜杨氏模量的信号处理	肖夏白茂森李志国姚素英	《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究	杨春晓张驰徐赛生丁士进张卫	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	纳米多孔薄膜孔结构的非破坏性表征	王娟张长瑞冯坚	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料