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新型低介电常数材料研究进展 被引量：22
1
作者 黄娆 刘之景 《微纳电子技术》 CAS 2003年第9期11-14,18,共5页
在超大规模集成电路中,随着器件集成度的提高和延迟时间的进一步减小,需要应用新型低介电常数(k<3)材料。本文介绍了当前正在研究和开发的几种低介电材料,其中包括聚合物、掺氟、多孔和纳米介电材料。
关键词 低介电常数材料 超大规模集成电路 聚合物材料 掺氟材料 多孔材料 纳米介电材料
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低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展 被引量：1
2
作者 闫继红 宁兆元 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期20-22,35,共4页
目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革。由于其特征尺寸进入到100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素。用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低 K)... 目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革。由于其特征尺寸进入到100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素。用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低 K)材料取代二氧化硅作线间介质成为重要的、应用价值巨大的研究课题。着重叙述了具有低介电常数的氟化非晶碳薄膜的研究进展。 展开更多
关键词 氟化非晶碳薄膜 研究进展 低介电常数材料 微电子器件 特征尺寸 材料结构 器件性能 二氧化硅 研究课题 应用价值 介质层 连线 金属 电阻
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VLSI互连线系统中的低介电常数材料与工艺研究 被引量：4
3
作者 宋登元 王永青 +1 位作者 孙荣霞 张全贵 《半导体情报》 2000年第2期8-12,共5页
阐述了超大规模集成电路 ( VLSI)特征尺寸的减小及互连线层数增加引起的互连线电容增加的问题。具体总结了为提高 VLSI的速度而采用的低介电常数材料及其制备工艺 ,对在连线间形成空气间隙来降低线间电容的方法也进行了介绍。最后 ,展... 阐述了超大规模集成电路 ( VLSI)特征尺寸的减小及互连线层数增加引起的互连线电容增加的问题。具体总结了为提高 VLSI的速度而采用的低介电常数材料及其制备工艺 ,对在连线间形成空气间隙来降低线间电容的方法也进行了介绍。最后 ,展望了低介电常数材料在 VL SI互连线系统中的应用前景。 展开更多
关键词 VLSI 互连线 低介电常数材料 集成电路
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低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用 被引量：11
4
作者 赵智彪 许志 利定东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期4-6,45,共4页
本文概述了低介电常数材料(LowkMaterials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工艺研究的重要课题,并展望了其发展前景。
关键词 低介电常数材料 超大规模集成电路 制备方法 材料类型
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上海有机所在低介电常数材料研究领域取得新进展
5
作者 化信 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期197-197,共1页
随着极大规模集成电路的发展，芯片中的互连线密度不断增加，互连线的宽度和间距不断减小，因此由互连电阻（R）和电容（C）所产生的寄生效应越来越明显，进而使信号发生严重延迟。为解决这一问题，最有效的方法是使用低介电常数互联材... 随着极大规模集成电路的发展，芯片中的互连线密度不断增加，互连线的宽度和间距不断减小，因此由互连电阻（R）和电容（C）所产生的寄生效应越来越明显，进而使信号发生严重延迟。为解决这一问题，最有效的方法是使用低介电常数互联材料。目前业界普遍使用造孔技术，将空气引入到固体薄膜的微孔中。由于空气的介电常数为1，如此可以大幅度降低绝缘层的介电常数。 展开更多
关键词 低介电常数材料 大规模集成电路 上海 互连线 寄生效应 信号发生 造孔技术 固体薄膜
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超低介电常数的多孔F-pSiCOH薄膜制备及其紫外固化处理
6
作者 陈云 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期128-131,142,共5页
面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构... 面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构和化学键,并探究了紫外线辐射对多孔F-pSiCOH薄膜机械性能的影响。结果表明:纳米孔和氟原子的引入能有效地降低介电常数,使多孔F-SiCOH薄膜的k值为2.15。紫外固化处理增强了多孔F-pSiCOH薄膜的弹性模量,使多孔F-pSiCOH薄膜的弹性模量从4.84GPa增大到5.76GPa,力学性能得到优化。 展开更多
关键词 硅集成电路 低介电常数介电材料 多孔SiCOH薄膜 紫外固化
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低介电常数(lowk)介质在ULSI中的应用前景 被引量：21
7
作者 阮刚 肖夏 朱兆 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期84-87,95,共5页
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数 (low k)介质的需求 ,介绍了几种有实用价值的low k介质的研究和发展现况 ,最后评述了low
关键词 极大规模集成电路 低介电常数材料 无机介质
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TEM样品制备辅助研究介质层可靠性失效机理 被引量：4
8
作者 李明 段淑卿 +1 位作者 郭强 简维廷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期498-501,共4页
研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILDTDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILDTDDB可靠性失效... 研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILDTDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILDTDDB可靠性失效样品的失效机理为芯片制造过程中介质层沉积温度异常导致其疏松特性增强,介电常数降低,从而导致其电绝缘性能下降而引起TDDB可靠性测试项目失效。 展开更多
关键词 透射电子显微镜 样品制备 低介电常数材料 介质层TDDB可靠性测试
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采用真空来制作芯片
9
作者 Tom R.Halfhill 马志强 《电子产品世界》 2007年第11期131-133,共3页
IBM新“Air-Gap”技术采用真空作为低介电常数材料 真空管从计算机中巳消失了数十年，但如今真空却做出令人吃惊的反击。IBM推出一新半导体制造技术，该技术通过“空气隙”（Air—Gap，实际是微小的真空洞）来替换集成电路中铜线附近... IBM新“Air-Gap”技术采用真空作为低介电常数材料 真空管从计算机中巳消失了数十年，但如今真空却做出令人吃惊的反击。IBM推出一新半导体制造技术，该技术通过“空气隙”（Air—Gap，实际是微小的真空洞）来替换集成电路中铜线附近的常规绝缘材料。初步结果显示其效果甚至比最新的固体低电介质常数材料还要好。 展开更多
关键词 真空管 半导体制造技术 低介电常数材料 芯片 制作 绝缘材料 集成电路 介质常数
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平滑树脂基板上的金属化工艺
10
作者 蔡积庆（编译） 《印制电路信息》 2008年第6期38-42,共5页
概述了平滑树脂基板上的金属化工艺,可以在具有优良性能的液晶聚合物和环烯聚合物上应用紫外光表面改质处理形成良好导电性的导体层,可以制造适应高速传递或者高频用途的平滑电路。
关键词 紫外光表面改质处理 液晶聚合物 环烯聚合物 低介电常数材料 高速传送 高频
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