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异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展
1
作者
杨晋
李艳辉
+6 位作者
杨春章
覃钢
李俊斌
雷文
孔金丞
赵俊
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2022年第8期828-836,共9页
分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变...
分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变化规律进行了建模计算,结果显示ρ~1/h 模型与实验结果吻合度好,异质衬底上原生碲镉汞薄膜受位错反应半径制约,其位错密度无法降低至 5×10^(5)cm^(-2)以下,难以满足长波、甚长波器件的应用需求。为了有效降低异质外延的碲镉汞材料位错密度,近年来出现了循环退火、位错阻挡和台面位错吸除等位错抑制技术,本文介绍了各技术的原理及进展,分析了后续发展趋势及重点。循环退火和位错阻挡技术突破难度大,发展潜力小,难以将碲镉汞位错密度控制在 5×10cm以内。台面位错吸除技术目前已经显示出了巨大的发展潜力和价值,后续与芯片工艺融合后,有望大幅促进低成本长波、中长波、甚长波器件的发展。
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关键词
碲镉汞
异质衬底
位错
抑制
循环退火
位错阻挡
台面
位错
吸除
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职称材料
题名
异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展
1
作者
杨晋
李艳辉
杨春章
覃钢
李俊斌
雷文
孔金丞
赵俊
姬荣斌
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2022年第8期828-836,共9页
基金
核高基重大专项项目。
文摘
分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变化规律进行了建模计算,结果显示ρ~1/h 模型与实验结果吻合度好,异质衬底上原生碲镉汞薄膜受位错反应半径制约,其位错密度无法降低至 5×10^(5)cm^(-2)以下,难以满足长波、甚长波器件的应用需求。为了有效降低异质外延的碲镉汞材料位错密度,近年来出现了循环退火、位错阻挡和台面位错吸除等位错抑制技术,本文介绍了各技术的原理及进展,分析了后续发展趋势及重点。循环退火和位错阻挡技术突破难度大,发展潜力小,难以将碲镉汞位错密度控制在 5×10cm以内。台面位错吸除技术目前已经显示出了巨大的发展潜力和价值,后续与芯片工艺融合后,有望大幅促进低成本长波、中长波、甚长波器件的发展。
关键词
碲镉汞
异质衬底
位错
抑制
循环退火
位错阻挡
台面
位错
吸除
Keywords
HgCdTe
alternative substrates
dislocation reduction
thermal cycle annealing
dislocation blocking
mesa dislocation gettering
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展
杨晋
李艳辉
杨春章
覃钢
李俊斌
雷文
孔金丞
赵俊
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2022
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