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中温回复下疲劳Cu单晶体驻留滑移带的演变
被引量：
2
1
作者
张修丽
孙晓慧
李明扬
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期15-18,共4页
恒塑性应变幅循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体出现驻留带(Persistent Slip Bands,PSBs)。在铜的(0.3～0.5)TmK中温回复区内,对疲劳Cu单晶进行不同温度和时间的真空保温处理,观察PSBs结构在热激活条件下的变化及材料的寿命估计。结...
恒塑性应变幅循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体出现驻留带(Persistent Slip Bands,PSBs)。在铜的(0.3～0.5)TmK中温回复区内,对疲劳Cu单晶进行不同温度和时间的真空保温处理,观察PSBs结构在热激活条件下的变化及材料的寿命估计。结果显示,中温回复过程中,由于弹性力、渗透力与林位错阻碍力的交互作用促使PSBs中的位错通过空位的放出和湮灭而运动,并使PSBs的位错墙由弯曲到变细最后分段消失,位错密度快速下降。中温回复后材料寿命得到延长。
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关键词
驻留滑移带
中温回复
位错结构演变
疲劳Cu单晶
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职称材料
题名
中温回复下疲劳Cu单晶体驻留滑移带的演变
被引量：
2
1
作者
张修丽
孙晓慧
李明扬
机构
上海工程技术大学
东北大学理学院
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期15-18,共4页
基金
上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(05XPYQ36)
文摘
恒塑性应变幅循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体出现驻留带(Persistent Slip Bands,PSBs)。在铜的(0.3～0.5)TmK中温回复区内,对疲劳Cu单晶进行不同温度和时间的真空保温处理,观察PSBs结构在热激活条件下的变化及材料的寿命估计。结果显示,中温回复过程中,由于弹性力、渗透力与林位错阻碍力的交互作用促使PSBs中的位错通过空位的放出和湮灭而运动,并使PSBs的位错墙由弯曲到变细最后分段消失,位错密度快速下降。中温回复后材料寿命得到延长。
关键词
驻留滑移带
中温回复
位错结构演变
疲劳Cu单晶
Keywords
PSBs
intermediate temperature recovery
dislocation evolvement
fatigued copper single crystal
分类号
TG111.8 [金属学及工艺—物理冶金]
TG113.25 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
中温回复下疲劳Cu单晶体驻留滑移带的演变
张修丽
孙晓慧
李明扬
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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职称材料
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