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单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展
被引量：
2
1
作者
王伟华
王杨
+4 位作者
舒国阳
房诗舒
韩杰才
代兵
朱嘉琦
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期1034-1048,共15页
位错是异质外延单晶金刚石合成过程中的重要线缺陷,而降低位错密度是金刚石在电子器件领域上应用的显著挑战。本文以降低Ir衬底上异质外延金刚石膜中位错密度为目标,首先对该过程中的位错产生、类型、表征等进行阐释,然后从理论与工艺...
位错是异质外延单晶金刚石合成过程中的重要线缺陷,而降低位错密度是金刚石在电子器件领域上应用的显著挑战。本文以降低Ir衬底上异质外延金刚石膜中位错密度为目标,首先对该过程中的位错产生、类型、表征等进行阐释,然后从理论与工艺相结合的角度总结了加剧位错反应(增加外延层厚度,偏轴衬底生长)、除去已有位错(横向外延过度生长,悬挂-横向外延生长,图形化形核生长)及其他方法(三维生长法、金属辅助终止法、采用金字塔型衬底法)在降低金刚石位错密度方面的最新进展,随后结合经典的大失配异质外延半导体体系降低位错的理论,提出了衬底图形化技术、超晶格缓冲层技术和柔性衬底技术等可通过抑制引入位错来进一步降低位错密度的研究方向,最后对本领域的发展现状和未来展望进行了总结。
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关键词
单晶金刚石
异质外延
位错控制
横向外延过度生长
衬底图形化
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职称材料
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
2
作者
刘鹏浩
江弘胜
+4 位作者
张明丹
张晓琴
陈胜
王文樑
李国强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期825-832,共8页
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄...
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点。文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景。
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关键词
Si基集成
Si基Ge薄膜
异质外延
位错控制
器件
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职称材料
题名
单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展
被引量：
2
1
作者
王伟华
王杨
舒国阳
房诗舒
韩杰才
代兵
朱嘉琦
机构
哈尔滨工业大学
哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院
哈尔滨工业大学
出处
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期1034-1048,共15页
基金
国家重点研发计划项目(2020YFA0709700,2016YFE0201600)
国家杰出青年基金项目(51625201)
+1 种基金
国家自然科学基金项目(52072087)
广东省重点研发计划项目(2020B010169002).
文摘
位错是异质外延单晶金刚石合成过程中的重要线缺陷,而降低位错密度是金刚石在电子器件领域上应用的显著挑战。本文以降低Ir衬底上异质外延金刚石膜中位错密度为目标,首先对该过程中的位错产生、类型、表征等进行阐释,然后从理论与工艺相结合的角度总结了加剧位错反应(增加外延层厚度,偏轴衬底生长)、除去已有位错(横向外延过度生长,悬挂-横向外延生长,图形化形核生长)及其他方法(三维生长法、金属辅助终止法、采用金字塔型衬底法)在降低金刚石位错密度方面的最新进展,随后结合经典的大失配异质外延半导体体系降低位错的理论,提出了衬底图形化技术、超晶格缓冲层技术和柔性衬底技术等可通过抑制引入位错来进一步降低位错密度的研究方向,最后对本领域的发展现状和未来展望进行了总结。
关键词
单晶金刚石
异质外延
位错控制
横向外延过度生长
衬底图形化
Keywords
Single crystal diamond
Heteroepitaxy
Dislocation reduction
Epitaxial lateral growth
Substrate patterning
分类号
TQ127.11 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
2
作者
刘鹏浩
江弘胜
张明丹
张晓琴
陈胜
王文樑
李国强
机构
中国电子科技集团重庆声光电有限公司
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期825-832,共8页
基金
广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010145001)。
文摘
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点。文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景。
关键词
Si基集成
Si基Ge薄膜
异质外延
位错控制
器件
Keywords
integration on Si
Si-based Ge film
heteroepitaxy
dislocation control
device
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展
王伟华
王杨
舒国阳
房诗舒
韩杰才
代兵
朱嘉琦
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
刘鹏浩
江弘胜
张明丹
张晓琴
陈胜
王文樑
李国强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
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职称材料
已选择
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