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金刚石单晶中的位错及其对器件影响的研究进展
1
作者
韩赛斌
胡秀飞
+7 位作者
王英楠
王子昂
张晓宇
彭燕
葛磊
徐明升
徐现刚
冯志红
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第20期33-46,共14页
金刚石是超宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、电子饱和漂移速度快、抗辐射性能好等优异性质,在功率器件、量子信息、辐射探测等高科技领域的应用越来越广泛。然而,与其他成熟的半导体材料如Si的...
金刚石是超宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、电子饱和漂移速度快、抗辐射性能好等优异性质,在功率器件、量子信息、辐射探测等高科技领域的应用越来越广泛。然而,与其他成熟的半导体材料如Si的零位错、SiC的螺位错(TSD)低于10^(2)cm^(-2)相比,金刚石单晶的位错密度处于10^(3)~10^(8)cm^(-2),这是其器件性能未能充分发挥的原因之一。研究位错机理和降低位错也是现阶段金刚石研究的热点之一。本文汇总分析了金刚石单晶中位错的主要类型和位错产生原因,重点讨论了金刚石位错的表征技术、位错密度降低方法以及位错的存在对不同器件性能的影响,最后总结了金刚石当前所面临的机遇和挑战,并展望了金刚石未来发展方向。
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关键词
金刚石
位错
位错
检测技术
位错密度降低方法
缺陷
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职称材料
碳化硅单晶位错研究进展
被引量：
2
2
作者
张家鑫
彭燕
+4 位作者
陈秀芳
谢雪健
杨祥龙
胡小波
徐现刚
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第11期1973-1982,共10页
SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底...
SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底质量还有很大的改善空间,是现阶段研发和产业的热点。其中SiC单晶缺陷,特别是一维位错缺陷的检测和降低,是近10年内重要的研究内容。本文重点对SiC中位错的形成原因、位错检测技术、位错密度降低方法及近年来SiC单晶中位错的优化水平进行总结归纳,并提出了SiC需要继续突破和发展的方向。
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关键词
SIC
位错
位错
形成原因
位错
检测技术
位错密度降低方法
位错
密度
优化水平
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职称材料
题名
金刚石单晶中的位错及其对器件影响的研究进展
1
作者
韩赛斌
胡秀飞
王英楠
王子昂
张晓宇
彭燕
葛磊
徐明升
徐现刚
冯志红
机构
山东大学新一代半导体材料研究院
山东大学晶体材料国家重点实验室
专用集成电路国家级重点实验室
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第20期33-46,共14页
基金
山东省重点研发计划(2022CXGC010103,2022ZLGX02)
国家自然科学基金(62004118)
+2 种基金
脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL2021KF08)
晶体材料国家重点实验室自主课题
国防科技重点实验室基金项目。
文摘
金刚石是超宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、电子饱和漂移速度快、抗辐射性能好等优异性质,在功率器件、量子信息、辐射探测等高科技领域的应用越来越广泛。然而,与其他成熟的半导体材料如Si的零位错、SiC的螺位错(TSD)低于10^(2)cm^(-2)相比,金刚石单晶的位错密度处于10^(3)~10^(8)cm^(-2),这是其器件性能未能充分发挥的原因之一。研究位错机理和降低位错也是现阶段金刚石研究的热点之一。本文汇总分析了金刚石单晶中位错的主要类型和位错产生原因,重点讨论了金刚石位错的表征技术、位错密度降低方法以及位错的存在对不同器件性能的影响,最后总结了金刚石当前所面临的机遇和挑战,并展望了金刚石未来发展方向。
关键词
金刚石
位错
位错
检测技术
位错密度降低方法
缺陷
Keywords
diamond
dislocation
dislocation detection technology
dislocation density reduction method
defect
分类号
O772 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
碳化硅单晶位错研究进展
被引量：
2
2
作者
张家鑫
彭燕
陈秀芳
谢雪健
杨祥龙
胡小波
徐现刚
机构
山东大学新一代半导体材料研究院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第11期1973-1982,共10页
文摘
SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底质量还有很大的改善空间,是现阶段研发和产业的热点。其中SiC单晶缺陷,特别是一维位错缺陷的检测和降低,是近10年内重要的研究内容。本文重点对SiC中位错的形成原因、位错检测技术、位错密度降低方法及近年来SiC单晶中位错的优化水平进行总结归纳,并提出了SiC需要继续突破和发展的方向。
关键词
SIC
位错
位错
形成原因
位错
检测技术
位错密度降低方法
位错
密度
优化水平
Keywords
SiC
dislocation
cause of dislocation formation
dislocation detection technology
method of reducing dislocation density
dislocation optimization level
分类号
O772 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金刚石单晶中的位错及其对器件影响的研究进展
韩赛斌
胡秀飞
王英楠
王子昂
张晓宇
彭燕
葛磊
徐明升
徐现刚
冯志红
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
2
碳化硅单晶位错研究进展
张家鑫
彭燕
陈秀芳
谢雪健
杨祥龙
胡小波
徐现刚
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
2
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职称材料
已选择
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参考文献
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