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金刚石单晶中的位错及其对器件影响的研究进展
1
作者
韩赛斌
胡秀飞
+7 位作者
王英楠
王子昂
张晓宇
彭燕
葛磊
徐明升
徐现刚
冯志红
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第20期33-46,共14页
金刚石是超宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、电子饱和漂移速度快、抗辐射性能好等优异性质,在功率器件、量子信息、辐射探测等高科技领域的应用越来越广泛。然而,与其他成熟的半导体材料如Si的...
金刚石是超宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、电子饱和漂移速度快、抗辐射性能好等优异性质,在功率器件、量子信息、辐射探测等高科技领域的应用越来越广泛。然而,与其他成熟的半导体材料如Si的零位错、SiC的螺位错(TSD)低于10^(2)cm^(-2)相比,金刚石单晶的位错密度处于10^(3)~10^(8)cm^(-2),这是其器件性能未能充分发挥的原因之一。研究位错机理和降低位错也是现阶段金刚石研究的热点之一。本文汇总分析了金刚石单晶中位错的主要类型和位错产生原因,重点讨论了金刚石位错的表征技术、位错密度降低方法以及位错的存在对不同器件性能的影响,最后总结了金刚石当前所面临的机遇和挑战,并展望了金刚石未来发展方向。
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关键词
金刚石
位错
位错
检测技术
位错密度降低方法
缺陷
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职称材料
题名
金刚石单晶中的位错及其对器件影响的研究进展
1
作者
韩赛斌
胡秀飞
王英楠
王子昂
张晓宇
彭燕
葛磊
徐明升
徐现刚
冯志红
机构
山东大学新一代半导体材料研究院
山东大学晶体材料国家重点实验室
专用集成电路国家级重点实验室
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第20期33-46,共14页
基金
山东省重点研发计划(2022CXGC010103,2022ZLGX02)
国家自然科学基金(62004118)
+2 种基金
脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL2021KF08)
晶体材料国家重点实验室自主课题
国防科技重点实验室基金项目。
文摘
金刚石是超宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、电子饱和漂移速度快、抗辐射性能好等优异性质,在功率器件、量子信息、辐射探测等高科技领域的应用越来越广泛。然而,与其他成熟的半导体材料如Si的零位错、SiC的螺位错(TSD)低于10^(2)cm^(-2)相比,金刚石单晶的位错密度处于10^(3)~10^(8)cm^(-2),这是其器件性能未能充分发挥的原因之一。研究位错机理和降低位错也是现阶段金刚石研究的热点之一。本文汇总分析了金刚石单晶中位错的主要类型和位错产生原因,重点讨论了金刚石位错的表征技术、位错密度降低方法以及位错的存在对不同器件性能的影响,最后总结了金刚石当前所面临的机遇和挑战,并展望了金刚石未来发展方向。
关键词
金刚石
位错
位错
检测技术
位错密度降低方法
缺陷
Keywords
diamond
dislocation
dislocation detection technology
dislocation density reduction method
defect
分类号
O772 [理学—晶体学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金刚石单晶中的位错及其对器件影响的研究进展
韩赛斌
胡秀飞
王英楠
王子昂
张晓宇
彭燕
葛磊
徐明升
徐现刚
冯志红
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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