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TA15钛合金热压缩变形位错演化分析
被引量：
3
1
作者
丁永根
孙建辉
+2 位作者
李萍
闻瑶
薛克敏
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期58-62,66,共6页
采用Gleeble—3500热模拟压缩试验机对TA15钛合金进行等温恒应变速率压缩实验,并应用材料分析测试技术(XRD与TEM)和相关定量计算理论(XRD线形傅氏分析法)分析其热压缩变形过程中的位错演化。结果表明,TA15钛合金热压缩变形过程中位错类...
采用Gleeble—3500热模拟压缩试验机对TA15钛合金进行等温恒应变速率压缩实验,并应用材料分析测试技术(XRD与TEM)和相关定量计算理论(XRD线形傅氏分析法)分析其热压缩变形过程中的位错演化。结果表明,TA15钛合金热压缩变形过程中位错类型主要为柱面(1010)、基面(0002)、锥面(1011)和(110)β面位错,位错密度均在1013~1014 cm-2范围内。当变形温度为950℃且变形量为40%时,随着应变速率的提高,柱面(1010)和(110)β面位错密度几乎不变;当变形量升至60%时,随应变速率的提高,各晶面的位错密度均显著降低。当应变速率为1s-1时,随变形量的增加,平均晶格应变和位错密度均减小;当变形量为60%时,晶格应变降到0.116%~0.138%,位错密度减小到(1.1~1.7)×1014 cm-2。在(α+β)两相区出现了由位错形成的"微观变形带"及位错胞结构;在β单相区板条状马氏体α'相内部位错密度较低,形成位错塞积群,且在位错塞积群和马氏体α'相之间形成高度的应力集中。
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关键词
TA15钛合金
位错
演化
晶格应变
微观变形带
位错塞积群
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职称材料
反平面残余应力作用下压电体界面裂尖分析
2
作者
肖万伸
张俊兰
谢超
《湖南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期60-65,共6页
研究了在反平面残余应力作用下,双相压电体界面裂纹的裂纹尖端撕开位移COD和裂纹尖端位错塞积群的数量问题.运用Riemann-Schwarz解析延拓技术与复势函数奇性主部分析方法,获得了该问题的一般解答.数据结果表明,压电效应对界面裂纹尖端...
研究了在反平面残余应力作用下,双相压电体界面裂纹的裂纹尖端撕开位移COD和裂纹尖端位错塞积群的数量问题.运用Riemann-Schwarz解析延拓技术与复势函数奇性主部分析方法,获得了该问题的一般解答.数据结果表明,压电效应对界面裂纹尖端撕开位移和裂纹尖端位错塞积群的数量的影响不大,可以忽略不计,两种材料属性的差异对界面裂纹尖端撕开位移和裂纹尖端位错塞积群的数量的影响比较明显.
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关键词
残余应力
压电体
界面裂纹尖端撕开位移
螺型
位错塞积群
裂纹尖端应力强度因子
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职称材料
光学显微术研究激光晶体Nd:GdVO4
3
作者
孙建亮
张吉果
陶绪堂
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期262-265,共4页
报道用光学显微技术观察Czochralski方发生长的新型激光材料Nd:GdVO4晶体中的生长缺陷的种类、形态和分布.这些缺陷包括:包裹物,色心,开裂,台阶面,位错,小角晶界和位错塞积群.讨论了这些缺陷的形成原因,提出了减少生长缺陷的措施.
关键词
ND:GDVO4晶体
包囊物
位错
小角晶界
位错塞积群
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职称材料
题名
TA15钛合金热压缩变形位错演化分析
被引量：
3
1
作者
丁永根
孙建辉
李萍
闻瑶
薛克敏
机构
合肥工业大学材料科学与工程学院
出处
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期58-62,66,共6页
基金
国家自然科学基金(51175137)
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-13-0765)
文摘
采用Gleeble—3500热模拟压缩试验机对TA15钛合金进行等温恒应变速率压缩实验,并应用材料分析测试技术(XRD与TEM)和相关定量计算理论(XRD线形傅氏分析法)分析其热压缩变形过程中的位错演化。结果表明,TA15钛合金热压缩变形过程中位错类型主要为柱面(1010)、基面(0002)、锥面(1011)和(110)β面位错,位错密度均在1013~1014 cm-2范围内。当变形温度为950℃且变形量为40%时,随着应变速率的提高,柱面(1010)和(110)β面位错密度几乎不变;当变形量升至60%时,随应变速率的提高,各晶面的位错密度均显著降低。当应变速率为1s-1时,随变形量的增加,平均晶格应变和位错密度均减小;当变形量为60%时,晶格应变降到0.116%~0.138%,位错密度减小到(1.1~1.7)×1014 cm-2。在(α+β)两相区出现了由位错形成的"微观变形带"及位错胞结构;在β单相区板条状马氏体α'相内部位错密度较低,形成位错塞积群,且在位错塞积群和马氏体α'相之间形成高度的应力集中。
关键词
TA15钛合金
位错
演化
晶格应变
微观变形带
位错塞积群
Keywords
TA15 titanium alloy
dislocation evolution
lattice strain
microscopic deformation band
dislocation pile group
分类号
TG146.23 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
反平面残余应力作用下压电体界面裂尖分析
2
作者
肖万伸
张俊兰
谢超
机构
湖南大学机械与运载工程学院
出处
《湖南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期60-65,共6页
文摘
研究了在反平面残余应力作用下,双相压电体界面裂纹的裂纹尖端撕开位移COD和裂纹尖端位错塞积群的数量问题.运用Riemann-Schwarz解析延拓技术与复势函数奇性主部分析方法,获得了该问题的一般解答.数据结果表明,压电效应对界面裂纹尖端撕开位移和裂纹尖端位错塞积群的数量的影响不大,可以忽略不计,两种材料属性的差异对界面裂纹尖端撕开位移和裂纹尖端位错塞积群的数量的影响比较明显.
关键词
残余应力
压电体
界面裂纹尖端撕开位移
螺型
位错塞积群
裂纹尖端应力强度因子
Keywords
residual stresses
piezoelectric body
interfacial crack opening displacement
screw dislocation pile-up group
stress intensity factor at the tip of crack
分类号
O343.7 [理学—固体力学]
在线阅读
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职称材料
题名
光学显微术研究激光晶体Nd:GdVO4
3
作者
孙建亮
张吉果
陶绪堂
机构
山东大学
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期262-265,共4页
基金
国家杰出青年科学基金(50325311)
优秀重点实验室奖励基金资助项目(50323006)
文摘
报道用光学显微技术观察Czochralski方发生长的新型激光材料Nd:GdVO4晶体中的生长缺陷的种类、形态和分布.这些缺陷包括:包裹物,色心,开裂,台阶面,位错,小角晶界和位错塞积群.讨论了这些缺陷的形成原因,提出了减少生长缺陷的措施.
关键词
ND:GDVO4晶体
包囊物
位错
小角晶界
位错塞积群
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TA15钛合金热压缩变形位错演化分析
丁永根
孙建辉
李萍
闻瑶
薛克敏
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2017
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
反平面残余应力作用下压电体界面裂尖分析
肖万伸
张俊兰
谢超
《湖南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
光学显微术研究激光晶体Nd:GdVO4
孙建亮
张吉果
陶绪堂
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
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