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低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正
1
作者
卢朝晖
吴和宇
+15 位作者
诸永泰
张保国
李祖玉
魏志勇
段利敏
王宏伟
肖志刚
胡荣江
靳根明
王素芳
陈陶
李湘庆
李智焕
柳永英
朱海东
陈克良
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期420-422,446,共4页
介绍了一种低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正方法 ,采用了与探测器中能量沉积相关的修正因子 ,f (Δ1,Δ2 ,E)调节可调参数Δ1和Δ2 ,对位置畸变进行了修正 。
关键词
位置灵敏硅探测器
低能量沉积
位置
畸变
修正因子
原因分析
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职称材料
题名
低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正
1
作者
卢朝晖
吴和宇
诸永泰
张保国
李祖玉
魏志勇
段利敏
王宏伟
肖志刚
胡荣江
靳根明
王素芳
陈陶
李湘庆
李智焕
柳永英
朱海东
陈克良
机构
中国科学院近代物理研究所
北京大学技术物理系
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期420-422,446,共4页
基金
中国科学院"百人计划"资助[1997]0 0 2 7号
文摘
介绍了一种低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正方法 ,采用了与探测器中能量沉积相关的修正因子 ,f (Δ1,Δ2 ,E)调节可调参数Δ1和Δ2 ,对位置畸变进行了修正 。
关键词
位置灵敏硅探测器
低能量沉积
位置
畸变
修正因子
原因分析
Keywords
position sensitive silicon detector,low energy deposit
position distortion
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
TL816.5 [核科学技术—核技术及应用]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正
卢朝晖
吴和宇
诸永泰
张保国
李祖玉
魏志勇
段利敏
王宏伟
肖志刚
胡荣江
靳根明
王素芳
陈陶
李湘庆
李智焕
柳永英
朱海东
陈克良
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
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