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题名双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计
被引量：2
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作者
李学瑞
秋小强
刘兴辉
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机构
辽宁大学物理学院
山东芯慧微电子科技有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第7期617-623,共7页
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基金
辽宁省自然科学基金资助项目(2021-MS-148)。
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文摘
针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平复制操作的开启时间,提高了数据写入SRAM的速度,使设计的SRAM可在更高频率下正常工作,同时降低了动态功耗。仿真结果显示,在0.9 V工作电压下,相对于经典位线电平复制结构,采用新结构设计的SRAM的写入时间缩短了约27.4%,动态功耗降低了约48.1%,抗干扰能力得到显著提升。
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关键词
双端口静态随机存储器(SRAM)
位线电平复制
写干扰
控制逻辑
数据写入时间
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Keywords
dual-port static random access memory(SRAM)
bit line level replication
write interference
control logic
data write time
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分类号
TN791
[电子电信—电路与系统]
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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