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伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展
被引量：
2
1
作者
刘芳
陈燕宁
+4 位作者
李建强
付振
袁远东
张海峰
唐晓柯
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期15-23,共9页
随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM...
随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM）,以及该模型中阈值电压、饱和电流和电容的基本建模理论。回顾了近年来体硅MOSFET BSIM的研究进展,着重从各种模型的优缺点、建模机理和适用范围方面分析了4种最有代表性的BSIM,即BSIM3v3,BSIM4,BSIM5和BSIM6。从模型的发展历史可以看出模型是随着MOSFET尺寸的缩小而不断完善和发展的。最后,对体硅MOSFET的模型发展趋势进行了展望。
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关键词
伯克利
短
沟
道
绝缘
栅
场效应
晶体管
模型
(BSIM)
阈值电压
饱和电流
电荷密度
夹断电势
电容
模型
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职称材料
基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
2
作者
王悦杨
马英杰
+4 位作者
白永林
吴佳颖
廉浩哲
唐敏
刘伟景
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期339-344,共6页
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过分析核壳结构沟道的材料与结构设计特点及其导通原理,确立并修正了部分相关的物理参数,准确地描述了沟道外壳厚度改变引起的器件特性变化,完成核/壳NSFET的SPICE模型构建及验证。结果表明,单器件的直流特性参数的平均提取误差小于3%,验证误差小于5%。所建模型可以准确描述不同沟道外壳厚度的n型核/壳NSFET的器件特性,为核/壳NSFET的研发及仿真应用提供参考。
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关键词
核壳结构
纳米片
场效应
晶体管
(NSFET)
TCAD
伯克利
短
沟
道
绝缘
栅
场效应
晶体管
公共多
栅
(
bsim-cmg
)
紧凑
模型
SPICE建模
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职称材料
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模
被引量：
1
3
作者
陈光前
王悦杨
+1 位作者
唐敏
刘伟景
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第5期442-448,共7页
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克...
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型,对NSFET进行直流特性建模。使用器件模型提取工具XModel提取器件的直流特性参数,包括单器件参数提取、温度及自热效应参数提取。结果表明,单器件直流特性参数提取平均误差小于5%,温度及自热效应的参数提取结果精准度较好,验证了模型的准确性。最后,构建并验证分组模型与工艺角模型。这些模型能准确描述不同尺寸和工艺波动对NSFET器件特性的影响,为加快高性能、低功耗NSFET的开发提供理论参考和实践指导。
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关键词
纳米片
场效应
晶体管
(NSFET)
TCAD
伯克利
短
沟
道
绝缘
栅
场效应
晶体管
公共多
栅
(BSIM⁃CMG)
紧凑
模型
直流特性
参数提取
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职称材料
题名
伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展
被引量：
2
1
作者
刘芳
陈燕宁
李建强
付振
袁远东
张海峰
唐晓柯
机构
北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室
北京智芯微电子科技有限公司北京市高可靠性集成电路设计工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期15-23,共9页
文摘
随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM）,以及该模型中阈值电压、饱和电流和电容的基本建模理论。回顾了近年来体硅MOSFET BSIM的研究进展,着重从各种模型的优缺点、建模机理和适用范围方面分析了4种最有代表性的BSIM,即BSIM3v3,BSIM4,BSIM5和BSIM6。从模型的发展历史可以看出模型是随着MOSFET尺寸的缩小而不断完善和发展的。最后,对体硅MOSFET的模型发展趋势进行了展望。
关键词
伯克利
短
沟
道
绝缘
栅
场效应
晶体管
模型
(BSIM)
阈值电压
饱和电流
电荷密度
夹断电势
电容
模型
Keywords
Berkeley short-channel insulated gate field effect transistor model （BSIM）
threshold voltage
saturation current
charge density
pinch-off potential
capacitance model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
2
作者
王悦杨
马英杰
白永林
吴佳颖
廉浩哲
唐敏
刘伟景
机构
上海电力大学电子与信息工程学院
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期339-344,共6页
文摘
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过分析核壳结构沟道的材料与结构设计特点及其导通原理,确立并修正了部分相关的物理参数,准确地描述了沟道外壳厚度改变引起的器件特性变化,完成核/壳NSFET的SPICE模型构建及验证。结果表明,单器件的直流特性参数的平均提取误差小于3%,验证误差小于5%。所建模型可以准确描述不同沟道外壳厚度的n型核/壳NSFET的器件特性,为核/壳NSFET的研发及仿真应用提供参考。
关键词
核壳结构
纳米片
场效应
晶体管
(NSFET)
TCAD
伯克利
短
沟
道
绝缘
栅
场效应
晶体管
公共多
栅
(
bsim-cmg
)
紧凑
模型
SPICE建模
Keywords
core-shell structure
nanosheet field effect transistor(NSFET)
TCAD
Berkley short-channel insulated gate field-effect transistor model-common multi-gate(
bsim-cmg
)compact model
SPICE modeling
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模
被引量：
1
3
作者
陈光前
王悦杨
唐敏
刘伟景
机构
上海电力大学电子与信息工程学院
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第5期442-448,共7页
基金
国家自然科学基金(62174055)。
文摘
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型,对NSFET进行直流特性建模。使用器件模型提取工具XModel提取器件的直流特性参数,包括单器件参数提取、温度及自热效应参数提取。结果表明,单器件直流特性参数提取平均误差小于5%,温度及自热效应的参数提取结果精准度较好,验证了模型的准确性。最后,构建并验证分组模型与工艺角模型。这些模型能准确描述不同尺寸和工艺波动对NSFET器件特性的影响,为加快高性能、低功耗NSFET的开发提供理论参考和实践指导。
关键词
纳米片
场效应
晶体管
(NSFET)
TCAD
伯克利
短
沟
道
绝缘
栅
场效应
晶体管
公共多
栅
(BSIM⁃CMG)
紧凑
模型
直流特性
参数提取
Keywords
nanosheet field⁃effect transistor(NSFET)
TCAD
Berkeley short⁃channel insulated gate field⁃effect transistor(IGFET)model⁃common multi⁃gate(BSIM⁃CMG)compact model
DC characteristic
parameter extraction
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展
刘芳
陈燕宁
李建强
付振
袁远东
张海峰
唐晓柯
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
王悦杨
马英杰
白永林
吴佳颖
廉浩哲
唐敏
刘伟景
《半导体技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模
陈光前
王悦杨
唐敏
刘伟景
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
1
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