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题名电子束抛光技术的研究进展
被引量：5
- 1
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作者
魏德强
李新凯
王晓冰
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机构
桂林电子科技大学
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期175-182,共8页
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基金
桂林市科学研究与技术开发计划项目(20150105-3)
桂林市科学研究与技术开发计划项目(20140101-7)~~
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文摘
随着现代制造业的发展,人们对于工件表面的精密性和质量提出了更高层次的要求,而抛光工艺不但影响产品的使用性能而且也影响产品的档次。传统的抛光工艺存在一些难以克服的问题,已很难满足当前对高质量工件表面性能的需求,作为新型非接触式抛光工艺的一种——电子束抛光,在目前的研究领域展现出显著的优势。本文概述了几种抛光技术的优缺点,并重点介绍了一种新型材料表面处理技术——电子束抛光,阐述了电子束表面抛光的基本原理及国内外电子束抛光的发展。介绍了电子束抛光作为一种新型表面抛光方法在研究领域中的应用,并综述了近年来电子束抛光研究的发展动态,简述了国内外相关领域的主要研究成果及取得的进展,包括电子束抛光机理的研究、不同材料电子束工艺参数的确定、入射角度对抛光效果的影响、物理模型的建立以及电子束抛光产生的熔坑、裂纹研究,并对电子束抛光技术未来的发展方向和前景做出了展望。电子束抛光技术作为一种极具优势的高能束表面改性技术将占据无法替代的地位。
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关键词
电子束抛光
材料表面处理
表面性能
传统抛光
综述
发展
机理
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Keywords
electron beam polishing
surface treatment technology of material
surface performance
traditional polishing
review
development
mechanism
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分类号
TG175
[金属学及工艺—金属表面处理]
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题名石英玻璃抛光表面层性质探索
被引量：2
- 2
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作者
李娜
蒋威
李亚国
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机构
河南工程学院
成都精密光学工程研究中心
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出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期38-39,共2页
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文摘
对采用传统沥青和聚氨酯抛光技术以及磁流变加工技术所加工的石英玻璃元件表面进行了实验。实验发现,传统抛光所加工石英元件表面层硬度大于磁流变(MRF)加工的表面层,其可能为传统加工与MRF不同的加工机理所导致。传统加工中材料的去除主要靠抛光粉颗粒与玻璃表面的正压力作用,其微观压强很高,足以引起石英的硬化或致密化。而MRF主要是剪切力引起材料去除,正压力很小,不能够达到引起石英致密化所需要的压强。抛光过程中,会同时发生机械作用的致密化和化学作用的离子交换,最终的表面性质由机械和化学作用同时决定。在MRF加工中,由于使用剪切力去除材料,因此机械致密化作用较弱,而化学作用较强,导致石英表面变小,折射率下降;而传统加工中机械作用较强,因此引起石英玻璃表面硬化,折射率增大。
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关键词
磁流变
传统抛光
石英玻璃
表面特性
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Keywords
magneto rheological finishing （MRF）
traditional polishing
fused silica
suriace properties
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分类号
TQ171
[化学工程—玻璃工业]
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题名雾化施液抛光硅片位错的化学腐蚀形貌分析
被引量：2
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作者
壮筱凯
李庆忠
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机构
江南大学机械工程学院
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期129-135,共7页
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基金
国家自然科学基金项目(51175228)~~
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文摘
目的研究硅片经雾化施液抛光技术加工后存在的位错缺陷。方法应用化学腐蚀法、光学方法分析硅片不同部位的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布,通过单因素实验研究雾化参数对位错形貌和位错密度的影响规律。在相同的工艺参数下,和传统抛光进行对比实验。结果雾化抛光硅片的平均位错密度为1.2×104/cm2,边沿处的位错密度小于其他区域。在相同的工艺参数下,雾化施液CMP的抛光液消耗量约为传统CMP的1/10,但硅片的位错腐蚀形貌和位错密度明显好于传统抛光,且蚀坑分布均匀分散,没有出现位错排等严重缺陷。通过增大雾化器的出雾量能有效改善硅片表层的位错缺陷。结论相对于传统抛光,雾化施液抛光技术能更加高效地去除硅片的位错缺陷。
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关键词
雾化施液
硅片
位错腐蚀坑
传统抛光
雾化参数
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Keywords
ultrasonic atomization
silicon wafer
dislocation etch pit
traditional CMP
atomization parameters
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分类号
TG175
[金属学及工艺—金属表面处理]
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