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锰硅化物在Si(111)-7×7表面的制备及其STM研究 被引量:3
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作者 王丹 邹志强 孙静静 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期99-102,共4页
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温至610℃的条件下锰在Si(111)-7×7表面的反应生长情况,制备出了锰纳米团簇和几种锰硅化物。实验结果表明:温度低于260℃时,生成了占据在衬底7×7结构亚单胞上大小统一的锰纳米团簇;温度高... 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温至610℃的条件下锰在Si(111)-7×7表面的反应生长情况,制备出了锰纳米团簇和几种锰硅化物。实验结果表明:温度低于260℃时,生成了占据在衬底7×7结构亚单胞上大小统一的锰纳米团簇;温度高于500℃时,生成的锰硅化物可分为三类:纳米线、平板状的岛和三维不规则的岛。除此以外,390℃至610℃锰硅化物岛的成核密度符合传统成核理论。 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 Si(111)-7×7重构表面 纳米团簇 锰硅化物 传统成核理论
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