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一系列单硅烷-寡聚噻吩共聚高分子膜中电荷传导研究 被引量:3
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作者 蒋晓青 播磨裕 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1403-1407,共5页
研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜(PSnT,n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数)在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化规律.结果表明,掺杂率极低(<0·2%)时各膜中的载流子迁移率接近,几乎不受n的影响;随着膜的掺杂... 研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜(PSnT,n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数)在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化规律.结果表明,掺杂率极低(<0·2%)时各膜中的载流子迁移率接近,几乎不受n的影响;随着膜的掺杂率的增加,各PSnT膜中的迁移率相继增大,n增大,迁移率在更低的掺杂率处开始增大,其增幅随着n的增加而增大.PS14T迁移率的增幅超过4个数量级,已与电化学合成的聚噻吩膜中观察到的迁移率增幅相当,表明此共聚物中的π-共轭长度已足以再现聚噻吩传导性能. 展开更多
关键词 迁移率 寡聚噻吩 共聚物 电荷传导 掺杂
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薄膜电致发光器件中SiO_2加速作用的直接证据 被引量:5
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作者 徐春祥 娄志东 徐叙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期187-191,共5页
本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO2对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B—V特性好,亮度较高的红色TFEL器件。我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件... 本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO2对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B—V特性好,亮度较高的红色TFEL器件。我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品,这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是,样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品,这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量,我们制备了样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al,使硫化镉中产生的电子先经过SiO2层,再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级,与不含硫化镉的样品的亮度接近,但其阈值电压较低,亮度—电压(B—V)曲线上升部分较陡,且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下,不含硫化镉的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO2中得到了明显的加速。 展开更多
关键词 薄膜 电致发光 传导电荷 硫化镉 电子加速
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非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真 被引量:5
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作者 刘远 姚若河 李斌 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期15-18,33,共5页
针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为... 针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响. 展开更多
关键词 非晶硅 薄膜晶体管 不饱和输出电流 数值仿真 空间电荷限制传导 漏致势垒降低
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发光器件及应用
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《中国光学》 EI CAS 1997年第5期6-7,共2页
TN383 97052837分层优化电致发光器件加速层的研究=Study of accelerationof layered optimization EL device[刊,中]/徐征(天津理工学院.天津(300191)),王向军,腾枫,陈立春(中科院激发态物理开放实验室.吉林,长春(130021))∥... TN383 97052837分层优化电致发光器件加速层的研究=Study of accelerationof layered optimization EL device[刊,中]/徐征(天津理工学院.天津(300191)),王向军,腾枫,陈立春(中科院激发态物理开放实验室.吉林,长春(130021))∥光电子.激光.—1996,7(6).—370—372,377对于加速层分别研究了SiO<sub>2</sub>和ZnS两种材料的加速作用及采用这两种材料作为加速层的器件的传导电荷情况,实验结果表明ZnS作加速层的电荷注入能力优于SiO<sub>2</sub>作加速层,但是后者对热电子的加速作用明显优于前者,而且在同等条件下,以SiO<sub>2</sub>作加速层的器件的亮度明显高于ZnS作加速层的器件。 展开更多
关键词 加速层 有机薄膜电致发光器件 加速作用 分层优化 同等条件 开放实验室 超辐射发光二极管 传导电荷 激发态 注入能力
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