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会聚偏光干涉测量晶体双折射率 被引量:1
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作者 毛谦敏 沈为民 李卫涛 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期124-127,共4页
光轴平行表面的晶片的会聚偏光干涉对晶体的双折射率非常敏感。干涉图的对称中心对应于正入射光线,双折射率正比于此点的干涉级md,md的小数部分主要由中央暗条纹的位置决定,md的整数部分由自洽的办法求出。干涉条纹可以用双曲线很好地拟... 光轴平行表面的晶片的会聚偏光干涉对晶体的双折射率非常敏感。干涉图的对称中心对应于正入射光线,双折射率正比于此点的干涉级md,md的小数部分主要由中央暗条纹的位置决定,md的整数部分由自洽的办法求出。干涉条纹可以用双曲线很好地拟合,使干涉图特征点的提取更为精确。用不同厚度的铌酸锂晶片作了测量,双折射率不确定度为1×10-4。 展开更多
关键词 晶体光学 折射率测量 会聚偏光干涉 单轴晶体 CCD摄像机
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线性测量法拉第旋转角的新型OCT设计 被引量:5
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作者 李超 林韩 徐启峰 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第24期46-54,共9页
传统的光学电流传感器(OCT)基于法拉第磁光效应、马吕斯定律和偏振光光强解调模式,存在动态测量范围受到限制、非线性测量、易受线双折射和温漂等问题。通过提出一种基于会聚偏光干涉原理的新型OCT,将法拉第旋转角转换为干涉条纹的线性... 传统的光学电流传感器(OCT)基于法拉第磁光效应、马吕斯定律和偏振光光强解调模式,存在动态测量范围受到限制、非线性测量、易受线双折射和温漂等问题。通过提出一种基于会聚偏光干涉原理的新型OCT,将法拉第旋转角转换为干涉条纹的线性位移,用线阵CCD像机采集位移图样并由图像处理算法计算位移量,得到电流信号的实时数字量。采用磁光薄膜代替传统的磁光玻璃或磁光晶体,以降低线双折射对测量结果的影响。通过实验验证,新型OCT能够测量的法拉第旋转角达到±64.51°,线性度良好,并有效降低了线双折射和温漂的影响。 展开更多
关键词 光学电流传感器 法拉第旋转角 会聚偏光干涉 磁光薄膜 温漂 线双折射
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