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4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型 被引量:5
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作者 常远程 张义门 张玉明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期467-471,共5页
在分析 4H SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上 ,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析 ,提出了一种计算反向电流密度的理论模型 .计算结果与实验数据的比较表明 ,隧道效应是反向... 在分析 4H SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上 ,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析 ,提出了一种计算反向电流密度的理论模型 .计算结果与实验数据的比较表明 ,隧道效应是反向电流的主要输运机理 . 展开更多
关键词 肖特基势垒二极管 隧道效应 碳化硅 -特性 解析模型
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多针对板电晕放电中针尖半径对伏—安特性影响 被引量:11
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作者 朱益民 孔祥鹏 +1 位作者 张曼霞 孙培廷 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期41-44,共4页
研究了多针对板电晕放电中针尖半径a变化时放电电流I和外加电压V的关系.实验得到,当a在 0.3 mm到1.0 mm 之间时,对I的变化影响不大;在a变小过程中,I值略有增加;当a小于0.1 mm时,I值有 明显的提高.前期研究中近似得到的伏-安关系式I... 研究了多针对板电晕放电中针尖半径a变化时放电电流I和外加电压V的关系.实验得到,当a在 0.3 mm到1.0 mm 之间时,对I的变化影响不大;在a变小过程中,I值略有增加;当a小于0.1 mm时,I值有 明显的提高.前期研究中近似得到的伏-安关系式I=CV(V-Vs)中C反比于dln(2d/a),这同实验结果矛盾.分析 指出伏-安关系式中Vs引入不正确,以阈值场强Ec处电压Vc代替Vs。修正伏-安关系式,最终得到实验和分析一 致的结果,并解释了多针对板放电中a对伏-安特性的影响. 展开更多
关键词 多针对板电晕放电 -特性 针尖半径
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非矩形荧光显示单元伏安特性的理论计算问题 被引量:2
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作者 傅慈海 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1996年第10期58-63,共6页
采用计入阴极位降的3/2次方公式计算非矩形荧光显示单元的伏安特性。分析等效二极管阳极电压3/2次方平均值Vd的相关范围及阳极有效面积Sd、栅阴距离dgc的取值原则,指出Vd与阳极的形状无关,对非矩形阳极的电极系统也适... 采用计入阴极位降的3/2次方公式计算非矩形荧光显示单元的伏安特性。分析等效二极管阳极电压3/2次方平均值Vd的相关范围及阳极有效面积Sd、栅阴距离dgc的取值原则,指出Vd与阳极的形状无关,对非矩形阳极的电极系统也适用;Sd与dgc应是互相垂直,如不符合,则取修正值;当算得的Sd大于阳极实有面积Sa时,应实取Sa值。以平板多位荧光数码管的“8”字符为例,选点测算,相当吻合。 展开更多
关键词 扁平显示管 电子管 显示单元 -特性 荧光显示器件 3/2次方定律
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程控伏安单元的研制
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作者 杨瑞洪 陈仲甘 《红外技术》 CSCD 1996年第3期45-48,F003,共5页
介绍一种适用于32×32元焦平面红外探测器伏一安特性自动测试用的专用仪器。本伏一安单元带IEEE-488接口,配上程控电流源和带接口的数字多用表,就可进行最多达32×32元的焦平面红外探测器伏-安特性的全自动... 介绍一种适用于32×32元焦平面红外探测器伏一安特性自动测试用的专用仪器。本伏一安单元带IEEE-488接口,配上程控电流源和带接口的数字多用表,就可进行最多达32×32元的焦平面红外探测器伏-安特性的全自动测试。 展开更多
关键词 -特性 焦平面 红外探测器 自动控制 测试
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基于双核微处理器的光伏电池测试系统设计
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作者 张平川 高倩 杨洋 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2012年第12期136-138,共3页
采用DSP+MCU双核16位微处理器SPCE061A作为控制和数据处理核心,设计实现了便携式光伏电池测试系统。利用SPCE061A内置的ADC/DAC完成数据采集和控制输出,利用其DSP强大数据运算能力对数据进行软件滤波,可以测量光伏电池的特征参数(开路... 采用DSP+MCU双核16位微处理器SPCE061A作为控制和数据处理核心,设计实现了便携式光伏电池测试系统。利用SPCE061A内置的ADC/DAC完成数据采集和控制输出,利用其DSP强大数据运算能力对数据进行软件滤波,可以测量光伏电池的特征参数(开路电压、电路电流、填充因子和光电转换效率),绘制光伏电池的I-V曲线,求得光伏电池的最佳工作点,并将数据传由RS-232接口送给上位机保存。为光伏电池研究及生产中的测试提供了可靠的仪器。 展开更多
关键词 电池 双核16位微处理器 -特性 牛顿迭代
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p—InGaAlP/p—GaAs异质结构的电流—电压特性
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作者 周华 《发光快报》 CSCD 1993年第6期36-39,共4页
关键词 异质结 -特性 价带不连续性
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高压脉冲负电晕荷电喷雾试验研究 被引量:21
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作者 陈志刚 周金木 +1 位作者 吴春笃 储金宇 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期128-131,149,共5页
为减少化学农药带来的污染,采用了荷电喷雾新技术。首先对负高压脉冲电晕荷电机理进行了理论分析,再用网状目标法通过调节电压、极距、电极直径、电极数目等参数进行电晕荷电试验,比较各因素对电晕放电伏-安特性影响及荷电后雾化效果;... 为减少化学农药带来的污染,采用了荷电喷雾新技术。首先对负高压脉冲电晕荷电机理进行了理论分析,再用网状目标法通过调节电压、极距、电极直径、电极数目等参数进行电晕荷电试验,比较各因素对电晕放电伏-安特性影响及荷电后雾化效果;测量不同电压下雾滴的索太尔直径;并用高速摄影拍摄雾滴带电射流破碎时的状态,得到射流破碎时的雾滴形状。理论分析和试验结果表明,电压越高,雾滴谱较窄,雾滴粒径变细,均匀度越高;揭示了不同影响因素下的雾滴荷电特性,为负高压脉冲电晕荷电喷雾技术的应用和设计提供了理论基础和试验数据。 展开更多
关键词 脉冲电晕荷电 荷电喷雾 电极 高电压 -特性
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非线性电路故障诊断模型的建立及神经网络求解的方法研究
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作者 谢宏 何怡刚 吴杰 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期55-57,90,共4页
分析并推导了含有非线性流控型电阻元件和非线性压控型电阻元件组成的非线性电阻网络的故障诊断方程,这是以支路故障标志量为未知的一组线性代数方程.在推导非线性元件的"故障标志量"时,消除由工作点变化引起的电参量的变化,... 分析并推导了含有非线性流控型电阻元件和非线性压控型电阻元件组成的非线性电阻网络的故障诊断方程,这是以支路故障标志量为未知的一组线性代数方程.在推导非线性元件的"故障标志量"时,消除由工作点变化引起的电参量的变化,保留由伏 安特性变化引起的电参量变化,它标志非线性元件本身发生了故障;文章还提出一种神经网络,可在线快速求解非线性电阻网络的故障方程的解,从而可在线对故障进行定位. 展开更多
关键词 非线性电阻网络 -特性 故障诊断模型 人工神经网络
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MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响 被引量:1
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作者 何日青 杨传仁 +2 位作者 陈宏伟 张继华 赵强 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第4期592-594,598,共4页
以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性。结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电... 以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性。结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电阻率且可改善电阻温度系数,当x(MgO)=5%时,小电流电阻率为178Ω.cm,电阻温度系数为-1.5×10-3/℃;适量的MgO含量有利于烧结致密化。 展开更多
关键词 线性电阻陶瓷 电阻率 电阻温度系数 -(v-i)特性
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