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基于MEMS技术的介质隔离压力传感器工艺研究被引量：2: 1; 作者郭源生《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2008年第11期18-19,31,共3页; 运用MEMS工艺技术制作的敏感元件和介质隔离特殊封装工艺,研制出压力传感器。在腔体内置填充架、充油位置、波纹膜结构等进行了技术创新,使产品的过滤脉冲压力、抗过载和温度系数具有一定的提高。并就创新点对参数影响等特征进行相关论述。; 关键词 MEMS工艺技术敏感元件介质隔离生产工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性: 2; 作者洪垣《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2001年第2期109-112,共4页; 对硅厚膜 BESOI介质隔离横向高压 p- i- n器件的击穿特性作了分析 ,并用计算机进行了模拟 ,从器件的几何图形和隔离偏压方面 ,提出了改善击穿特性的方法 .; 关键词高压p-i-n器件介质隔离厚膜BESOI 击穿电压功率集成电路几何图形隔离偏压; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化多孔硅隔离技术研究: 3; 作者陈南翔刘佑宝《半导体技术》 CAS 1987年第3期1-5,共5页; 我们对多孔硅氧化隔离技术进行了初步的实验研究.用SEM对PSL进行了观测.针对所出现的沟道漏电现象,采用了在热氧化之前于N_2中热处理的消除漏电方法.对OPS隔离性能的测量结果表明,与常规PN结隔离相比,击穿电压有了很大提高,漏电流也降... 展开更多; 关键词热氧化 SEM 氧化隔离介质隔离多孔硅 PSL 高温过程击穿电压阳极反应圈圈圈反应时间; 在线阅读下载PDF 职称材料

等离子体覆盖单极子天线的FDTD分析被引量：5: 4; 作者钱志华陈如山杨宏伟《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期510-513,共4页; 该文运用频依时域有限差分((FD)2TD)方法对附有介质隔离层的等离子体覆盖的单极子天线进行分析。借助一般色散媒质的时域有限差分(FDTD)公式,推导出适用于等离子体的差分公式。通过添加介质隔离层,并引入适当的校正,避免等离子体频率远... 展开更多; 关键词单极子天线等离子体介质隔离层频依时域有限差分; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究被引量：1: 5; 作者马奎杨发顺《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期740-745,共6页; 在单晶硅衬底上,通过三次外延和两次选择性掺杂,实现了一种新型的半绝缘结构。其中有一个隔离岛和衬底之间是非绝缘的,将纵向器件制作在此隔离岛中将不需要额外的体引出结构。相邻的隔离岛之间可通过反向偏置的pn结进行隔离,也可由填充... 展开更多; 关键词半绝缘纵向器件多次外延多次选择性掺杂介质隔离槽; 在线阅读下载PDF 职称材料

双极数字集成电路的高低温失效分析被引量：1: 6; 作者靳宝安《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2004年第4期93-96,共4页; 分析了在可靠性试验中双极型数字集成电路大批失效的原因,即电路中双层金属布线之间的SiO2绝缘介质在高低温的作用下所产生的应力导致了二次铝互连引线断裂开路,从而造成了该电路的失效。在此基础上改进了其生产工艺,完成了其设计定型,... 展开更多; 关键词表面钝化介质隔离双层金属布线; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于MEMS技术的介质隔离压力传感器工艺研究被引量：2: 1; 作者郭源生; 机构天津大学; 出处《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2008年第11期18-19,31,共3页; 文摘运用MEMS工艺技术制作的敏感元件和介质隔离特殊封装工艺,研制出压力传感器。在腔体内置填充架、充油位置、波纹膜结构等进行了技术创新,使产品的过滤脉冲压力、抗过载和温度系数具有一定的提高。并就创新点对参数影响等特征进行相关论述。; 关键词 MEMS工艺技术敏感元件介质隔离生产工艺; Keywords MEMS processing technology sensor component dielectric isolation production processing; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性: 2; 作者洪垣; 机构上海大学理学院; 出处《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2001年第2期109-112,共4页; 文摘对硅厚膜 BESOI介质隔离横向高压 p- i- n器件的击穿特性作了分析 ,并用计算机进行了模拟 ,从器件的几何图形和隔离偏压方面 ,提出了改善击穿特性的方法 .; 关键词高压p-i-n器件介质隔离厚膜BESOI 击穿电压功率集成电路几何图形隔离偏压; Keywords high voltage p-i-n device dielectrical isolation thick-film BESOI breakdown voltage; 分类号 TN312.401 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化多孔硅隔离技术研究: 3; 作者陈南翔刘佑宝; 机构北京师范大学陕西骊山微电子公司; 出处《半导体技术》 CAS 1987年第3期1-5,共5页; 文摘我们对多孔硅氧化隔离技术进行了初步的实验研究.用SEM对PSL进行了观测.针对所出现的沟道漏电现象,采用了在热氧化之前于N_2中热处理的消除漏电方法.对OPS隔离性能的测量结果表明,与常规PN结隔离相比,击穿电压有了很大提高,漏电流也降低了一个数量级.; 关键词热氧化 SEM 氧化隔离介质隔离多孔硅 PSL 高温过程击穿电压阳极反应圈圈圈反应时间; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名等离子体覆盖单极子天线的FDTD分析被引量：5: 4; 作者钱志华陈如山杨宏伟; 机构南京理工大学电子工程与光电技术学院; 出处《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期510-513,共4页; 基金国家杰出青年科学基金(60325103); 文摘该文运用频依时域有限差分((FD)2TD)方法对附有介质隔离层的等离子体覆盖的单极子天线进行分析。借助一般色散媒质的时域有限差分(FDTD)公式,推导出适用于等离子体的差分公式。通过添加介质隔离层,并引入适当的校正,避免等离子体频率远高于信号频率时短路情况的发生,并略为减小了等离子体对天线谐振频率造成的偏移。不同频率的等离子体对有/无介质隔离层的单极子天线回波损耗的计算结果表明:等离子体频率越大,对单极子天线的反射电压波形的影响、造成的谐振频率的偏移就越大。; 关键词单极子天线等离子体介质隔离层频依时域有限差分; Keywords monopole antenna plasma insulator （FD）^2TD; 分类号 TN821.3 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究被引量：1: 5; 作者马奎杨发顺; 机构贵州大学电子科学系贵州省微纳电子技术与软件技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期740-745,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61464002) 贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2014]2066号) +1 种基金贵州省重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201503); 文摘在单晶硅衬底上,通过三次外延和两次选择性掺杂,实现了一种新型的半绝缘结构。其中有一个隔离岛和衬底之间是非绝缘的,将纵向器件制作在此隔离岛中将不需要额外的体引出结构。相邻的隔离岛之间可通过反向偏置的pn结进行隔离,也可由填充二氧化硅和非掺杂多晶硅形成的介质隔离槽实现隔离。在外延层中进行多次选择性地掺杂反型杂质,经高温退火后形成夹层,将此夹层引出到硅片表面后偏置在合适的电位即可实现顶层和底层之间的隔离。电参数测试得到外延层和夹层之间形成的pn结的耐压为179 V,介质隔离槽的耐压为138 V。SEM图像显示介质隔离槽得到很好地实现。; 关键词半绝缘纵向器件多次外延多次选择性掺杂介质隔离槽; Keywords semi-insulation vertical device multi-epitaxy selectively multi-doping dielectric trenche; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极数字集成电路的高低温失效分析被引量：1: 6; 作者靳宝安; 机构陕西科技大学电气与电子工程学院; 出处《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2004年第4期93-96,共4页; 文摘分析了在可靠性试验中双极型数字集成电路大批失效的原因,即电路中双层金属布线之间的SiO2绝缘介质在高低温的作用下所产生的应力导致了二次铝互连引线断裂开路,从而造成了该电路的失效。在此基础上改进了其生产工艺,完成了其设计定型,为该产品的可靠性设计提供了工艺数据。; 关键词表面钝化介质隔离双层金属布线; Keywords surface passivation dielectric isolate two metal wired layers; 分类号 TN79 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于MEMS技术的介质隔离压力传感器工艺研究	郭源生	《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性	洪垣	《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氧化多孔硅隔离技术研究	陈南翔刘佑宝	《半导体技术》 CAS	1987	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	等离子体覆盖单极子天线的FDTD分析	钱志华陈如山杨宏伟	《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究	马奎杨发顺	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	双极数字集成电路的高低温失效分析	靳宝安	《陕西科技大学学报（自然科学版）》	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料