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题名介质隔离技术的新进展
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作者
谈长平
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机构
重庆电子部第
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期44-45,47,共3页
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文摘
本文介绍一种成品率高，而实现全介质隔离的ＳＯＩ技术。该技术利用助粘层对硅片进行粘合，实现以单晶硅取代ＳｉＯ２─多晶硅介质隔离片中的多晶硅支撑体，避免了长时间高温淀积多晶硅过程，从而克服了随硅片直径增加而加剧的硅片翘曲形变，简化了操作，缩短了工艺流程，便于批量加工，适用于大直径硅片，其成品率亦比ＳｉＯ２─多晶硅介质隔离高出５０％，并在双极型模拟电路抗辐照加固的实际试用中取得了成品率高、电参数一致性好的满意结果。
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关键词
介质隔离
集成电路
SOI
隔离
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Keywords
Silicon-on-insulator,Dielectrically isolated techlnology, Deposition of poly-Si
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分类号
TN405.95
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名介质隔离集成电路和它的应用
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作者
刘瑄
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出处
《集成电路应用》
1989年第4期34-35,共2页
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文摘
目前国内关于介质隔离集成电路的概念,正在受到重视,本文就对此做一个简单介绍。许多高性能模拟IC_s都要使用介质隔离技术。精密放大电路,视频电路和模拟开关,等电路在采用介质隔离技术后可以大大提高系统的性能。介质隔离是美国Harris半导体公司在六十年代引进商业领域的,后来,另外三个公司—Burr-Brown,Elantec和Sipex's——也已经加入了这个行列,都能提供介质隔离IC_s。
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关键词
集成电路
介质隔离
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分类号
TN405.95
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名氧化多孔硅隔离技术研究
- 3
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作者
陈南翔
刘佑宝
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机构
北京师范大学
陕西骊山微电子公司
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出处
《半导体技术》
CAS
1987年第3期1-5,共5页
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文摘
我们对多孔硅氧化隔离技术进行了初步的实验研究.用SEM对PSL进行了观测.针对所出现的沟道漏电现象,采用了在热氧化之前于N_2中热处理的消除漏电方法.对OPS隔离性能的测量结果表明,与常规PN结隔离相比,击穿电压有了很大提高,漏电流也降低了一个数量级.
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关键词
热氧化
SEM
氧化隔离
介质隔离
多孔硅
PSL
高温过程
击穿电压
阳极反应
圈圈圈
反应时间
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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题名一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究
被引量：1
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作者
马奎
杨发顺
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机构
贵州大学电子科学系
贵州省微纳电子技术与软件技术重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期740-745,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61464002)
贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2014]2066号)
+1 种基金
贵州大学博士基金资助项目(贵大人基合字(2013)20号)
贵州省重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201503)
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文摘
在单晶硅衬底上,通过三次外延和两次选择性掺杂,实现了一种新型的半绝缘结构。其中有一个隔离岛和衬底之间是非绝缘的,将纵向器件制作在此隔离岛中将不需要额外的体引出结构。相邻的隔离岛之间可通过反向偏置的pn结进行隔离,也可由填充二氧化硅和非掺杂多晶硅形成的介质隔离槽实现隔离。在外延层中进行多次选择性地掺杂反型杂质,经高温退火后形成夹层,将此夹层引出到硅片表面后偏置在合适的电位即可实现顶层和底层之间的隔离。电参数测试得到外延层和夹层之间形成的pn结的耐压为179 V,介质隔离槽的耐压为138 V。SEM图像显示介质隔离槽得到很好地实现。
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关键词
半绝缘
纵向器件
多次外延
多次选择性掺杂
介质隔离槽
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Keywords
semi-insulation
vertical device
multi-epitaxy
selectively multi-doping
dielectric trenche
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN303
[电子电信—物理电子学]
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题名双极数字集成电路的高低温失效分析
被引量：1
- 5
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作者
靳宝安
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机构
陕西科技大学电气与电子工程学院
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出处
《陕西科技大学学报（自然科学版）》
2004年第4期93-96,共4页
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文摘
分析了在可靠性试验中双极型数字集成电路大批失效的原因,即电路中双层金属布线之间的SiO2绝缘介质在高低温的作用下所产生的应力导致了二次铝互连引线断裂开路,从而造成了该电路的失效。在此基础上改进了其生产工艺,完成了其设计定型,为该产品的可靠性设计提供了工艺数据。
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关键词
表面钝化
介质隔离
双层金属布线
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Keywords
surface passivation
dielectric isolate
two metal wired layers
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分类号
TN79
[电子电信—电路与系统]
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题名硅片直接键合技术及应用
- 6
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作者
唐国洪
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机构
东南大学微电子中心
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出处
《电子器件》
CAS
1996年第4期256-261,共6页
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文摘
本文介绍了硅片键合技术和键合界面性能及其在高压功率器件。
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关键词
硅片直接键合
高压功率器件
介质隔离器件
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Keywords
Silicon Wafer Direct Bonding, High Voltage Power Devices, Dielectric Isolation Devices
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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题名OPA128静电计级运算放大器
被引量：5
- 7
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作者
张存滢
张国华
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机构
北京航空航天大学
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出处
《电子技术应用》
北大核心
1995年第8期39-40,45,共3页
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文摘
介绍具有超低偏置电流超高输入电阻的静电计级运算放大器OPA128的特点,应用中的特殊问题和典型应用电路.
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关键词
静电计级
介质隔离
PN结隔离
运算放大器
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分类号
TN722.77
[电子电信—电路与系统]
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题名适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
- 8
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作者
龚裕才
邹修庆
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机构
重庆电子工业部第
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期48-50,共3页
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文摘
本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统Ｖ形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统Ｖ形槽介质隔离方法的不足，给出了新的介质隔离方法的工艺路线，介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。
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关键词
介质隔离
集成电路
硅
硅片粘合
绝缘体
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Keywords
SOI,Dielectric isolation,Radiation hardening,Integrated voltage regulator
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分类号
TN405.95
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名混凝土耐污水腐蚀防护措施
被引量：1
- 9
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机构
建筑材料工业技术情报研究所
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出处
《江苏建材》
2020年第1期74-77,共4页
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文摘
由于混凝土的主要成分(水泥的水化物)可与硫酸反应,导致混凝土结构的最终破坏。因此,提高混凝士管道的抗蚀性和耐久性,一方面可通过改善混凝土本身的结构,提高其对腐蚀介质的抵御能力;另一方面,使混凝土与周围腐蚀介质隔离开来,以保护其不受侵蚀。理论上提高胶凝材料的抗硫酸侵蚀性能、控制腐蚀传质过程抑制或减少生物硫酸的生成都能缓解混凝土的微生物腐蚀。因此,防护措施主要包括混凝土改性、表面涂层保护和生物灭杀技术3大类。
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关键词
混凝土结构
混凝土改性
微生物腐蚀
介质隔离
抵御能力
胶凝材料
表面涂层
抗蚀性
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分类号
TU528
[建筑科学—建筑技术科学]
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题名医疗应用中的压力测量
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作者
Jacky Leff
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机构
霍尼韦尔传感与控制部
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出处
《电子产品世界》
2014年第6期74-75,共2页
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文摘
医疗设备设计人员在选择压力传感器时必须考虑耐受冷凝湿度这一棘手的问题。通常,他们需要在功能特点、封装类型和成本之间反复权衡。除此之外,除了大块头的重载介质隔离压力传感器,医疗设备几乎没有其他传感选项可供选择。
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关键词
医疗设备
压力测量
压力传感器
应用
设计人员
封装类型
介质隔离
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分类号
TH789
[机械工程—精密仪器及机械]
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