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光控介质谐振器稳频FET振荡器研究
1
作者
顾墨琳
蒋仁培
汪澄
《微波学报》
CSCD
北大核心
1998年第1期1-8,共8页
本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光...
本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光敏材料的光学效应，得出明晰的物理概念，使复杂问题简化，并较好地验证了实验结果。
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关键词
光控
介质谱振器
稳频
FET
振
荡
器
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职称材料
高Q Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质谐振器材料及其在毫米波系统中的应用
2
作者
汤炳谦
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期48-55,共8页
叙述了Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质谐振器材料的制备、结构、微波性能及典型应用。Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质材料介电常数εｒ为２９．５，频率温度系数τ≈０（－５５～＋８５℃），１０ＧＨｚ下最大无载Ｑ值１...
叙述了Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质谐振器材料的制备、结构、微波性能及典型应用。Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质材料介电常数εｒ为２９．５，频率温度系数τ≈０（－５５～＋８５℃），１０ＧＨｚ下最大无载Ｑ值１４７００，在２８ＧＨｚ测得Ｑ值约为４８００。这种材料具有高Ｑ值，特别适用于Ｘ以上波段作为振荡器电路中频率稳定元件。用这种介质谐振器已研制出８ｍｍ介质稳频微带耿氏振荡器，频率稳定度小于１０×１０－６／℃，最大输出功率达１８０ｍＷ。
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关键词
介质谱振器
毫米波
振
荡
器
Q值
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职称材料
题名
光控介质谐振器稳频FET振荡器研究
1
作者
顾墨琳
蒋仁培
汪澄
机构
南京电子技术研究所天线与微波重点实验室
东南大学
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
1998年第1期1-8,共8页
文摘
本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光敏材料的光学效应，得出明晰的物理概念，使复杂问题简化，并较好地验证了实验结果。
关键词
光控
介质谱振器
稳频
FET
振
荡
器
Keywords
Optical control, Photosensitive material, Dielectric resonator (DR ), Finite element method(FEM)
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
高Q Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质谐振器材料及其在毫米波系统中的应用
2
作者
汤炳谦
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期48-55,共8页
文摘
叙述了Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质谐振器材料的制备、结构、微波性能及典型应用。Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质材料介电常数εｒ为２９．５，频率温度系数τ≈０（－５５～＋８５℃），１０ＧＨｚ下最大无载Ｑ值１４７００，在２８ＧＨｚ测得Ｑ值约为４８００。这种材料具有高Ｑ值，特别适用于Ｘ以上波段作为振荡器电路中频率稳定元件。用这种介质谐振器已研制出８ｍｍ介质稳频微带耿氏振荡器，频率稳定度小于１０×１０－６／℃，最大输出功率达１８０ｍＷ。
关键词
介质谱振器
毫米波
振
荡
器
Q值
Keywords
Dielectric Resonator Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3 Millimeter-wave Oscillator Q Factor
分类号
TN752.5 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
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作者
出处
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1
光控介质谐振器稳频FET振荡器研究
顾墨琳
蒋仁培
汪澄
《微波学报》
CSCD
北大核心
1998
0
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职称材料
2
高Q Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质谐振器材料及其在毫米波系统中的应用
汤炳谦
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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