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不同气压下介质表面高功率微波击穿的数值模拟
被引量：
3
1
作者
蔡利兵
王建国
朱湘琴
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期2363-2368,共6页
介绍了用于模拟介质表面高功率微波击穿的粒子模拟-蒙特卡罗碰撞方法,并采用该方法模拟研究了氩气环境不同气压下的介质表面高功率微波击穿过程,获得了该击穿过程中粒子数量和电子平均能量的时间变化图像,并得到了击穿延迟时间。数值模...
介绍了用于模拟介质表面高功率微波击穿的粒子模拟-蒙特卡罗碰撞方法,并采用该方法模拟研究了氩气环境不同气压下的介质表面高功率微波击穿过程,获得了该击穿过程中粒子数量和电子平均能量的时间变化图像,并得到了击穿延迟时间。数值模拟结果发现:在低气压下,次级电子倍增的作用比较明显,但电子数量在次级电子倍增饱和后的增速较低,击穿延迟时间较长;随着气压的升高,次级电子倍增的影响逐渐变小,气体电离逐渐占主导地位,击穿延迟时间逐渐变短;在高气压下,由于介质表面吸收沉积电子而呈负电性,次级电子倍增消失,击穿延迟时间由气体碰撞电离来决定。
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关键词
介质表面击穿
高功率微波
次级电子倍增
粒子模拟-蒙特卡罗碰撞
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职称材料
题名
不同气压下介质表面高功率微波击穿的数值模拟
被引量：
3
1
作者
蔡利兵
王建国
朱湘琴
机构
西北核技术研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期2363-2368,共6页
基金
国家高技术发展计划项目
文摘
介绍了用于模拟介质表面高功率微波击穿的粒子模拟-蒙特卡罗碰撞方法,并采用该方法模拟研究了氩气环境不同气压下的介质表面高功率微波击穿过程,获得了该击穿过程中粒子数量和电子平均能量的时间变化图像,并得到了击穿延迟时间。数值模拟结果发现:在低气压下,次级电子倍增的作用比较明显,但电子数量在次级电子倍增饱和后的增速较低,击穿延迟时间较长;随着气压的升高,次级电子倍增的影响逐渐变小,气体电离逐渐占主导地位,击穿延迟时间逐渐变短;在高气压下,由于介质表面吸收沉积电子而呈负电性,次级电子倍增消失,击穿延迟时间由气体碰撞电离来决定。
关键词
介质表面击穿
高功率微波
次级电子倍增
粒子模拟-蒙特卡罗碰撞
Keywords
dielectric surface breakdown
high power microwave
multipactor
particle in cell-Monte Carlo collisions
分类号
O531 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同气压下介质表面高功率微波击穿的数值模拟
蔡利兵
王建国
朱湘琴
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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