研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的X波段介质振荡器设计方法。利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数rε和损耗角正切值tanδ以及DR的谐振频率。利用仿真软件建立微带线与谐...研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的X波段介质振荡器设计方法。利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数rε和损耗角正切值tanδ以及DR的谐振频率。利用仿真软件建立微带线与谐振器耦合模型,通过仿真提取其S2P文件。选用GaAs FET ATF26884作为电路中的放大器件,使用生成的S2P文件建立介质振荡器(DRO)电路模型,调整耦合段和输出匹配微带线的长度,得到较低的相位噪声。测试证明输出信号的相位噪声在偏离中心频率100 kHz处小于-100 dBc/Hz。展开更多
文摘研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的X波段介质振荡器设计方法。利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数rε和损耗角正切值tanδ以及DR的谐振频率。利用仿真软件建立微带线与谐振器耦合模型,通过仿真提取其S2P文件。选用GaAs FET ATF26884作为电路中的放大器件,使用生成的S2P文件建立介质振荡器(DRO)电路模型,调整耦合段和输出匹配微带线的长度,得到较低的相位噪声。测试证明输出信号的相位噪声在偏离中心频率100 kHz处小于-100 dBc/Hz。
