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碳氟感应耦合等离子体的SiO_2介质刻蚀的研究
被引量：
1
1
作者
虞一青
辛煜
宁兆元
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期146-150,共5页
使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征。结果表明,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频...
使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征。结果表明,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大而单调上升,与R的关系则存在R=8%处的刻蚀速率峰值。C2基团的发射谱线强度随R的变化类似于SiO2刻蚀速率对R的依赖关系,对此给出了解释。在此基础上,对SiO2介质光栅进行了刻蚀。结果显示,在较大的R及自偏压等条件下,刻蚀后的槽形呈轻微的锥形图案,同时光刻胶掩膜图形出现分叉。结合扫描电镜技术对此进行了分析,认为光刻胶表面与侧面的能量传递和聚合物再沉积是导致出现上述现象的原因。
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关键词
感应耦合等离子体
发射光谱
介质刻蚀
扫描电镜
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职称材料
新型前栅场发射器件的研究
被引量：
2
2
作者
杨帆
胡利勤
+2 位作者
林贺
郑隆武
郭太良
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期192-195,共4页
采用刻蚀型介质制作前栅场发射器件。该器件中阴栅结构的形成是利用刻蚀工艺刻蚀介质层,一次性实现栅孔和阴极电极的连通,最后利用电泳沉积工艺转移碳纳米管制备成阴极发射点阵。该工艺避免了对准或套印,使前栅场发射器件制作工艺更简单...
采用刻蚀型介质制作前栅场发射器件。该器件中阴栅结构的形成是利用刻蚀工艺刻蚀介质层,一次性实现栅孔和阴极电极的连通,最后利用电泳沉积工艺转移碳纳米管制备成阴极发射点阵。该工艺避免了对准或套印,使前栅场发射器件制作工艺更简单,降低了成本,更容易实现大面积制作。场发射测试表明当阳压在1500和2000 V时,栅压都能够有效地控制阴极的电子发射。
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关键词
刻蚀
型
介质
前栅场发射
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职称材料
题名
碳氟感应耦合等离子体的SiO_2介质刻蚀的研究
被引量：
1
1
作者
虞一青
辛煜
宁兆元
机构
苏州大学物理科学与技术学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期146-150,共5页
基金
国家自然科学基金(No.10305008)资助
文摘
使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征。结果表明,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大而单调上升,与R的关系则存在R=8%处的刻蚀速率峰值。C2基团的发射谱线强度随R的变化类似于SiO2刻蚀速率对R的依赖关系,对此给出了解释。在此基础上,对SiO2介质光栅进行了刻蚀。结果显示,在较大的R及自偏压等条件下,刻蚀后的槽形呈轻微的锥形图案,同时光刻胶掩膜图形出现分叉。结合扫描电镜技术对此进行了分析,认为光刻胶表面与侧面的能量传递和聚合物再沉积是导致出现上述现象的原因。
关键词
感应耦合等离子体
发射光谱
介质刻蚀
扫描电镜
Keywords
Inductively-coupled plasma, Optical emission spectroscopy, Dielectric etching, Scanning electron microscope
分类号
O53 [理学—等离子体物理]
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新型前栅场发射器件的研究
被引量：
2
2
作者
杨帆
胡利勤
林贺
郑隆武
郭太良
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期192-195,共4页
基金
国家"863"重大专项资助项目(2008AA03A313)
福建省自然科学基金项目(2009J05145)
场致发射显示技术教育部工程研究中心开放基金项目(KFJJ1009)
文摘
采用刻蚀型介质制作前栅场发射器件。该器件中阴栅结构的形成是利用刻蚀工艺刻蚀介质层,一次性实现栅孔和阴极电极的连通,最后利用电泳沉积工艺转移碳纳米管制备成阴极发射点阵。该工艺避免了对准或套印,使前栅场发射器件制作工艺更简单,降低了成本,更容易实现大面积制作。场发射测试表明当阳压在1500和2000 V时,栅压都能够有效地控制阴极的电子发射。
关键词
刻蚀
型
介质
前栅场发射
Keywords
Etching dielectric layer, Normal-gate, Field emission
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳氟感应耦合等离子体的SiO_2介质刻蚀的研究
虞一青
辛煜
宁兆元
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
新型前栅场发射器件的研究
杨帆
胡利勤
林贺
郑隆武
郭太良
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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职称材料
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