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硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析
1
作者
胡顺欣
李明月
+1 位作者
苏延芬
邓建国
《电子工业专用设备》
2015年第7期18-22,共5页
介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀...
介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤,接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加,部分Pt沿此通道穿透发射结进入中性基区形成深能级陷阱,在高反偏集电极-发射极电压VCE作用下进入扩展的集电结空间电荷区,增加了空间电荷区电子-空穴对的产生率和集电结反偏电流ICO,形成快速增大的集电极-发射极漏电流ICEO,导致芯片失效。
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关键词
硅微波双极晶体管
介质击穿/隧穿
等离子体充电效应
等离子体损伤
PtSi合金
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职称材料
题名
硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析
1
作者
胡顺欣
李明月
苏延芬
邓建国
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《电子工业专用设备》
2015年第7期18-22,共5页
文摘
介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤,接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加,部分Pt沿此通道穿透发射结进入中性基区形成深能级陷阱,在高反偏集电极-发射极电压VCE作用下进入扩展的集电结空间电荷区,增加了空间电荷区电子-空穴对的产生率和集电结反偏电流ICO,形成快速增大的集电极-发射极漏电流ICEO,导致芯片失效。
关键词
硅微波双极晶体管
介质击穿/隧穿
等离子体充电效应
等离子体损伤
PtSi合金
Keywords
Silicon microwave bipolar transistor
Dielectric breakdown or tunneling： Plasma charging effect
Plasma damage
PtSi alloy
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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出处
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1
硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析
胡顺欣
李明月
苏延芬
邓建国
《电子工业专用设备》
2015
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