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屏蔽材料对木星轨道卫星内部介质充电效应的影响研究 被引量:2
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作者 于向前 施伟红 +5 位作者 宋思宇 陈鸿飞 宗秋刚 邹鸿 陈傲 王永福 《中国空间科学技术》 CSCD 北大核心 2021年第5期21-27,共7页
在木星轨道的空间辐射环境中,占主导地位的粒子是能量大于1 MeV(甚至高于100 MeV)的高能电子,这可能会产生卫星内部介质充电效应。在卫星的防辐射设计中,通常需要一定厚度的材料来屏蔽这些电子,使得进入卫星内部的电子通量达到安全的水... 在木星轨道的空间辐射环境中,占主导地位的粒子是能量大于1 MeV(甚至高于100 MeV)的高能电子,这可能会产生卫星内部介质充电效应。在卫星的防辐射设计中,通常需要一定厚度的材料来屏蔽这些电子,使得进入卫星内部的电子通量达到安全的水平。利用所建立的GEANT4-RIC(radiation induced conductivity)方法,研究了运行于木星轨道的卫星对高能电子的最佳屏蔽材料设计。研究了铝、钛、铁、铜、钽和铅作为卫星屏蔽材料的可能性。研究结果表明,在木星探测任务中,为了减轻卫星内部介质充电效应,高原子序数材料比低原子序数材料在相同质量下提供的屏蔽效果更好。因此,用钛、铁、铜、钽或铅代替地球轨道卫星上常用的屏蔽材料铝,可以节省屏蔽质量。 展开更多
关键词 木星轨道 卫星内部介质充电效应 屏蔽材料 充电电场 充电电势 空间辐射
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用于深层充电评估的卫星介质电导率测量技术研究 被引量:5
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作者 王燕 张振龙 +3 位作者 全荣辉 黄建国 李宏伟 韩建伟 《航天器环境工程》 2012年第4期425-429,共5页
准确测量得到卫星介质材料的电导率对于卫星深层充电危害评估具有重要意义。在电荷贮存衰减法的基础上,文章提出了一种获得介质材料暗电导率和辐射诱导电导率的试验测量和数值计算方法,即采用90Sr-90Yβ放射源,在温度为20℃、束流密度为... 准确测量得到卫星介质材料的电导率对于卫星深层充电危害评估具有重要意义。在电荷贮存衰减法的基础上,文章提出了一种获得介质材料暗电导率和辐射诱导电导率的试验测量和数值计算方法,即采用90Sr-90Yβ放射源,在温度为20℃、束流密度为5pA/cm2的条件下对卫星常用的聚酰亚胺材料进行辐照试验,通过测得的材料表面电位随时间的变化曲线,拟合得到材料的暗电导率和辐射诱导电导率。该方法已在某卫星产品的充电评估中得到应用,计算结果与模拟试验结果符合较好。 展开更多
关键词 深层介质充电 暗电导率 辐射诱导电导率 电参数测量
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卫星介质深层充电中的主要物理问题 被引量:14
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作者 黄建国 陈东 师立勤 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期346-353,共8页
卫星介质深层充电效应是诱发地球同步轨道卫星运行故障和异常的重要因素之一,通过 计算机模拟对介质深层充电的时间常数、电场特征、以及屏蔽、介质厚度和接地方式对充电 所致最大电场的影响等主要物理问题进行了详细的分析,并给出了初... 卫星介质深层充电效应是诱发地球同步轨道卫星运行故障和异常的重要因素之一,通过 计算机模拟对介质深层充电的时间常数、电场特征、以及屏蔽、介质厚度和接地方式对充电 所致最大电场的影响等主要物理问题进行了详细的分析,并给出了初步的防护措施. 展开更多
关键词 介质深层充电 高能电子 计算机模拟 接地方式 地球同步轨道卫星
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卫星介质深层充电的两类计算模型对比分析 被引量:1
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作者 王松 唐小金 +1 位作者 武占成 易忠 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期202-208,共7页
计算模拟是评估航天器介质深层充电危害的重要研究方法之一.通过粒子输运模拟,可以得到特定空间辐射环境下介质中的电荷沉积分布,进而根据电位/电场计算模型,得到深层充电结果.前期研究多是围绕RIC(辐射诱导电导率)模型及其改进模型展开... 计算模拟是评估航天器介质深层充电危害的重要研究方法之一.通过粒子输运模拟,可以得到特定空间辐射环境下介质中的电荷沉积分布,进而根据电位/电场计算模型,得到深层充电结果.前期研究多是围绕RIC(辐射诱导电导率)模型及其改进模型展开的,而目前通常采用基于电流守恒定律的简单计算模型.为了研究二者关系,给出其各自求解方法,并采用已发表数据对计算结果进行验证;从理论上阐述了后者是RIC模型的进一步简化,只要二者考虑相同的介质电导率,则对应计算结果就是一致的;结合GEO恶劣电子辐射环境下平板介质模型在三类边界条件下的充电情况,进行了充分的仿真验证.相关结论为介质深层充电效应评估提供了有益参考. 展开更多
关键词 介质深层充电 RIC模型 电流守恒定律 粒子输运模拟 辐射诱导电导率
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高能电子辐照下介质-导体相间结构深层充电特性研究 被引量:1
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作者 郑汉生 杨涛 +2 位作者 韩建伟 张振龙 刘继奎 《航天器环境工程》 2017年第2期183-189,共7页
为研究影响介质-导体相间结构深层充电特性的内在因素,设计了不同构型的试验样品,利用90Sr放射源模拟空间高能电子环境对样品进行深层充电辐照试验,测量了充电电位的差异。并借助深层充电三维仿真软件计算介质-导体相间结构在不同几何... 为研究影响介质-导体相间结构深层充电特性的内在因素,设计了不同构型的试验样品,利用90Sr放射源模拟空间高能电子环境对样品进行深层充电辐照试验,测量了充电电位的差异。并借助深层充电三维仿真软件计算介质-导体相间结构在不同几何构型情况下的深层充电电位、电场分布。试验和仿真结果表明,介质最高表面电位以及介质内部最大电场均与介质宽度和高度呈正相关。其他条件不变时,介质越宽,或越高于导体表面,发生放电的风险就越高。在介质与导体侧面存在微小缝隙情况下,介质内最大电场显著增强,易发生内部击穿。而在介质与导体之间的真空间隙内,电场很容易超过击穿阈值,放电风险很大。航天工程应用中为降低此种结构深层充放电的风险,在满足绝缘性能及其他要求的前提下应尽量减小介质的宽度,降低介质与导体间的高度差,并确保介质与导体侧面接触良好。 展开更多
关键词 高能电子 介质深层充电 试验 三维仿真
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电容式RF MEMS开关介质层电荷积累消除方法 被引量:4
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作者 许成龙 李朋伟 +5 位作者 张文栋 桑胜波 胡杰 程超群 郭兴军 李刚 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第9期559-565,580,共8页
电容式RF MEMS开关是下一代高频通信领域中的关键部件。首先,介绍了电容式RF MEMS开关的结构、工作原理以及失效机理。介质充电是制约电容式RF MEMS开关长期可靠性的主要原因,介质膜中的陷阱以及施加在介质膜中高电场是引起介质层中电... 电容式RF MEMS开关是下一代高频通信领域中的关键部件。首先,介绍了电容式RF MEMS开关的结构、工作原理以及失效机理。介质充电是制约电容式RF MEMS开关长期可靠性的主要原因,介质膜中的陷阱以及施加在介质膜中高电场是引起介质层中电荷积累的根源。在此基础上,归纳总结了前期减少电荷积累所采用的不同途径,如改善介质层、降低驱动电压、优化驱动波形、优化结构设计和采用非静电的驱动方式等,并举例说明了这些途径的优缺点,最后讨论并指出了未来消除电荷积累的可行性研究方向。 展开更多
关键词 RF MEMS开关 介质充电 电荷积累 陷阱 电场
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静电式RF MEMS开关的可靠性 被引量:6
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作者 张永华 曹如平 赖宗声 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第11期701-707,共7页
MEMS开关是最常见的RF MEMS控制元件,是RF结构中一个关键的MEMS器件。长期可靠性是目前制约MEMS开关商业化进程中的一个主要问题。主要综述了静电式RF MEMS开关可靠性的新进展。欧姆式开关通常由于黏附或接触电阻的增大而失效,电容式开... MEMS开关是最常见的RF MEMS控制元件,是RF结构中一个关键的MEMS器件。长期可靠性是目前制约MEMS开关商业化进程中的一个主要问题。主要综述了静电式RF MEMS开关可靠性的新进展。欧姆式开关通常由于黏附或接触电阻的增大而失效,电容式开关的主要失效机理则与电介质层的充电有关。接触材料的选择是决定欧姆开关可靠性最重要的一个因素,"主动断开/被动接触"MEMS开关适用于软金属材料欧姆接触的可靠性要求。改善电容式开关可靠性的途径是改善介电层、优化驱动电压波形等以减小介质层的充电。 展开更多
关键词 射频微电子机械系统(RF MEMS) 开关 可靠性 欧姆接触 介质充电
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航天器充放电在轨探测试验的发展 被引量:6
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作者 杨垂柏 王世金 梁金宝 《上海航天》 北大核心 2006年第2期28-32,共5页
介绍了航天器充放电中表面充电和深层介质充电的产生原因,以及充放电试验的发展。分析了国外瞬态脉冲监测仪(TPM)、充电电气效应分析仪(CEEA)、IDM装置、PASP Plus试验、集约环境异常传感器(CEASE)、DDE试验,以及悬浮电位探测单元(FPMU... 介绍了航天器充放电中表面充电和深层介质充电的产生原因,以及充放电试验的发展。分析了国外瞬态脉冲监测仪(TPM)、充电电气效应分析仪(CEEA)、IDM装置、PASP Plus试验、集约环境异常传感器(CEASE)、DDE试验,以及悬浮电位探测单元(FPMU)等充放电试验的原理及其试验结果。最后,根据国外的经验和发展趋势,对国内航天器充放电在轨测试的目的、发展步骤,以及与各种空间物理量的关系等提出了相应的建议。 展开更多
关键词 航天器 充放电 表面充电 深层介质充电 在轨测试
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Mitigating Deep Dielectric Charging Effects at the Orbits of Jovian Planets 被引量:2
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作者 YU Xiangqian SONG Siyu +4 位作者 CHEN Hongfei ZONG Qiugang ZOU Hong SHI Weihong CHEN Ao 《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》 EI CSCD 2020年第5期804-815,共12页
Deep dielectric charging/discharging,caused by high energy electrons,is an important consideration in electronic devices used in space environments because it can lead to spacecraft anomalies and failures.The Jovian p... Deep dielectric charging/discharging,caused by high energy electrons,is an important consideration in electronic devices used in space environments because it can lead to spacecraft anomalies and failures.The Jovian planets,including Saturn,Uranus,Neptune and Jupiter’s moons,are believed to have robust electron radiation belts at relativistic energies.In particular,Jupiter is thought to have caused at least 42 internal electrostatic discharge events during the Voyager 1 flyby.With the development of deep space exploration,there is an increased focus on the deep dielectric charging effects in the orbits of Jovian planets.In this paper,GEANT4,a Monte Carlo toolkit,and radiation-induced conductivity(RIC)are used to calculate deep dielectric charging effects for Jovian planets.The results are compared with the criteria for preventing deep dielectric charging effects in Earth orbit.The findings show that effective criteria used in Earth orbit are not always appropriate for preventing deep dielectric charging effects in Jovian orbits.Generally,Io,Europa,Saturn(R_S=6),Uranus(L=4.73)and Ganymede missions should have a thicker shield or higher dielectric conductivity,while Neptune(L=7.4)and Callisto missions can have a thinner shield thickness or a lower dielectric conductivity.Moreover,dielectrics grounded with double metal layers and thinner dielectrics can also decrease the likelihood of discharges. 展开更多
关键词 Jovian planets orbits Earth orbits deep dielectric charging effect space radiation
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