期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
蒸发诱导自组装仿生合成高有序度三维六方介孔氧化硅薄膜 被引量:2
1
作者 田甜 骆志刚 +2 位作者 张学骜 吴文健 王建方 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1653-1656,共4页
借鉴自然界生物矿化的形成机理,利用蒸发诱导自组装(EISA)的方法,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为结构导向剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,通过浸渍提拉在普通玻璃片上制备出高有序度、三维六方结构的介孔氧化硅薄膜,通过XRD、TEM、低温N2吸... 借鉴自然界生物矿化的形成机理,利用蒸发诱导自组装(EISA)的方法,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为结构导向剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,通过浸渍提拉在普通玻璃片上制备出高有序度、三维六方结构的介孔氧化硅薄膜,通过XRD、TEM、低温N2吸附/脱附等方法对薄膜进行了表征,并初步讨论了形成三维六方结构的机理。 展开更多
关键词 仿生合成 蒸发诱导自组装 制备 三维六方 介孔氧化硅薄膜
在线阅读 下载PDF
超低介电常数介孔氧化硅薄膜的制备及其表征 被引量:1
2
作者 袁昊 李庆华 +3 位作者 沙菲 解丽丽 田震 王利军 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1587-1592,共6页
研究了以正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MeSi(OEt)_3)为混合硅源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,采取旋涂技术,在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜,再经过正硅酸乙酯(TEOS)蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔道... 研究了以正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MeSi(OEt)_3)为混合硅源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,采取旋涂技术,在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜,再经过正硅酸乙酯(TEOS)蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔道内的模板剂,制备出具有超低介电性能的氧化硅薄膜。使用FTIR、XRD和SEM对样品进行了结构表征,并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数(k),纳米硬度计测量薄膜的弹性模量。介孔氧化硅薄膜在常温常湿条件下存放15d后,介电常数仍旧维持在超低值范围内,k=1.80,弹性模量大于6GP,很好地满足了其在超大规模集成电路中应用的要求。 展开更多
关键词 TEOS蒸汽 甲基化 介孔氧化硅薄膜 超低电常数
在线阅读 下载PDF
有序介孔氧化硅薄膜制备及其TiO2组装 被引量:1
3
作者 王孝利 周斌 +3 位作者 徐展 徐翔 张志华 沈军 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第B09期55-60,共6页
采用正硅酸乙酯(TEOS)作硅源,分别以阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和两亲性三嵌段共聚物(EO20PO70EO20)为模板剂,盐酸为催化剂,利用溶胶-凝胶工艺(solgel),通过提拉法在常压下制备介孔氧化硅薄膜。XRD和TEM... 采用正硅酸乙酯(TEOS)作硅源,分别以阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和两亲性三嵌段共聚物(EO20PO70EO20)为模板剂,盐酸为催化剂,利用溶胶-凝胶工艺(solgel),通过提拉法在常压下制备介孔氧化硅薄膜。XRD和TEM测试结果表明,介孔氧化硅薄膜具有高度有序性。分别以这两种薄膜为模板,通过向模板内压入TiCl4液体,并用水解、高温热处理等方法,合成了直径为50~300nm的纳米TiO2纤维,并用SEM对其进行了表征。纳米TiO2纤维并不能形成于未去除模板剂的薄膜或未镀膜的基底上。纳米TiO2纤维的形貌可通过调节介孔氧化硅薄膜的孔径大小来控制。经200-600℃高温热处理后,纳米TiO2纤维呈锐钛矿结构。随着热处理温度升高,纳米TiO2纤维的晶化程度增加。 展开更多
关键词 介孔氧化硅薄膜 模板 纳米TiO2纤维
在线阅读 下载PDF
疏水介孔二氧化硅膜的制备与表征 被引量:9
4
作者 于春晓 韦奇 +3 位作者 王艳丽 李群艳 聂祚仁 邹景霞 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第6期957-962,共6页
用甲基三乙氧基硅烷(MTES)代替部分正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,以聚乙烯醚-聚丙烯醚-聚乙烯醚三嵌段共聚物(P123)作有机模板剂,通过共水解缩聚反应制备了甲基修饰的介孔SiO2膜。利用N2吸附、FTIR、29SiMASNMR以及接触角测量仪对膜的孔... 用甲基三乙氧基硅烷(MTES)代替部分正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,以聚乙烯醚-聚丙烯醚-聚乙烯醚三嵌段共聚物(P123)作有机模板剂,通过共水解缩聚反应制备了甲基修饰的介孔SiO2膜。利用N2吸附、FTIR、29SiMASNMR以及接触角测量仪对膜的孔结构和疏水性进行了表征。结果表明,修饰后的膜材料具有良好的介孔结构,最可几孔径为4.65nm,孔体积为0.69cm3·g-1,比表面积为938.4m2·g-1;同时疏水性明显提高,当nMTES/nTEOS达到1.0时,其对水的接触角达到109°±1.1°。气体渗透实验表明气体通过膜孔的扩散由努森机制所控制。 展开更多
关键词 介孔氧化硅薄膜 结构 疏水性
在线阅读 下载PDF
超薄磺酸化垂直介孔二氧化硅膜的制备及选择透过性研究 被引量:2
5
作者 冯安芯 刘影 +2 位作者 汤帅 林陆健 孙霞 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期256-261,共6页
介孔二氧化硅膜因纳米孔道孔径小、垂直且带负电荷而具有良好的阳离子选择透过性。将磺酸基负载于二氧化硅膜的介孔孔道可以增加孔道表面电荷密度,提高膜对阳离子的选择透过性。结合St9ber溶液生长法和共缩合法在氧化铟锡镀膜基片上原... 介孔二氧化硅膜因纳米孔道孔径小、垂直且带负电荷而具有良好的阳离子选择透过性。将磺酸基负载于二氧化硅膜的介孔孔道可以增加孔道表面电荷密度,提高膜对阳离子的选择透过性。结合St9ber溶液生长法和共缩合法在氧化铟锡镀膜基片上原位合成了具有垂直介孔的超薄磺酸化二氧化硅膜(SMSF)。通过透射电子显微镜、扫描电子显微镜以及电化学等手段对样品进行表征。结果表明,制备的SMSF连续致密,厚度约为50nm,其纳米通道具有垂直取向。选择透过性实验表明,当电解液浓度低于0.1mol/L时,SMSF对阳离子的选择透过性较好。当浓度差值在5~100时,SMSF对Na^(+)的选择透过性与浓度差呈正相关。因此,在适当的浓度范围内通过提高浓度差可使膜对阳离子获得较高的选择透过性。SMSF有望在盐差能的收集方面得到广泛应用。 展开更多
关键词 磺酸化 氧化硅薄膜 循环伏安法 选择透过性 阳离子
在线阅读 下载PDF
垂直有序介孔二氧化硅的离子选择渗透性研究
6
作者 王巧红 李婉珍 苏彬 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期440-444,共5页
采用Stber溶液生长法,在氧化铟锡(ITO)导电基底上合成了孔道高度有序且垂直于基底的介孔二氧化硅薄膜(Mesoporous silica film,MSF),其孔径约为2.3nm.利用循环伏安法探究了MSF孔道对带不同电荷的探针分子的选择渗透性;此外,利用纳米... 采用Stber溶液生长法,在氧化铟锡(ITO)导电基底上合成了孔道高度有序且垂直于基底的介孔二氧化硅薄膜(Mesoporous silica film,MSF),其孔径约为2.3nm.利用循环伏安法探究了MSF孔道对带不同电荷的探针分子的选择渗透性;此外,利用纳米通道的尺寸效应和电荷效应,研究了溶液的离子强度对MSF孔道选择渗透性的影响,设计了具有"开/关"效应的智能响应界面. 展开更多
关键词 纳米通道 氧化硅薄膜 选择渗透性 双电层 离子强度
在线阅读 下载PDF
介孔SiO2薄膜增敏SERS基底在消逝波激励下的特性表征 被引量:1
7
作者 赵乔 逯丹凤 +1 位作者 陈晨 祁志美 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第12期2335-2341,共7页
采用溶胶-凝胶分子模板法在50 nm厚金膜表面制备约40 nm厚介孔二氧化硅(MPS)薄膜,然后在MPS薄膜表面静电自组装金纳米粒子(GNP)单层膜,形成的多层膜结构用作表面增强拉曼散射(SERS)基底.利用扫描电镜观测到MPS薄膜具有表面开口多孔结构... 采用溶胶-凝胶分子模板法在50 nm厚金膜表面制备约40 nm厚介孔二氧化硅(MPS)薄膜,然后在MPS薄膜表面静电自组装金纳米粒子(GNP)单层膜,形成的多层膜结构用作表面增强拉曼散射(SERS)基底.利用扫描电镜观测到MPS薄膜具有表面开口多孔结构,有助于小分子向薄膜内快速扩散.基于时域有限差分(FDTD)方法对电场分布的仿真结果指出,在表面等离子体共振(SPR)条件下分布于金膜与GNP之间的消逝场显著增强.由于空间重叠,该增强场能够高效激发MPS内富集的小分子拉曼信号,产生的拉曼信号还可免受金属作用的干扰.利用Kretschmann结构和尼罗蓝(NB)拉曼活性分子测试了Au/MPS/GNP基底在785 nm激发波长下的SERS效果,并与Au/GNP基底进行了比较.结果表明,在SPR条件下,Au/MPS/GNP基底能够导致较强的定向和背向拉曼信号,而且在586 cm-1处的背向拉曼信号强度是Au/GNP基底的40倍,这归功于MPS薄膜.进一步测试表明背向拉曼信号强度与NB浓度成正相关.这意味着Au/MPS/GNP基底具有良好的半定量检测本领. 展开更多
关键词 表面开口氧化硅薄膜 消逝场激励 定向和背向拉曼信号 半定量分析
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部