提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model,HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件,模拟MOS管遭受的HBM应力,得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明,两者保持线性关系...提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model,HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件,模拟MOS管遭受的HBM应力,得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明,两者保持线性关系,并通过拉普拉斯变化得到证明。与现有的瞬态功率模型相比,改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度,可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生,给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考。展开更多
文摘提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model,HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件,模拟MOS管遭受的HBM应力,得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明,两者保持线性关系,并通过拉普拉斯变化得到证明。与现有的瞬态功率模型相比,改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度,可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生,给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考。
