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高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析 被引量:4
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作者 邓云龙 廖常俊 +2 位作者 刘颂豪 范广涵 文尚胜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期255-260,共6页
通过对典型结构的高亮度发光二极管 (HB LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析 ,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系 ,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大 ,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展... 通过对典型结构的高亮度发光二极管 (HB LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析 ,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系 ,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大 ,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展、光容易耦合输出。优化设计后得到顶层厚度应该在 4 9~ 98μm之间。最后给出器件外量子效率与顶层厚度的关系曲线 ,并预言以GaAs为吸收衬底的LED外量子效率最大不超过 12 1%。 展开更多
关键词 电注入 光输出 理论分析 亮度发光二极管 内量子效率 外量子效率 电流密度分布
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高p型掺杂对高亮度发光二极管的作用 被引量:2
2
作者 邓云龙 廖常俊 刘颂豪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期72-75,共4页
根据统计学理论系统分析了p掺杂在高亮度发光二极管中(HB-LED)的作用,研究了p型限制层掺杂浓度及浓度梯度变化时导带势垒的变化,由此得到对提高电子有效约束的浓度范围;提高电流扩展层的掺杂浓度,减小电阻率,使得注入器件的电流得到充... 根据统计学理论系统分析了p掺杂在高亮度发光二极管中(HB-LED)的作用,研究了p型限制层掺杂浓度及浓度梯度变化时导带势垒的变化,由此得到对提高电子有效约束的浓度范围;提高电流扩展层的掺杂浓度,减小电阻率,使得注入器件的电流得到充分的扩展。两者是提高器件的外量子效率非常有效的方法。实验证明了理论分析是正确的。 展开更多
关键词 p型高掺杂 亮度发光二极管 电流扩散 浓度梯度 导带势垒
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高亮度发光二极管波长测量实验的设计 被引量:2
3
作者 张凤兰 《实验技术与管理》 CAS 2005年第3期31-33,共3页
用伏安法测出了发光二极管的正向伏安特性,根据伏安特性曲线,找到开启电压,并利用公式计算出发光二极管发出光的波长.
关键词 亮度发光二极管 波长测量 开启电压 伏安特性曲线 公式计算 伏安法 实验
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超高亮度发光二极管芯片切割技术 被引量:2
4
作者 钟继 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期606-609,共4页
介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景。结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯... 介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景。结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯片脱落以及划片裂片不良等问题进行了探讨并提出了解决方法。指出激光切割技术是LED芯片切割工艺发展的必然趋势。 展开更多
关键词 超高亮度发光二极管 芯片 切割
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第二届超高亮度发光二极管(LED)和半导体照明产业发展与应用论坛征文启事
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《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期341-341,共1页
半导体照明技术将使照明光源发生巨大变革,世界照明史正在翻开新的一页。面对超高亮度发光二极管市场的巨大需求与商机,我国政府相关部委积极引导推动,反响巨大。企业团体积极应对,成绩斐然。
关键词 超高亮度发光二极管 半导体照明技术 发光二极管(LED) 发展与应用 第二届 征文 论坛 产业 照明光源
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第二届超高亮度发光二极管(LED)和半导体照明产业发展与应用论坛征文启事
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《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期455-455,共1页
关键词 亮度发光二极管 LED 半导体 照明产业
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高亮度LED在物理实验中的应用 被引量:10
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作者 邓剑平 马鸿洋 王淑梅 《实验室研究与探索》 CAS 2003年第3期101-102,共2页
介绍了高亮度发光二极管LED在提高学生光学实验效果方面的几点应用。
关键词 亮度发光二极管 LED 物理实验 光学实验 实验器件
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发光与发光器件
8
《中国光学》 EI CAS 2000年第1期8-9,共2页
O482.31 2000010048原位测量高压下氮碳膜的光致发光效应和结构相变的探索研究[刊,中]/赵箐,车荣钲,徐积仁(中科院物理研究所光物理实验室和中科院凝聚态物理中心.北京(100080))//量子电子学报.—1998,15(1).—105应用DAC(diamon... O482.31 2000010048原位测量高压下氮碳膜的光致发光效应和结构相变的探索研究[刊,中]/赵箐,车荣钲,徐积仁(中科院物理研究所光物理实验室和中科院凝聚态物理中心.北京(100080))//量子电子学报.—1998,15(1).—105应用DAC(diamond anvil cell)高压技术,研究了高压下氮碳薄膜的结构变化,探索合成氮碳晶体的新途径。实时原位测量了氮碳薄膜激光诱导荧光光谱随气压(≤24 GPa)的变化,观察到随气压增加荧光逐渐减弱直至猝灭的发光现象,以及卸压后的荧光再次增强并给出初步解释,显微红外吸收光谱低频扩展的气压后效应,为发光机理提供了较为直接的判据。(于晓光)O482.31 2000010049退火温度对InP晶体中Er<sup>3+</sup>离子的发光特性影响的研究=Study of the irfluence of annealing temper- 展开更多
关键词 光致发光 氮碳薄膜 原位测量 激光诱导荧光光谱 发光机理 红外吸收光谱 探索研究 亮度发光二极管 发光特性 量子电子学
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发光与发光器件
9
《中国光学》 EI CAS 2003年第2期3-6,共4页
O482.31 2003020814利用冷却诱发的碱金属钠和钾蒸汽的发光=Light emissioninduced by cooling alkali metal vapors in monoatomicgases[刊,中]/廖赤虹(日本独立行政法人消防研究所.日本,东京),鹤田俊…//光电子·激光.-2002,13(7)... O482.31 2003020814利用冷却诱发的碱金属钠和钾蒸汽的发光=Light emissioninduced by cooling alkali metal vapors in monoatomicgases[刊,中]/廖赤虹(日本独立行政法人消防研究所.日本,东京),鹤田俊…//光电子·激光.-2002,13(7).-753-756报道了1000K以下的温度领域观察到的未知的碱金属钠和钾蒸汽的发光现象及其诱发方法。将钠和钾加热到一定的温度以上并使稀有气体的氩气或氦气在其周围以一定的速度流动,就可以观察到这些碱金属蒸汽的发光。 展开更多
关键词 有机发光器件 光致发光 发光 电子传输层 光电子 亮度发光二极管 超辐射发光二极管 发光效率 发光性能 半导体
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发光与发光器件
10
《中国光学》 EI CAS 2003年第3期4-5,共2页
TN312.8 2003031623高亮度发光二极管及其在照明领域中的应用=Prospect ofthe application for high brightness LED to lighting area[刊,中]/宋贤杰(复旦大学光源与照明工程系.上海(200433)),屠其非…∥半导体光电.—2002,23(5).—356... TN312.8 2003031623高亮度发光二极管及其在照明领域中的应用=Prospect ofthe application for high brightness LED to lighting area[刊,中]/宋贤杰(复旦大学光源与照明工程系.上海(200433)),屠其非…∥半导体光电.—2002,23(5).—356-360介绍了高亮度发光二极管(LED)的研究现状,分析了LED作为照明光源的特点,并对LED在照明领域中的应用进行了展望。图6表1参2(杨妹清) 展开更多
关键词 亮度发光二极管 白光发光二极管 空间显色恒定性 外量子效率 量子电子学 研究现状 照明光源 色坐标 大屏幕 照明工程
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发光器件及应用
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《中国光学》 EI CAS 1996年第1期2-5,共4页
TN383 960100131.3μm窗口结构超发光二极管=The superlumi-nescent diode with 1.3μm window structure[刊,中]/刘明大(集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区),马东阁,石家纬,金恩顺,李波文,高鼎三(吉林大学电子工程系.吉林... TN383 960100131.3μm窗口结构超发光二极管=The superlumi-nescent diode with 1.3μm window structure[刊,中]/刘明大(集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区),马东阁,石家纬,金恩顺,李波文,高鼎三(吉林大学电子工程系.吉林,长春) 展开更多
关键词 超辐射发光二极管 集成光学 集成光电子学 纤维光学 吉林大学 亮度发光二极管 实验室 自聚焦透镜 实验区 输出功率
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对称跨接电容型LED均流电路 被引量:6
12
作者 俞忆洁 张方华 倪建军 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第8期196-203,共8页
高亮度发光二极管(LED)自身导通压降的离散性及负温度系数特性使得多个LED串并联时出现各串电流不均衡的现象。提出了一种简洁的对称跨接电容型LED均流电路,各LED支路串联的开关管轮流交错导通。利用各LED支路间的跨接电容在一个周期内... 高亮度发光二极管(LED)自身导通压降的离散性及负温度系数特性使得多个LED串并联时出现各串电流不均衡的现象。提出了一种简洁的对称跨接电容型LED均流电路,各LED支路串联的开关管轮流交错导通。利用各LED支路间的跨接电容在一个周期内的电荷守恒,实现了多路LED串的均流。对电路的均流原理、参数设计进行了详细的理论分析,并将其与非对称跨接电容型LED均流电路进行了对比。在此基础上,进行了三支路均流的实验验证,实验结果表明所提出的电路具有良好的均流效果,控制方式简单,电容、开关管两端电压应力低,无磁性元件,便于集成。 展开更多
关键词 亮度发光二极管(LED) 均流 跨接电容 照明 背光源
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电容钳位型LED均流电路 被引量:6
13
作者 俞忆洁 张方华 倪建军 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期178-184,共7页
高亮度发光二极管(LED)自身导通压降的离散性及负温度系数特性使得多个LED串并联时出现各串电流不均衡的现象。提出了一种简洁的电容钳位型LED均流电路,各LED支路串联的开关管轮流交错导通。利用各LED支路间跨接的钳位电容在一个周期内... 高亮度发光二极管(LED)自身导通压降的离散性及负温度系数特性使得多个LED串并联时出现各串电流不均衡的现象。提出了一种简洁的电容钳位型LED均流电路,各LED支路串联的开关管轮流交错导通。利用各LED支路间跨接的钳位电容在一个周期内的电荷守恒,实现了多路LED串的均流。对电路的均流原理、参数设计进行了详细的理论分析,在此基础上,进行了三支路均流的实验验证,实验结果表明所提出的电路具有良好的均流效果,控制方式简单,电容、开关管两端电压应力低,无磁性元件,便于集成。 展开更多
关键词 亮度发光二极管(LED) 均流 钳位电容 照明
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SLED光源的恒温恒流控制系统研究 被引量:6
14
作者 宋世德 于清旭 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期193-195,共3页
采用以单片机为核心的控制电路和PID控制算法 ,对SLED的温度和驱动电流进行高精度的控制 ,使工作温度可在 0℃~ 30℃设定范围内稳定到± 0 .0 1℃以内 ,驱动电流在 2 0mA~ 2 0 0mA设定范围内可稳定在± 0 .0 2mA以内 。
关键词 亮度发光二极管 恒温 恒流 PID 单片机
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照明用无桥LED驱动电路及其输入电流谐波分析 被引量:8
15
作者 曲振江 周贵德 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第6期137-143,共7页
用大功率高亮度发光二极管取代白炽灯、荧光灯等传统照明光源已是大势所趋,本文提出了一种直接利用市电但不需整流桥的大功率LED驱动电路。分析了其工作过程、输入输出电量与电路结构参数的关系及输入交流电流的谐波分布,指出该电路使... 用大功率高亮度发光二极管取代白炽灯、荧光灯等传统照明光源已是大势所趋,本文提出了一种直接利用市电但不需整流桥的大功率LED驱动电路。分析了其工作过程、输入输出电量与电路结构参数的关系及输入交流电流的谐波分布,指出该电路使用本文介绍的控制方法可以高效率运行,完全适应LED的特性需要,并且具有很高的功率因数和很小的电流谐波失真度,电路的实验结果证实了结论。 展开更多
关键词 亮度发光二极管 LED驱动电路 照明光源 功率因数 谐波电流分布
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照明用大功率无桥LED驱动电路输入电流谐波分析 被引量:1
16
作者 曲振江 周贵德 郭玉秀 《工程设计学报》 CSCD 北大核心 2009年第5期369-373,390,共6页
对作者介绍的照明用大功率无桥LED驱动电路的输入交流工频电流波形在设定电路条件后的频谱和谐波含量进行了分析和计算,其结果是,在电路最低工作频率以下的频率范围内基本不存在谐波成分,电路输入电流的总谐波含量THD随最小输入电流脉... 对作者介绍的照明用大功率无桥LED驱动电路的输入交流工频电流波形在设定电路条件后的频谱和谐波含量进行了分析和计算,其结果是,在电路最低工作频率以下的频率范围内基本不存在谐波成分,电路输入电流的总谐波含量THD随最小输入电流脉冲宽度T0(min)增大而上升,随电路的输出直流电压与输入交流电压有效值的比Uo/Ui的增大而下降.并指出在电路的输入端需要一个滤波电路,分析了滤波电路的滤波效果,给出了滤波电路的设计方法. 展开更多
关键词 亮度发光二极管 大功率LED驱动电路 最小输入电流脉冲宽度 输入电流频谱 总谐波含量
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调制掺杂同型结对HB-LED工作电压的影响
17
作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期278-280,共3页
根据电化学 C-V测量 AlGaInP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其 LED外延片封装后的工作电压,计算了其中B+-N与P+-P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响LED工作电压的... 根据电化学 C-V测量 AlGaInP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其 LED外延片封装后的工作电压,计算了其中B+-N与P+-P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响LED工作电压的另一大因素,并提出了进一步降低 LED工作电压的有效措施. 展开更多
关键词 调制掺杂 同型结 接触电势差 亮度发光二极管 工作电压
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渐变异质结在HB-LED器件中的应用以及实现技术
18
作者 刘鲁 范广涵 廖常俊 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期689-698,共10页
本文首先讨论通过渐变方式使异质结处的尖峰消失或减小,从而改善高亮度发光二极管(HB-LED)的器件性能。讨论在实际中用双层突变拟合缓变异质结遇到的问题.
关键词 渐变异质结 HB-LED器件 亮度发光二极管 双层突变拟合 镓铝铟磷
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用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究 被引量:1
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作者 曹明德 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘鲁 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期90-94,共5页
从光学传输矩阵出发 ,研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质 ,并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响 .
关键词 UHB-LED AlGaAs/AlAs DBR 光学性质 光学传输矩阵 布拉格反射器 超高亮度发光二极管 反射率 折射率 缘砷衬底
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香港微晶公司半导体照明光源开发中心在广州落户
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作者 李丽娟 《广东电力》 2006年第6期9-9,共1页
关键词 半导体照明光源 有限公司 产品开发 微晶 广州 亮度发光二极管 香港 封装技术 测试中心 自主开发
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