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题名蓝宝石衬底上高质量AlN材料的制备
被引量：1
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作者
黄科
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第2期143-147,共5页
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文摘
设计了一种三维和二维交替（3D/2D）生长模式,并使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上通过3D/2D交替生长模式制备了AlN外延材料。高分辨X射线衍射仪测试结果表明,相较于纯3D和2D生长模式制备的AlN材料,3D/2D交替生长模式制备的AlN材料的（002）和（102）半高宽都有所减小,表明该3D/2D交替生长模式制备的AlN材料具有更高的晶体质量和更低的位错密度。原子力显微镜（AFM）测试表明,每个周期中3D AlN层与2D AlN层的厚度不同,3D/2D AlN样品的粗糙度不同。当单个周期中,3D AlN层厚度为100 nm和2D AlN层厚度为300 nm时,AlN表面平整,原子台阶清晰。喇曼光谱测试表明所有AlN样品都是c轴择优取向,3D/2D交替生长模式并不会改变AlN材料的生长方向。
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关键词
氮化铝(AlN)
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
交替生长模式
高晶体质量
低位错密度
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Keywords
AlN
metal organic chemical vapor deposition （MOCVD）~ alternating growthmode
high crystalline quality
low dislocation density
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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