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GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析
被引量:
2
1
作者
郑红军
卜俊鹏
+4 位作者
何宏家
吴让元
曹福年
白玉珂
惠峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期111-115,共5页
采用TEM、XrayRockingCurve等测试的方法,对GaAs晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析,探讨了碱性SiO2胶体水溶液加入不同浓度的电解质(NaOCl)后所发生胶粒带电程度的变化,从胶...
采用TEM、XrayRockingCurve等测试的方法,对GaAs晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析,探讨了碱性SiO2胶体水溶液加入不同浓度的电解质(NaOCl)后所发生胶粒带电程度的变化,从胶体理论的角度解释了SiO2胶体溶液不稳定对GaAs抛光晶片亚表面损伤层的影响。
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关键词
砷化镓
抛光
亚表面损伤层
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职称材料
具有亚表面损伤层基底表面的激光减反膜设计
2
作者
刘华松
刘杰
+3 位作者
王利栓
姜玉刚
冷健
季一勤
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2013年第10期2737-2741,共5页
光学材料的亚表面损伤层(SSD)是激光光学领域内的研究热点之一。亚表面损伤层的存在将导致其表面薄膜特性发生变化,尤其是在高精度低损耗激光薄膜的设计与制造中亚表面损伤层必须给予考虑。文中研究了亚表面损伤层的物理特性,并借助于...
光学材料的亚表面损伤层(SSD)是激光光学领域内的研究热点之一。亚表面损伤层的存在将导致其表面薄膜特性发生变化,尤其是在高精度低损耗激光薄膜的设计与制造中亚表面损伤层必须给予考虑。文中研究了亚表面损伤层的物理特性,并借助于椭圆偏振仪测量基底表面的椭偏光谱,反演计算出SSD的物理厚度和折射率梯度。通过计算得到了亚表面的深度和梯度对激光减反膜反射率光谱的影响,证明了亚表面深度对反射率的影响具有周期效应。在考虑亚表面损伤层的深度和梯度存在的基础上,对激光减反膜的设计进行了理论修正,数值实验结果证明通过膜系的修正可以实现633 nm处的零反射。
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关键词
激光减反膜
亚表面损伤层
椭偏光谱
折射率梯度
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职称材料
低亚表面损伤石英光学基底的加工和检测技术
被引量:
14
3
作者
马彬
沈正祥
+5 位作者
张众
贺鹏飞
季一勤
刘华松
刘丹丹
王占山
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期2181-2185,共5页
制备低亚表面损伤的超光滑光学基底,是获得高损伤阈值薄膜的前提条件。针对石英材料在不同加工工序中引入亚表面损伤层的差异,首先利用共焦显微成像结合光散射的层析扫描技术,对W10和W5牌号SiC磨料研磨后的亚表面缺陷进行了检测,讨论了...
制备低亚表面损伤的超光滑光学基底,是获得高损伤阈值薄膜的前提条件。针对石英材料在不同加工工序中引入亚表面损伤层的差异,首先利用共焦显微成像结合光散射的层析扫描技术,对W10和W5牌号SiC磨料研磨后的亚表面缺陷进行了检测,讨论了缺陷尺寸与散射信号强度、磨料粒径与损伤层深度间的对应关系;同时,采用化学腐蚀处理技术对抛光后样品的亚表面形貌进行了刻蚀研究,分析了化学反应生成物和亚表面缺陷对刻蚀速率的影响、不同深度下亚表面缺陷的分布特征,以及均方根粗糙度与刻蚀深度间的联系。根据各道加工工艺的不同采用了相应的亚表面检测技术,由此来确定下一道加工工序,合理的去除深度,最终获得了极低亚表面损伤的超光滑光学基底。
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关键词
亚表面损伤层
共焦显微成像
光散射
化学腐蚀
刻蚀速率
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职称材料
芯片背面磨削减薄技术研究
被引量:
8
4
作者
王仲康
杨生荣
《电子工业专用设备》
2010年第1期23-27,共5页
通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果;并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理。
关键词
背面减薄
自旋转磨削
亚表面损伤层
总厚度误差
延性域
崩边
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职称材料
题名
GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析
被引量:
2
1
作者
郑红军
卜俊鹏
何宏家
吴让元
曹福年
白玉珂
惠峰
机构
中国科学院半导体所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期111-115,共5页
文摘
采用TEM、XrayRockingCurve等测试的方法,对GaAs晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析,探讨了碱性SiO2胶体水溶液加入不同浓度的电解质(NaOCl)后所发生胶粒带电程度的变化,从胶体理论的角度解释了SiO2胶体溶液不稳定对GaAs抛光晶片亚表面损伤层的影响。
关键词
砷化镓
抛光
亚表面损伤层
Keywords
GaAs Polishing Sub surface Damage
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
具有亚表面损伤层基底表面的激光减反膜设计
2
作者
刘华松
刘杰
王利栓
姜玉刚
冷健
季一勤
机构
天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室袁天津
中国人民解放军驻中国空军导弹研究院军事代表室袁河南洛阳
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2013年第10期2737-2741,共5页
基金
国家自然科学基金(61235011)
天津市科委项目(10JCYBJC01500,12JCQNIC01200)
文摘
光学材料的亚表面损伤层(SSD)是激光光学领域内的研究热点之一。亚表面损伤层的存在将导致其表面薄膜特性发生变化,尤其是在高精度低损耗激光薄膜的设计与制造中亚表面损伤层必须给予考虑。文中研究了亚表面损伤层的物理特性,并借助于椭圆偏振仪测量基底表面的椭偏光谱,反演计算出SSD的物理厚度和折射率梯度。通过计算得到了亚表面的深度和梯度对激光减反膜反射率光谱的影响,证明了亚表面深度对反射率的影响具有周期效应。在考虑亚表面损伤层的深度和梯度存在的基础上,对激光减反膜的设计进行了理论修正,数值实验结果证明通过膜系的修正可以实现633 nm处的零反射。
关键词
激光减反膜
亚表面损伤层
椭偏光谱
折射率梯度
Keywords
antireflection coating
subsurface damage
spectroscopic ellipsometry
refractive index gradient
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
低亚表面损伤石英光学基底的加工和检测技术
被引量:
14
3
作者
马彬
沈正祥
张众
贺鹏飞
季一勤
刘华松
刘丹丹
王占山
机构
同济大学精密光学工程技术研究所
同济大学航空航天与力学学院
天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期2181-2185,共5页
基金
国家自然科学基金项目(10825521)
上海市科委基金项目(07DZ22302)
+1 种基金
上海市博士后科研资助计划(10R21416000)
江苏省现代光学技术省重点实验室开放课题(KJS0901)
文摘
制备低亚表面损伤的超光滑光学基底,是获得高损伤阈值薄膜的前提条件。针对石英材料在不同加工工序中引入亚表面损伤层的差异,首先利用共焦显微成像结合光散射的层析扫描技术,对W10和W5牌号SiC磨料研磨后的亚表面缺陷进行了检测,讨论了缺陷尺寸与散射信号强度、磨料粒径与损伤层深度间的对应关系;同时,采用化学腐蚀处理技术对抛光后样品的亚表面形貌进行了刻蚀研究,分析了化学反应生成物和亚表面缺陷对刻蚀速率的影响、不同深度下亚表面缺陷的分布特征,以及均方根粗糙度与刻蚀深度间的联系。根据各道加工工艺的不同采用了相应的亚表面检测技术,由此来确定下一道加工工序,合理的去除深度,最终获得了极低亚表面损伤的超光滑光学基底。
关键词
亚表面损伤层
共焦显微成像
光散射
化学腐蚀
刻蚀速率
Keywords
subsurface damage
confocal scanning microscope
light scattering
chemical etching
etching rate
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
芯片背面磨削减薄技术研究
被引量:
8
4
作者
王仲康
杨生荣
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2010年第1期23-27,共5页
文摘
通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果;并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理。
关键词
背面减薄
自旋转磨削
亚表面损伤层
总厚度误差
延性域
崩边
Keywords
Backside grinding Wafer rotating grinding SSD TTV Ductile-brittle transition value Spin
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析
郑红军
卜俊鹏
何宏家
吴让元
曹福年
白玉珂
惠峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
在线阅读
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职称材料
2
具有亚表面损伤层基底表面的激光减反膜设计
刘华松
刘杰
王利栓
姜玉刚
冷健
季一勤
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2013
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
低亚表面损伤石英光学基底的加工和检测技术
马彬
沈正祥
张众
贺鹏飞
季一勤
刘华松
刘丹丹
王占山
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
14
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
芯片背面磨削减薄技术研究
王仲康
杨生荣
《电子工业专用设备》
2010
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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