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基于概率统计的BK7玻璃磨削亚表层损伤深度在线预测技术
被引量：
4
1
作者
吕东喜
陈明达
+2 位作者
姚友强
赵岳
祝颖丹
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期102-109,共8页
为了在线预测硬脆材料磨削加工引起的亚表面损伤深度,本文利用概率统计法对磨粒高度进行分析,建立了刀具切削力与亚表层裂纹扩展深度之间的理论关系模型。首先,基于硬脆材料的压痕断裂力学理论,分析了中位裂纹扩展长度与磨粒压痕深度之...
为了在线预测硬脆材料磨削加工引起的亚表面损伤深度,本文利用概率统计法对磨粒高度进行分析,建立了刀具切削力与亚表层裂纹扩展深度之间的理论关系模型。首先,基于硬脆材料的压痕断裂力学理论,分析了中位裂纹扩展长度与磨粒压痕深度之间的内在关联。随后,对刀具端面边缘的磨粒数目进行了数理统计,建立了刀具切削力与单个磨粒切削深度之间的理论关系。在此基础上,提出了工件亚表层损伤深度的在线预测模型SSDmax=1.284×SSDmax theo-36.23,并结合BK7玻璃的实际磨削实验验证了其正确性。通过对比实验结果与理论模型的预测结果发现,该方法可以在线、准确地预测磨削加工引起的工件亚表层损伤深度。
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关键词
亚表层损伤深度
中位裂纹
在线预测
概率统计
BK7玻璃
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职称材料
雾化施液CMP抛光硅片的亚表层损伤研究
被引量：
1
2
作者
壮筱凯
李庆忠
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期2291-2297,共7页
雾化施液CMP抛光后的硅片依然存在亚表层损伤,会严重影响硅片的使用性能。首先利用化学腐蚀法和光学显微镜分别观测了亚表层的微裂纹以及不同部位的位错蚀坑形貌和位错密度。然后利用显微共聚焦拉曼光谱仪分析了抛光前后硅片表面残余应...
雾化施液CMP抛光后的硅片依然存在亚表层损伤,会严重影响硅片的使用性能。首先利用化学腐蚀法和光学显微镜分别观测了亚表层的微裂纹以及不同部位的位错蚀坑形貌和位错密度。然后利用显微共聚焦拉曼光谱仪分析了抛光前后硅片表面残余应力的变化行为以及应力的分布情况。最后利用差动蚀刻速率法测取了亚表层的损伤深度并分析了抛光参数对损伤深度的影响规律。研究表明:随着表层到亚表层深度的增加,微裂纹损伤愈加严重,硅片边沿处的位错密度和形貌要明显好于中心区,位错平均密度为1.2×104/cm2;雾化抛光后的硅片表面被引入残余拉应力,应力沿硅片对角线方向呈对称分布;亚表层的损伤深度大约为0.99μm,随着雾化器电压的增大呈递减趋势,而抛光垫转速和抛光压力都存在一个最佳的参数使损伤深度达到最小。
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关键词
雾化施液
位错
微裂纹
残余应力
亚表层损伤深度
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职称材料
题名
基于概率统计的BK7玻璃磨削亚表层损伤深度在线预测技术
被引量：
4
1
作者
吕东喜
陈明达
姚友强
赵岳
祝颖丹
机构
中国科学院宁波材料技术与工程研究所浙江省机器人与智能制造装备技术重点实验室
中国科学院大学材料与光电研究中心
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期102-109,共8页
基金
浙江省自然科学基金资助项目(No.LY18E050028)
中科院战略性先导专项A(No.XDA-Y04-02-01)
+2 种基金
宁波市国际合作项目(No.2017D10025)
宁波市自然科学基金资助项目(No.2018A610173)
宁波市工业重大专项(No.2017B10007).
文摘
为了在线预测硬脆材料磨削加工引起的亚表面损伤深度,本文利用概率统计法对磨粒高度进行分析,建立了刀具切削力与亚表层裂纹扩展深度之间的理论关系模型。首先,基于硬脆材料的压痕断裂力学理论,分析了中位裂纹扩展长度与磨粒压痕深度之间的内在关联。随后,对刀具端面边缘的磨粒数目进行了数理统计,建立了刀具切削力与单个磨粒切削深度之间的理论关系。在此基础上,提出了工件亚表层损伤深度的在线预测模型SSDmax=1.284×SSDmax theo-36.23,并结合BK7玻璃的实际磨削实验验证了其正确性。通过对比实验结果与理论模型的预测结果发现,该方法可以在线、准确地预测磨削加工引起的工件亚表层损伤深度。
关键词
亚表层损伤深度
中位裂纹
在线预测
概率统计
BK7玻璃
Keywords
subsurface damage depth
median crack
online prediction
probability and statistics
BK7 glass
分类号
TQ171.68 [化学工程—玻璃工业]
O21 [理学—概率论与数理统计]
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职称材料
题名
雾化施液CMP抛光硅片的亚表层损伤研究
被引量：
1
2
作者
壮筱凯
李庆忠
机构
江南大学机械工程学院
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期2291-2297,共7页
基金
国家自然科学基金项目(51175228)
文摘
雾化施液CMP抛光后的硅片依然存在亚表层损伤,会严重影响硅片的使用性能。首先利用化学腐蚀法和光学显微镜分别观测了亚表层的微裂纹以及不同部位的位错蚀坑形貌和位错密度。然后利用显微共聚焦拉曼光谱仪分析了抛光前后硅片表面残余应力的变化行为以及应力的分布情况。最后利用差动蚀刻速率法测取了亚表层的损伤深度并分析了抛光参数对损伤深度的影响规律。研究表明:随着表层到亚表层深度的增加,微裂纹损伤愈加严重,硅片边沿处的位错密度和形貌要明显好于中心区,位错平均密度为1.2×104/cm2;雾化抛光后的硅片表面被引入残余拉应力,应力沿硅片对角线方向呈对称分布;亚表层的损伤深度大约为0.99μm,随着雾化器电压的增大呈递减趋势,而抛光垫转速和抛光压力都存在一个最佳的参数使损伤深度达到最小。
关键词
雾化施液
位错
微裂纹
残余应力
亚表层损伤深度
Keywords
uhrasonic atomization
dislocation
micro-crack
residual stress
SSD
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于概率统计的BK7玻璃磨削亚表层损伤深度在线预测技术
吕东喜
陈明达
姚友强
赵岳
祝颖丹
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
雾化施液CMP抛光硅片的亚表层损伤研究
壮筱凯
李庆忠
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
在线阅读
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职称材料
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